2.如圖所示,在空間中取直角坐標(biāo)系Oxy,在第一象限內(nèi)從y軸到MN之間的區(qū)域充滿一個(gè)沿y軸正方向的勻強(qiáng)電場(chǎng),MN為電場(chǎng)的理想邊界,場(chǎng)強(qiáng)大小為E.ON=d.電子從y軸上的A點(diǎn)以初速度v0沿x軸正方向射入電場(chǎng)區(qū)域,從MN上的P點(diǎn)離開電場(chǎng).已知A點(diǎn)坐標(biāo)為(0,h),電子的電量為e,質(zhì)量為m,電子的重力忽略不計(jì),求:
(1)P點(diǎn)的坐標(biāo);
(2)電子經(jīng)過x軸時(shí)離坐標(biāo)原點(diǎn)O的距離.

分析 (1)電子射入第一象限的電場(chǎng)中做類平拋運(yùn)動(dòng),水平方向做勻速直線運(yùn)動(dòng),豎直方向做初速度為零的勻加速直線運(yùn)動(dòng),根據(jù)牛頓第二定律和運(yùn)動(dòng)學(xué)公式結(jié)合求解P點(diǎn)的坐標(biāo).
(2)電子離開電場(chǎng)后水平、豎直方向上都做勻速運(yùn)動(dòng),根據(jù)類平拋運(yùn)動(dòng)的規(guī)律進(jìn)行分析,求出勻速運(yùn)動(dòng)的水平位移即可求得到達(dá)x軸上時(shí)離O點(diǎn)的距離.

解答 解:(1)電場(chǎng)在水平方向做勻速運(yùn)動(dòng),到達(dá)MN的時(shí)間t=$\frac1116116{{v}_{0}}$
豎直方向做勻加速運(yùn)動(dòng),F(xiàn)=Ee
由牛頓第二定律可知,a=$\frac{Ee}{m}$
豎直方向上的位移y=$\frac{1}{2}$at2=$\frac{1}{2}•\frac{Ee}{m}•\frac{1611161^{2}}{{v}_{0}^{2}}$=$\frac{Ee1611666^{2}}{2m{v}_{0}^{2}}$;
故P點(diǎn)的坐標(biāo)為:(d,h-$\frac{Ee6616111^{2}}{2m{v}_{0}^{2}}$)
(2)電子到達(dá)P點(diǎn)后做勻速直線運(yùn)動(dòng),由類平拋運(yùn)動(dòng)的特性,電子可等效為從水平位移的中點(diǎn)處沿直線運(yùn)動(dòng);如圖
由相似三角形可得:$\frac{△x}{\frac6611111{2}}$=$\frac{PN}{PQ}$
電子經(jīng)過x軸時(shí)離坐標(biāo)原點(diǎn)O的距離 x=d+△x
解得 x=$\frac{mh{v}_{0}^{2}}{Ee}$+$\frac6111616{2}$;
答:(1)P點(diǎn)的坐標(biāo):(d,h-$\frac{Eq1111111^{2}}{m{v}_{0}^{2}}$);
(2)電子經(jīng)過x軸時(shí)離坐標(biāo)原點(diǎn)O的距離$\frac{mh{v}_{0}^{2}}{Ee}$+$\frac1161166{2}$;

點(diǎn)評(píng) 本題是帶電粒子在勻強(qiáng)電場(chǎng)中加速和偏轉(zhuǎn)結(jié)合的問題,能熟練運(yùn)用運(yùn)動(dòng)的分解法研究類平拋運(yùn)動(dòng),結(jié)合幾何知識(shí)進(jìn)行求解.注意類平拋運(yùn)動(dòng)結(jié)論的正確應(yīng)用.

練習(xí)冊(cè)系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目:高中物理 來源: 題型:實(shí)驗(yàn)題

12.現(xiàn)有一標(biāo)值為500Ω的金屬膜電阻,將外部封裝去掉后,只留下其中的圓柱體部分(圓柱形絕緣瓷棒及其表面的金屬薄膜),進(jìn)行如下實(shí)驗(yàn):
(1)用游標(biāo)卡尺和螺旋測(cè)微器分別測(cè)量圓柱體的長(zhǎng)度和橫截面直徑,如圖1、圖2所示,則長(zhǎng)度L=9.65mm,直徑d=2.780mm.
(2)與該電阻串聯(lián)可以將一量程為5mA、內(nèi)阻為100Ω的電流計(jì)改裝成量程為3V.

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科目:高中物理 來源: 題型:多選題

13.如圖所示,固定放置在同一水平面內(nèi)的兩根平行長(zhǎng)直金屬導(dǎo)軌的間距為d,其右端接有阻值為R的電阻,整個(gè)裝置處在豎直向上磁感應(yīng)強(qiáng)度大小為B的勻強(qiáng)磁場(chǎng)中.一質(zhì)量為m(質(zhì)量分布均勻)的導(dǎo)體桿ab垂直于導(dǎo)軌放置,且與兩導(dǎo)軌保持良好接觸,桿與導(dǎo)軌之間的動(dòng)摩擦因數(shù)為μ.現(xiàn)桿在水平向左、垂直于桿的恒力F作用下從靜止開始沿導(dǎo)軌運(yùn)動(dòng)距離l時(shí),速度恰好達(dá)到最大(運(yùn)動(dòng)過程中桿始終與導(dǎo)軌保持垂直).設(shè)桿接入電路的電阻為r,導(dǎo)軌電阻不計(jì),重力加速度大小為g.則此過程( 。
A.桿的速度最大值為$\frac{(F-μmg)R}{1661111^{2}{B}^{2}}$
B.流過電阻R的電量為$\frac{Bdl}{R+r}$
C.恒力F做的功與摩擦力做的功之和等于桿動(dòng)能的變化量
D.恒力F做的功與安培力做的功之和大于桿動(dòng)能的變化量

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科目:高中物理 來源: 題型:計(jì)算題

10.如圖所示,邊長(zhǎng)為L(zhǎng)、電阻為R的正方形閉合金屬線框,自上而下勻速進(jìn)人磁感應(yīng)強(qiáng)度為B的水平勻強(qiáng)磁場(chǎng),已知金屬框進(jìn)入磁場(chǎng)的速度為ν,求:
(1)線框進(jìn)入磁場(chǎng)過程中,ab邊產(chǎn)生的感應(yīng)電動(dòng)勢(shì);
(2)這個(gè)過程中,通過金屬框的感應(yīng)電流大;
(3)線框進(jìn)人磁場(chǎng)過程中,ab邊所受安培力的大。

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科目:高中物理 來源: 題型:多選題

17.如圖所示,水平地面上有一個(gè)坑,其豎直截面為半圓,O為圓心,且AB為沿水平方向的直徑,圓弧上有一點(diǎn)C,且∠BOC=60°.若在A點(diǎn)以初速度v0沿水平方向拋出一個(gè)質(zhì)量為m的小球,小球?qū)糁锌颖谏系腃點(diǎn).重力加速度為g,圓的半徑為R,下列說法正確的是( 。
A.小球擊中C點(diǎn)時(shí)速度與水平方向的夾角為30°
B.小球飛行的時(shí)間為$\frac{{2\sqrt{3}{V_0}}}{3g}$
C.只要速度v0與R滿足一定的關(guān)系,小球在C點(diǎn)能垂直擊中圓弧
D.不論v0取多大值,小球都不可能在C點(diǎn)垂直擊中圓弧

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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題

7.取一根長(zhǎng)2m左右的細(xì)線,5個(gè)鐵墊圈和一個(gè)金屬盤.在線端系上第一個(gè)墊圈,隔12cm再系一個(gè),以后墊圈之間的距離分別為36cm、60cm、84cm,如圖所示,站在椅子上,向上提起線的上端,讓線自由垂下,且第一個(gè)墊圈已經(jīng)接觸地上的金屬盤.若不計(jì)空氣阻力,松手后開始計(jì)時(shí),則2、3、4、5各墊圈( 。
A.依次落到盤上的時(shí)間間隔比為1:($\sqrt{2}-1$):($\sqrt{3}-\sqrt{2}$):(2-$\sqrt{3}$)
B.依次落到盤上的時(shí)間間隔比為1:$\sqrt{2}$:$\sqrt{3}$:4
C.依次落到盤上的速率比為1:$\sqrt{2}$:$\sqrt{3}$:2
D.依次落到盤上的速率比為1:2:3:4

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科目:高中物理 來源: 題型:多選題

14.如圖,A、B分別是甲、乙兩小球從同一地點(diǎn)沿同一直線運(yùn)動(dòng)的v-t圖象,根據(jù)圖象可以判斷( 。
A.兩球在t=4s時(shí)兩小球距離為$\frac{320}{3}$mB.兩球在t=8s時(shí)相距最遠(yuǎn)
C.兩球在t=2s時(shí)速度一樣D.兩球在t=8s時(shí)相遇

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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題

11.在建立“質(zhì)點(diǎn)”這個(gè)概念時(shí),忽略了物體的形狀和大小,物理學(xué)中常應(yīng)用這種突出主要因素,忽略次要因素進(jìn)行研究的方法,這種方法叫做( 。
A.控制變量法B.等效替代法C.理想模型法D.無限逼近法

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科目:高中物理 來源: 題型:多選題

12.物體從離地面45m高處開始做自由落體運(yùn)動(dòng)(g取10m/s2),則下列選項(xiàng)中正確的是(  )
A.物體運(yùn)動(dòng)4s后落地
B.物體落地時(shí)的速度大小為30 m/s
C.物體在落地前最后1 s內(nèi)的位移為25 m
D.物體在整個(gè)下落過程中的平均速度為20 m/s

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