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【題目】ⅰ.有下列物質(zhì):①銅;②硫酸鋇固體;③氨水;④氫氧化鈉固體;⑤熔融硝酸鉀;⑥乙醇;⑦鹽酸;⑧金剛石;⑨二氧化硫;⑩冰醋酸。
其中能導(dǎo)電的有_______;(填序號,下同)屬于非電解質(zhì)的有_____;屬于強(qiáng)電解質(zhì)的有_____;
ⅱ.寫出①H2SO3 ②CH3COONH4在水中的電離方程式:
___________________________________________________________;
___________________________________________________________。
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【題目】已知最簡單的有機(jī)物E和直線型分子G在光照條件下反應(yīng),生成四面體型分子L和直線型分子M(組成G分子的元素為第三周期的元素),如下圖。則下列判斷錯(cuò)誤的是
A. 常溫常壓下,E是一種無色無味的氣體
B. 上述反應(yīng)類型是加成反應(yīng)
C. 在光照條件L能與 G繼續(xù)發(fā)生與上述類似的反應(yīng)
D. 上述反應(yīng)類型是取代反應(yīng)
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【題目】X、Y、Z、M、R、W均為周期表中前四周期的元素.X的基態(tài)原子外圍電子排布式為3s2;Y原子的L電子層的p能級上有一個(gè)空軌道;Z元素的基態(tài)原子最外層有3個(gè)未成對電子,次外層有2個(gè)電子;M的原子的2p軌道上有1個(gè)電子的自旋方向與其它電子的自旋方向相反;R是海水中除氫、氧元素外含量最多的元素;W為過渡元素,它的基態(tài)原子外圍電子排布成對電子數(shù)和未成對電子數(shù)相同且為最外層電子數(shù)的兩倍.回答下列問題(相關(guān)回答均用元素符號表示):
(1)W的基態(tài)原子的外圍電子排布圖為__,其基態(tài)原子有__種能量不同的電子。
(2)R的氫化物的沸點(diǎn)比其上一周期同族元素氫化物的沸點(diǎn)低的原因是__。
(3)ZM3-空間構(gòu)型為___,其中Z的雜化方式為__。
(4)W與YM易形成配合物W(YM)5,在W(YM)5中W的化合價(jià)為___;與YM分子互為等電子體的離子的化學(xué)式為___。
(5)W單質(zhì)的晶體在不同溫度下有兩種原子堆積方式,晶胞分別如圖A、B所示:圖B中原子堆積方式為___,A、B中W原子的配位數(shù)之比為___。A、B晶胞的棱長分別為acm和bcm,則A、B兩種晶體的密度之比為___。
(6)X和W組成的合金是目前已發(fā)現(xiàn)的儲(chǔ)氫密度最高的儲(chǔ)氫材料之一,其晶胞結(jié)構(gòu)如圖甲(黑球代表W,白球代表X).則該合金的化學(xué)式為___。
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【題目】將NO2裝入帶有活塞的密閉容器中,當(dāng)反應(yīng)2NO2(g) N2O4(g)達(dá)到平衡后,改變某個(gè)條件,下列敘述正確的是( )
A.升高溫度,氣體顏色加深,則此反應(yīng)為吸熱反應(yīng)
B.慢慢壓縮氣體體積,平衡向正反應(yīng)方向移動(dòng),混合氣體的顏色變淺
C.慢慢壓縮氣體體積,若體積減小一半,壓強(qiáng)增大,但小于原來的兩倍
D.恒溫恒容時(shí),充入惰性氣體,壓強(qiáng)增大,平衡向正反應(yīng)方向移動(dòng),混合氣體的顏色變淺
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【題目】[化學(xué)—選修3:物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)]
硅是重要的半導(dǎo)體材料,構(gòu)成了現(xiàn)代電子工業(yè)的基礎(chǔ)。請回答下列問題:
(1)基態(tài)Si原子中,電子占據(jù)的最高能層符號為_______,該能層具有的原子軌道數(shù)為________、電子數(shù)為___________。
(2)硅主要以硅酸鹽、___________等化合物的形式存在于地殼中。
(3)單質(zhì)硅存在與金剛石結(jié)構(gòu)類似的晶體,其中原子與原子之間以___________相結(jié)合,其晶胞中共有8個(gè)原子,其中在面心位置貢獻(xiàn)__________個(gè)原子。
(4)單質(zhì)硅可通過甲硅烷(SiH4)分解反應(yīng)來制備。工業(yè)上采用Mg2Si和NH4Cl在液氨介質(zhì)中反應(yīng)制得SiH4,該反應(yīng)的化學(xué)方程式為___________________________________。
(5)碳和硅的有關(guān)化學(xué)鍵鍵能如下所示,簡要分析和解釋下列有關(guān)事實(shí):
化學(xué)鍵 | C—C | C—H | C—O | Si—Si | Si—H | Si—O |
鍵能/(kJmol-1 | 356 | 413 | 336 | 226 | 318 | 452 |
①硅與碳同族,也有系列氫化物,但硅烷在種類和數(shù)量上都遠(yuǎn)不如烷烴多,原因是______。
②SiH4的穩(wěn)定性小于CH4,更易生成氧化物,原因是___________________________。
(6)在硅酸鹽中,SiO4- 4四面體(如下圖(a))通過共用頂角氧離子可形成島狀、鏈狀、層狀、骨架網(wǎng)狀四大類結(jié)構(gòu)型式。圖(b)為一種無限長單鏈結(jié)構(gòu)的多硅酸根,其中Si原子的雜化形式為______,Si與O的原子數(shù)之比為_________,化學(xué)式為__________________。
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【題目】某火電廠收捕到的粉煤灰的主要成分為SiO2、Al2O3、FeO、Fe2O3、MgO、TiO2等。研究小組對其進(jìn)行綜合處理的流程如下:
已知:①“酸浸”后鈦主要以TiOSO4形式存在,強(qiáng)電解質(zhì)TiOSO4在溶液中僅能電離SO42-和一種陽離子
②常溫下,Ksp[Al(OH)3]=1.0×10-34,Ksp[Fe(OH)3]=4.0×10-38,Ksp[Mg(OH)2]= 5.61×10-12
③濾液1中仍有Fe2+剩余
請回答下列問題:
(1)為了提高粉煤灰浸出速率,在“酸浸”時(shí)可采取的措施有_______________________
(2)“水解”反應(yīng)的離子方程式為______________________________________。怎樣判斷TiO2xH2O沉淀已經(jīng)洗滌干凈____________________________________________。
(3)加入雙氧水調(diào)節(jié)溶液pH時(shí)離子方程式為_______________________________________。濾渣2成分為________________。為使濾渣2沉淀完全(溶液中離子濃度小于10-5mol/L)。需“調(diào)pH”為________。(保留兩位有效數(shù)字)
(4)濾液3在蒸發(fā)結(jié)晶制備MgCl26H2O應(yīng)注意_____________________________________。
(5)“結(jié)晶”需控制在70℃左右,溫度過高的后果會(huì)導(dǎo)致的后果為________________________。
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【題目】在溫度、容積相同的3個(gè)密閉容器中,按不同方式投入反應(yīng),保持恒溫、恒容,測得反應(yīng)達(dá)到平衡時(shí)的有關(guān)數(shù)據(jù)如下(已知N2(g) + 3H2(g)2NH3(g) △H=-92.4kJ/mol):
容器 | 甲 | 乙 | 丙 |
反應(yīng)物投入量 | 1molN2、3molH2 | 2molNH3 | 1molNH3 |
NH3的濃度(mol/L) | c1 | c2 | c3 |
反應(yīng)的能量變化 | 放出a kJ | 吸收b kJ | 吸收c kJ |
體系壓強(qiáng) | P1 | P2 | P3 |
反應(yīng)物轉(zhuǎn)化率 | α1 | α2 | α3 |
下列說法不正確的是( )
A.>c3B.a + b=92.4C.P2>2P3D.α1 +α3>1
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【題目】如圖是有關(guān)苯的性質(zhì)及反應(yīng)條件的物質(zhì)轉(zhuǎn)化關(guān)系圖,請根據(jù)圖示內(nèi)容回答有關(guān)問題:
(1)反應(yīng)②產(chǎn)生較多的黑煙,原因是____________。
(2)反應(yīng)③的化學(xué)方程式是______________。
(3)反應(yīng)④中生成物的分子式是__________。
(4)圖示四個(gè)反應(yīng)中,屬于加成反應(yīng)的是____(填序號,下同),屬于取代反應(yīng)的是______。
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【題目】下列說法不正確的是( )
A.在CH3COOH分子中的所有碳原子和氧原子都在同一平面
B.在中單體為和NC-CHO
C.1mol與NaOH溶液完全反應(yīng),消耗NaOH5mol
D.與Br21︰1加成可有4種加成產(chǎn)物
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【題目】科學(xué)的進(jìn)步離不開技術(shù)的突破。原子光譜、核磁共振、X射線衍射、量子計(jì)算等技術(shù)的發(fā)展與應(yīng)用都推進(jìn)了結(jié)構(gòu)的研究。如過渡元素原子結(jié)構(gòu)、超分子結(jié)構(gòu)、晶體結(jié)構(gòu)研究等。
(1)過渡元素Ni原子的基態(tài)電子排布式為____________________,Ni的核外電子由基態(tài)躍遷至激發(fā)態(tài)時(shí)產(chǎn)生的光譜是__________(填“吸收”或“發(fā)射”)光譜。
(2)胍鎓離子[C(NH2)3+]可以與甲基磺酸根(CH3SO3-)形成超分子晶體,其局部結(jié)構(gòu)如圖所示。
①組成該晶體的元素中第一電離能最大的是_____________,其中C的雜化類型有_______________。
②元素C、N、S的簡單氫化物在水中的溶解度從大到小的順序?yàn)?/span>__________,原因是__________。
(3)近年研究人員通過量子化學(xué)計(jì)算預(yù)測并合成了化合物Na2He,經(jīng)X射線衍射分析其晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示。
①晶胞中Na堆積形成__________(填形狀)空隙,He占據(jù)一半空隙,另一半由e-占據(jù)。已知Na2He晶體不能導(dǎo)電,理由是_________________________。
②已知晶胞邊長為a nm,晶胞中Na的半徑為b nm,則He的半徑為__________nm(列出計(jì)算式即可)。
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