在金屬晶體中最常見的三種堆積方式有：

(1)配位數(shù)為8的是____________堆積。

(2)配位數(shù)為________的是面心立方堆積。

(3)配位數(shù)為________的是________堆積。其中以ABAB方式堆積的____________和以ABCABC方式堆積的________________空間利用率相等，就堆積層來看，二者的區(qū)別是在第________層。

下列說法中，不正確的是(　　)

A．離子晶體中不一定含有金屬離子

B．在含有陽離子的化合物的晶體中，一定含有陰離子

C．含有金屬元素的離子不一定是陽離子

D．金屬晶體中原子的堆積方式都是A3或A1型最密堆積

金屬晶體堆積密度大，原子配位數(shù)高，能充分利用空間的原因是(　　)

A．金屬原子的價(jià)電子數(shù)少

B．金屬晶體中有自由電子

C．金屬原子的原子半徑大

D．金屬鍵沒有飽和性和方向性

金屬晶體的形成是因?yàn)榫�體中存在(　　)

①金屬原子�、诮饘匐x子�、圩杂呻娮印、荜庪x子

A．只有①       B．只有③       C．②③       D．②④

通常人們把拆開1mol某化學(xué)鍵所吸收的能量看成該化學(xué)鍵的鍵能。鍵能的大小可以衡量化學(xué)鍵的強(qiáng)弱，也可用于估算化學(xué)反應(yīng)的反應(yīng)熱(ΔH)，化學(xué)反應(yīng)的ΔH等于反應(yīng)中斷裂舊化學(xué)鍵的鍵能之和與反應(yīng)中形成新化學(xué)鍵的鍵能之和的差。

請(qǐng)回答下列問題：

(1)比較下列兩組物質(zhì)的熔點(diǎn)高低(填“＞”或“＜”)。

SiC________Si；SiCl4________SiO2。

(2)下圖立方體中心的“●”表示硅晶體中的一個(gè)原子，請(qǐng)?jiān)诹⒎襟w的頂點(diǎn)用“●”表示出與之緊鄰的硅原子。

(3)工業(yè)上高純硅可通過下列反應(yīng)制取：

SiCl4(g)＋2H2(g)Si(s)＋4HCl(g)

該反應(yīng)的反應(yīng)熱ΔH＝________kJ·mol－1。

據(jù)報(bào)道，科學(xué)家成功制得了CO2的原子晶體(以下用M表示)。下列關(guān)于M的推斷正確的是(　　)

A．M具有很高的熔、沸點(diǎn)

B．M容易氣化，可用作致冷材料

C．M和干冰互為同素異形體

D．M是由C原子和O原子按1∶2的比例所組成的平面網(wǎng)狀的晶體

碳化硅(SiC)具有類似金剛石的結(jié)構(gòu)，其中碳原子和硅原子的位置是交替出現(xiàn)的，即每個(gè)Si原子處于四個(gè)C原子構(gòu)成的四面體的內(nèi)部，每個(gè)C原子也處于四個(gè)Si原子構(gòu)成的四面體的內(nèi)部。下列三種晶體：①金剛石�、诰�體硅　③碳化硅中，它們的熔點(diǎn)由高到低的順序是(　　)

A．①③②B．②③①

C．③①②D．②①③

下表是某些原子晶體的熔點(diǎn)和硬度(　　)

分析表中的數(shù)據(jù)，判斷下列敘述正確的是(　　)

①構(gòu)成原子晶體的原子種類越多，晶體的熔點(diǎn)越高

②構(gòu)成原子晶體的原子間的共價(jià)鍵鍵能越大，晶體的熔點(diǎn)越高

③構(gòu)成原子晶體的原子的半徑越大，晶體的硬度越大

④構(gòu)成原子晶體的原子的半徑越小，晶體的硬度越大

A．①②B．③④

C．①③D．②④

在金剛石的晶體中，含有由共價(jià)鍵形成的碳原子環(huán)，其中最小的環(huán)上所需碳原子數(shù)及每個(gè)碳原子上任意兩個(gè)C—C鍵間的夾角是(　　)

A．6個(gè)　120°B．5個(gè)　108°

C．4個(gè)　109.5°D．6個(gè)　109.5°

關(guān)于SiO2晶體的敘述正確的是(NA表示阿伏加德羅常數(shù)的數(shù)值)(　　)

A．通常狀況下，60gSiO2晶體中含有的分子數(shù)為NA

B．60gSiO2晶體中含有2NA個(gè)Si—O鍵

C．晶體中與同一硅原子相連的4個(gè)氧原子處于同一四面體的4個(gè)頂點(diǎn)

D．SiO2晶體中含有1個(gè)硅原子，2個(gè)氧原子