科目: 來(lái)源: 題型:
A.x-m+n B.x+m+n C.m+n-x D.x-n+m
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科目: 來(lái)源: 題型:
A.H+、Na+、Cl-、
B.K+、Na+、、
C.Cu2+、Cl-、K+、S2-?
D.Ba2+、K+、、
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科目: 來(lái)源: 題型:
A.一定是共價(jià)鍵
B.一定是離子鍵
C.可能是離子鍵,也可能是共價(jià)鍵
D.上述說(shuō)法都不對(duì)
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科目: 來(lái)源: 題型:
A.耐高溫 B.具有電子特性
C.具有光學(xué)特性 D.具有生物特性
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科目: 來(lái)源: 題型:
A.二氧化硫 B.氮氧化物 C.二氧化碳 D.懸浮顆粒
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科目: 來(lái)源: 題型:
SiO2+2CSi+2CO SiO2+3CSiC+2CO
現(xiàn)有
(1)原混合物中二氧化硅的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為多少?
(2)完全參加反應(yīng)的炭的質(zhì)量的可能范圍怎樣?
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科目: 來(lái)源: 題型:
①高溫下用炭還原二氧化硅制得粗硅
②粗硅與干燥HCl氣體反應(yīng)制得SiHCl3:Si+3HClSiHCl3+H2
③SiHCl3與過(guò)量H2在1000~1100℃反應(yīng)制得純硅。已知SiHCl3能與H2O強(qiáng)烈反應(yīng),在空氣中易自燃。
請(qǐng)完成下列問(wèn)題:
(1)第①步制備粗硅的化學(xué)反應(yīng)方程式為_(kāi)____________________。
(2)粗硅與HCl反應(yīng)完全后,經(jīng)冷凝得到的SiHCl3(沸點(diǎn)330℃)中含有少量SiCl4(沸點(diǎn)
(3)用SiHCl3與過(guò)量H2反應(yīng)制備純硅的裝置如下(熱源及夾持裝置略去):
①裝置B中的試劑是______,裝置C中的燒瓶需要加熱,其目的是____________。
②反應(yīng)一段時(shí)間后,裝置D中觀察到的現(xiàn)象是___________,裝置D不能采用普通玻璃管的原因是___________,裝置D中發(fā)生反應(yīng)的化學(xué)方程式為_(kāi)___________。
③為保證制備純硅實(shí)驗(yàn)的成功,操作的關(guān)鍵是檢查實(shí)驗(yàn)裝置的氣密性,控制好反應(yīng)溫度以及______________。
④為鑒定產(chǎn)品硅中是否含微量鐵單質(zhì),將試樣用稀鹽酸溶解,取上層清液后需再加入的試劑(填寫字母代號(hào))是________。
A.碘水 b.氯水 c.NaOH溶液 d.KSCN溶液 e.Na2SO3溶液
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科目: 來(lái)源: 題型:
試寫出化合物A、B、C的電子式及單質(zhì)甲的分子式:A________;B________;C________;甲________。
并寫出反應(yīng)(3)和(5)的化學(xué)方程式:
(3)________________,
(5)________________。
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