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X元素原子的質(zhì)量數(shù)為m,核內(nèi)中子數(shù)為n,則w g X+ 含有電子的物質(zhì)的量是( )
A.(m-n-1)w/m mol B.(m-n)w/m mol
C.(m-n+1)w/m mol D.(m+n)w/m mol
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新型無機非金屬材料氮化硅是一種超硬物質(zhì),具有耐磨、耐腐蝕、抗冷熱沖擊、抗氧化的特點,工業(yè)上可用下列方法制取:3SiO2+6C+2N2=Si3N4+6CO下列敘述正確的是( )
A.Si3N4不與任何酸反應
B.Si3N4中硅元素顯-4價,氮元素顯+3價
C.Si3N4含有離子鍵
D.上述反應,每生成1mol Si3N4,電子轉(zhuǎn)移12mol
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下列離子方程式正確的是( )
A.鋅和濃硫酸反應:Zn + 2H+ == Zn2++ H2↑
B.氨水中加入氫氟酸:NH3·H2O + H+ == NH4++ H2O
C.將過量SO2氣體通入Ca(ClO)2溶液中:SO2 + Ca2++ 2ClO-+ H2O== CaSO3↓ + 2HClO
D.硅石溶于燒堿溶液中:SiO2 + 2OH- == SiO32-+ H2O
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An+、B(n+1)+、Cn—、D(n+1)—都是具有相同電子層結(jié)構(gòu)的離子,下列說法不正確的是( )
A.原子序數(shù)由大到小的順序為BACD
B.原子半徑由大到小順序BACD
C.離子半徑由大到小順序為DCAB
D.陰離子的還原性C小于D
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下列氧化物按其形成的含氧酸酸性遞增順序排列的是( )
A.SiO2 <CO2 <SO3 <P2O5 B.SiO2 <CO2< P2O5 < SO3
C.CO2 < SiO2 < P2O5<SO3 D.CO2 < P2O5<SO3 < SiO2
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關(guān)于114號元素的預測中,正確的是( )
A.其單質(zhì)是良好的半導體材料
B.+2價比+4價穩(wěn)定
C.原子有6個電子層,最外電子層上有 4 個電子
D.有+2、+3、+4價
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密度為0.91 g/cm3的氨水,質(zhì)量分數(shù)為25%的該氨水用等體積的水稀釋后,所得溶液中溶質(zhì)的質(zhì)量分數(shù)( )
A.等于12.5% B.大于12.5%
C.小于12.5% D.無法確定
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對下列事實的解釋正確的是( )
A.常溫下,將銅放入濃硫酸中無明顯變化,說明銅在冷濃硫酸中鈍化
B.向某溶液中加入氯化鋇溶液和稀硝酸,有白色沉淀生成,說明該溶液中一定含有SO42-
C.氯氣使?jié)駶櫟牡矸鄣饣浽嚰堊兯{,說明氯氣與淀粉反應
D.濃硝酸在光照下變黃,說明濃硝酸不穩(wěn)定
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