碳反應(yīng)進行的部位是在葉綠體的

A．外膜上　B．內(nèi)膜上C．基質(zhì)中　D．基粒上

練習(xí)冊系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目：高中生物 來源：2012屆浙江省五校高三第一次聯(lián)考生物試卷 題型：綜合題

（9分）蘆薈具有一種特殊的CO2同化方式：夜間氣孔開放，吸收CO2轉(zhuǎn)化成蘋果酸儲存在液泡中；白天氣孔關(guān)閉，液泡中的蘋果酸分解釋放CO2參與光合作用，如圖一、圖二。芥蘭的CO2利用過程如圖三，請據(jù)圖回答問題：

圖一                  圖二                     圖三
（1）蘆薈夜晚不能合成C6H12O6，原因是缺少碳反應(yīng)必需的                。白天蘆薈和芥蘭進行光合作用所利用的CO2的來源區(qū)別在于                            。
（2）在白天10：00點時，突然升高環(huán)境中CO2的濃度，短時間內(nèi)蘆薈和芥蘭細胞中C3酸含量的變化分別是              、             。若白天在某時刻忽然發(fā)現(xiàn)蘆薈植物細胞中C6H12O6含量增加，則可能是由于                        （環(huán)境因素）造成的。
（3）蘆薈氣孔開、閉的特點是對環(huán)境的適應(yīng)，推測其生活環(huán)境的特點是       。從進化角度看，這種特點的形成是                     的結(jié)果。
（4）科學(xué)家研究了芥蘭在某溫度下光合作用強度與光照強度的關(guān)系并繪制成曲線，圖中OD段表示在一個單位時間內(nèi)光照強度從零開始均速增加并達到光飽和點，圖中S1、S2、S3表示所在部位的面積，請用圖中的S1、S2、S3回答以下問題：

①一個單位時間內(nèi)芥蘭呼吸作用消耗的有機物總量是                           。
②一個單位時間內(nèi)芥蘭光合作用產(chǎn)生的有機物總量是                           。

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科目：高中生物 來源：2011-2012學(xué)年浙江省五校高三第一次聯(lián)考生物試卷 題型：綜合題

（9分）蘆薈具有一種特殊的CO2同化方式：夜間氣孔開放，吸收CO2轉(zhuǎn)化成蘋果酸儲存在液泡中；白天氣孔關(guān)閉，液泡中的蘋果酸分解釋放CO2參與光合作用，如圖一、圖二。芥蘭的CO2利用過程如圖三，請據(jù)圖回答問題：

圖一                   圖二                      圖三

（1）蘆薈夜晚不能合成C6H12O6，原因是缺少碳反應(yīng)必需的                 。白天蘆薈和芥蘭進行光合作用所利用的CO2的來源區(qū)別在于                             。

（2）在白天10：00點時，突然升高環(huán)境中CO2的濃度，短時間內(nèi)蘆薈和芥蘭細胞中C3酸含量的變化分別是               、              。若白天在某時刻忽然發(fā)現(xiàn)蘆薈植物細胞中C6H12O6含量增加，則可能是由于                         （環(huán)境因素）造成的。

（3）蘆薈氣孔開、閉的特點是對環(huán)境的適應(yīng)，推測其生活環(huán)境的特點是        。從進化角度看，這種特點的形成是                      的結(jié)果。

（4）科學(xué)家研究了芥蘭在某溫度下光合作用強度與光照強度的關(guān)系并繪制成曲線，圖中OD段表示在一個單位時間內(nèi)光照強度從零開始均速增加并達到光飽和點，圖中S1、S2、S3表示所在部位的面積，請用圖中的S1、S2、S3回答以下問題：

① 一個單位時間內(nèi)芥蘭呼吸作用消耗的有機物總量是                            。

② 一個單位時間內(nèi)芥蘭光合作用產(chǎn)生的有機物總量是                            。

 

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科目：高中生物 來源：2013屆浙江省瑞安市高二上學(xué)期期末考試生物（文）試卷 題型：選擇題

碳反應(yīng)進行的部位是在葉綠體的

A.外膜上　    B.內(nèi)膜上       C.基質(zhì)中　          D.基粒上

 

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科目：高中生物 來源： 題型：單選題

碳反應(yīng)進行的部位是在葉綠體的


  1. A.
    外膜上
  2. B.
    內(nèi)膜上
  3. C.
    基質(zhì)中
  4. D.
    基粒上

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