有關(guān)晶體(晶胞)的結(jié)構(gòu)如下圖所示，下列說法不正確的是(　　)

A．在NaCl晶體中，距Na＋最近的Cl－形成正八面體

B．在CaF2晶體中，每個(gè)晶胞平均占有4個(gè)Ca2＋

C．在金剛石晶體中，碳原子與碳碳鍵個(gè)數(shù)的比為1∶4

D．銅晶體為面心立方堆積，銅原子的配位數(shù)為12

已知C3N4晶體具有比金剛石還大的硬度，且構(gòu)成該晶體的微粒間只以單鍵結(jié)合。下列關(guān)于C3N4晶體的說法錯(cuò)誤的是(　　)

A．該晶體屬于原子晶體，其化學(xué)鍵比金剛石中的碳碳鍵更牢固

B．該晶體中每個(gè)碳原子連接4個(gè)氮原子、每個(gè)氮原子連接3個(gè)碳原子

C．該晶體中碳原子和氮原子的最外層都滿足8電子結(jié)構(gòu)

D．該晶體與金剛石相似，都是原子間以非極性鍵形成空間網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)

下列說法正確的是(　　)

A．在含4 mol Si—O鍵的二氧化硅晶體中，氧原子的數(shù)目為4 NA

B．金剛石晶體中，碳原子數(shù)與C—C鍵數(shù)之比為1∶2

C．30 g二氧化硅晶體中含有0.5 NA個(gè)二氧化硅分子

D．晶體硅、晶體氖均是由相應(yīng)原子直接構(gòu)成的原子晶體

下列物質(zhì)性質(zhì)的變化規(guī)律，與化學(xué)鍵的強(qiáng)弱無關(guān)的是(　　)

A．F2、Cl2、Br2、I2的熔點(diǎn)、沸點(diǎn)逐漸升高

B．HF、HCl、HBr、HI的熱穩(wěn)定性依次減弱

C．金剛石的硬度、熔點(diǎn)、沸點(diǎn)都高于晶體硅

D．NaF、NaCl、NaBr、NaI的熔點(diǎn)依次降低

下列說法中正確的是(　　)

A．含有非極性共價(jià)鍵的化合物分子一定是非極性分子

B．原子晶體中只存在非極性共價(jià)鍵

C．冰主要是水分子通過氫鍵作用而形成的分子晶體

D．若元素R的含氧酸的酸性大于元素Q的含氧酸的酸性，則非金屬性R大于Q

據(jù)某科學(xué)雜志報(bào)道，國外有一研究機(jī)構(gòu)發(fā)現(xiàn)了一種新的球形分子，它的分子式為C60Si60，其分子結(jié)構(gòu)酷似中國傳統(tǒng)工藝“鏤雕”，經(jīng)測定其中包含C60，并且也有Si60結(jié)構(gòu)，下列敘述不正確的是(　　)

A．該物質(zhì)有很高的熔點(diǎn)，很大的硬度

B．該物質(zhì)形成的晶體屬于分子晶體

C．該物質(zhì)分子中C60被包裹在Si60里面

D．該物質(zhì)的相對(duì)分子質(zhì)量為2 400

下列敘述正確的是(　　)

A．分子晶體中的每個(gè)分子內(nèi)一定含有共價(jià)鍵

B．原子晶體中的相鄰原子間只存在非極性共價(jià)鍵

C．離子晶體中可能含有共價(jià)鍵

D．金屬晶體的熔點(diǎn)和沸點(diǎn)都很高

下列說法中正確的是(　　)

A．離子晶體中每個(gè)離子的周圍均吸引著6個(gè)帶相反電荷的離子

B．金屬導(dǎo)電的原因是在外加電場作用下金屬產(chǎn)生自由電子，電子定向運(yùn)動(dòng)

C．分子晶體的熔、沸點(diǎn)很低，常溫下都呈液態(tài)或氣態(tài)

D．原子晶體中的各相鄰原子都以共價(jià)鍵相結(jié)合

干冰和二氧化硅晶體同屬ⅣA族元素的最高價(jià)氧化物，它們的熔、沸點(diǎn)差別很大的原因是(　　)

A．二氧化硅的相對(duì)分子質(zhì)量大于二氧化碳的相對(duì)分子質(zhì)量

B．C===O鍵鍵能比Si—O鍵鍵能小

C．干冰為分子晶體，二氧化硅為原子晶體

D．干冰易升華，二氧化硅不能

下列晶體性質(zhì)的比較中不正確的是(　　)

A．熔點(diǎn)：金剛石>碳化硅>晶體硅

B．沸點(diǎn)：NH3>PH3

C．硬度：白磷>冰>二氧化硅

D．熔點(diǎn)：SiI4>SiBr4>SiCl4