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【題目】2017年6月19日，在中國西昌衛(wèi)星發(fā)射中心由長征三號乙運載火箭發(fā)射升空的“中星9號”剛發(fā)射不久，就因運載火箭出現(xiàn)異常狀況，沒有到達目標軌道。然而這顆“被丟在半路”的衛(wèi)星并沒有被中國科研人員放棄，在地面遙控指揮下，衛(wèi)星依靠自身的燃料在太空中用了16天獨自爬升2萬公里，終于到達預定軌道。從此，這顆衛(wèi)星被網友親切地稱為“星堅強”。假設“星堅強”在地球上空某高度處做圓周運動，運行速度為v1。若它需要進入更高軌道才能到達預定軌道，預定軌道上衛(wèi)星的運行速度為v2。對這一變軌過程及變軌前后的速度對比正確的是

A. 發(fā)動機向后噴氣進入高軌道，v1>v2

B. 發(fā)動機向后噴氣進入高軌道，v1<v2

C. 發(fā)動機向前噴氣進入高軌道，v1>v2

D. 發(fā)動機向前噴氣進入高軌道，v1<v2

【答案】A

【解析】要使衛(wèi)星進入高軌道，必須讓發(fā)動機向后噴氣才能完成，根據(jù)，則可知，因高軌道半徑較大，則v1>v2，故選A.

練習冊系列答案
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科目：高中物理 來源： 題型：

【題目】把火星和地球繞太陽運行的軌道視為圓周。由火星和地球繞太陽運行的周期之比可求得

A. 火星和地球繞太陽運行的軌道半徑之比 B. 火星和地球的質量之比

C. 火星和地球的密度之比 D. 火星和地球所受太陽的萬有引力之比

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科目：高中物理 來源： 題型：

【題目】圖甲所示是某磁敏電阻在室溫下的電阻RB隨磁感應強度B變化的特性曲線，其中，在0.4T≤B≤1.2T的范圍內，圖線為直線。測試時，磁敏電阻的軸向方向與磁場方向垂直。

(1)試結合圖甲，寫出在0.4T≤B≤1.2T的范圍內，RB隨B變化的關系式：RB=________kΩ。

(2)某同學想利用該磁敏電阻去測量某磁場的磁感應強度B，他找到了如圖乙所示的器材，并連好部分導線。

①該同學所選器材的規(guī)格為：電源(電動勢3V，內阻不計)；磁敏電阻(無磁場時的阻值R0=250Ω)；滑動變阻器(最大電阻約10Ω)；電流表(量程2.5mA，內阻約10Ω)；電壓表(量程3V，內阻約3kΩ)。

請在答題卡對應的圖乙中添加連接導線_______________ ，使磁敏電阻接入電路，并能在實驗中，調節(jié)滑動變阻器滑片時得到如下表所示的數(shù)據(jù)：

②忽略電路中電流產生的磁場，根據(jù)表中數(shù)據(jù)和上述信息，求出所測磁場的磁感應強度B的大小為_________T。(取一位有效數(shù)字)

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科目：高中物理 來源： 題型：

【題目】如圖所示，傾角為 的足夠長光滑、固定斜面的底端有一垂直斜面的擋板，A、B兩物體質量均為m，通過勁度系數(shù)為k的輕質彈簧相連放在斜面上，開始時兩者都處于靜止狀態(tài)，現(xiàn)對A施加一沿斜面向上的恒力F=2 μmgsinθ(g為重力加速度)，經過作用時間t，B剛好離開擋板，若不計空氣阻力，求：

(1)剛施加力F的瞬間，A的加速度大小；

(2)B剛離開擋板時，A的速度大小；

(3)在時間!內，彈簧的彈力對A的沖量IA。

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科目：高中物理 來源： 題型：

【題目】氣體溫度計結構如圖所示。玻璃測溫泡A內充有理想氣體,通過細玻璃管B和水銀壓強計相連。開始時A處于冰水混合物中,左管C中水銀面在O點處,右管D中水銀面高出O點h1=14cm,后將A放入待測恒溫槽中,上下移動D,使C中水銀面仍在O點處,測得D中水銀面高出O點h2=44cm。(已知外界大氣壓為標準大氣壓,標準大氣壓相當于76cm高水銀柱產生的壓強)

(1)求恒溫槽的溫度______________。

(2)此過程A內氣體內能______________(選填“增大”或“減小”),氣體不對外做功,氣體將________________(選填“吸熱”或“放熱”)。

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科目：高中物理 來源： 題型：

【題目】電荷的定向移動形成電流，電流是物理量中的基本量之一。電流載體稱為載流子，大自然有很多種承載電荷的載流子，例如，金屬導體內可自由移動的電子、電解液內的離子、等離子體內的正負離子，半導體中的空穴，這些載流子的定向移動，都可形成電流。

（1）電子繞氫原子核做圓周運動時，可等效為環(huán)形電流，已知靜電力常量為k，電子的電荷量為e，質量為m，電子在半徑為r的軌道上做圓周運動。試計算電子繞氫原子核在該軌道上做圓周運動形成的等效電流大��；

（2）如圖，AD表示一段粗細均勻的一段導體，兩端加一定的電壓，導體中的自由電荷沿導體定向移動的速率為v，設導體的橫截面積為s，導體每單位體積內的自由電荷數(shù)為n，每個自由電荷所帶的電荷量為e．試證明導體中電流強度I=nesv；

（3）有一圓柱形的純凈半導體硅，其橫截面積為2.5cm2，通有電流2mA時，其內自由電子定向移動的平均速率為7.5×10-5m/s，空穴定向移動的平均速率為2.5×10-5m/s。已知硅的密度2.4×103kg/m3，摩爾質量是28。電子的電荷量e=－1.6×10-19C，空穴和電子總是成對出現(xiàn)，它們所帶電荷量相等，但電性相反，阿伏伽德羅常數(shù)為N0=6.02×1023mol-1。若一個硅原子至多只釋放一個自由電子，試估算此半導體材料平均多少個硅原子才有一個硅原子釋放出自由電子？

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科目：高中物理 來源： 題型：

【題目】如圖所示，粗糙水平地面上的長方體物塊將一重為G的光滑圓球抵在光滑豎直的墻壁上，現(xiàn)用水平向右的拉力F緩慢拉動長方體物塊，在圓球與地面接觸之前，下面的相關判斷正確的是（　�。�

A. 球對墻壁的壓力逐漸減小 B. 地面對長方體物塊的支持力逐漸增大

C. 地面對長方體物塊的摩擦力逐漸增大 D. 水平拉力F逐漸減小

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科目：高中物理 來源： 題型：

【題目】一列沿x軸正方向傳播的簡譜橫波在t=0時刻的波形如圖所示，質點P的x坐標為3m。已知任意振動質點連續(xù)2次經過平衡位置的時間間隔為0.4s。下列說法正確的是____________

A. 波速為10m/s

B.波的頻率為1.25Hz

C.x坐標為15m的質點在t=0.2s時恰好位于波谷

D.x坐標為17m的質點與質點P的振動始終相反

E.x的坐標為22m的質點在t=0.2s時恰好位于波谷

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科目：高中物理 來源： 題型：

【題目】如圖所示，在勻強磁場的上方有一半徑為R、質量為m的導體圓環(huán)，圓環(huán)的圓心距離勻強磁場上邊界的距離為h。將圓環(huán)靜止釋放，圓環(huán)剛進入磁場的瞬間和完全進入磁場的瞬間，速度均為v。已知圓環(huán)的電阻為r，勻強磁場的磁感應強度大小為B，重力加速度為g。下列說法正確的是

A. 圓環(huán)進入磁場的過程中，圓環(huán)的右端電勢高

B. 圓環(huán)進入磁場的過程做的是勻速直線運動

C. 圓環(huán)進入磁場的過程中，通過導體某個橫截面的電荷量為

D. 圓環(huán)進入磁場的過程中，電阻產生的熱量為2mgR

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