如圖甲所示，bacd為導(dǎo)體做成的框架，其平面與水平面成θ角，質(zhì)量為m的導(dǎo)體棒PQ與ab、cd接觸良好，回路的電阻為R，整個(gè)裝置放于垂直框架平面的變化磁場中，磁感應(yīng)強(qiáng)度B的變化情況如圖乙所示，PQ能夠始終保持靜止，則0～t2時(shí)間內(nèi)，PQ受到的安培力F和摩擦力f隨時(shí)間變化的圖像可能正確的是(取平行斜面向上為正方向)

 

【答案】

BCD

【解析】0～t1時(shí)間內(nèi)穿過閉合線圈的磁通量減小，安培力的效果總是阻礙磁通量的變化，所以安培力方向沿斜面向上，由于磁感強(qiáng)度均勻變化，由法拉第電磁感應(yīng)定律可知產(chǎn)生的感應(yīng)電流恒定不變，由安培力公式BIL可知安培力逐漸減小，同理可判斷t1～t2時(shí)間內(nèi)的安培力變化情況，B對(duì)；靜摩擦力大小等于安培力與重力沿斜面向下的分力的合力，由于不知安培力與重力大小關(guān)系，所以靜摩擦力方向無法判斷，但安培力均勻變化所以靜摩擦力也均勻變化，CD正確

 

練習(xí)冊(cè)系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目：高中物理 來源： 題型：

如圖甲所示，bacd為導(dǎo)體做成的框架，其平面與水平面成θ角，質(zhì)量為m的導(dǎo)體棒PQ與ab、cd接觸良好，回路的電阻為R，整個(gè)裝置放于垂直框架平面的變化磁場中，磁感應(yīng)強(qiáng)度B的變化情況如圖乙所示，PQ能夠始終保持靜止．試畫出0～t2時(shí)間內(nèi)PQ受到的安培力F隨時(shí)間變化的圖象（取沿斜面向上為正方向）．
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科目：高中物理 來源：2012屆江西省高二下學(xué)期第一次月考物理卷（普） 題型：選擇題

如圖甲所示，bacd為用導(dǎo)體做成的框架，其平面與水平面成角，質(zhì)量為m的導(dǎo)體棒PQ與ab、cd接觸良好，回路的電阻為R，整個(gè)裝置放在垂直于框架平面的變化的磁場中，磁感應(yīng)強(qiáng)度B的變化情況如圖乙所示，PQ始終靜止，則在0~t2 s內(nèi)（t=0時(shí)刻，安培力大于mgsin），對(duì)PQ受到的摩擦力F的分析正確的是

A.F先減小后增大，且在t1時(shí)刻為零

B.F先減小后增大，且在t1時(shí)刻F=mgsin

C.F先增大后減小，且在時(shí)刻為最大值

D.F先增大后減小，且在t1時(shí)刻F=mgsin

 

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科目：高中物理 來源：2013年高考物理復(fù)習(xí)卷C（九）（解析版） 題型：解答題

如圖甲所示，bacd為導(dǎo)體做成的框架，其平面與水平面成θ角，質(zhì)量為m的導(dǎo)體棒PQ與ab、cd接觸良好，回路的電阻為R，整個(gè)裝置放于垂直框架平面的變化磁場中，磁感應(yīng)強(qiáng)度B的變化情況如圖乙所示，PQ能夠始終保持靜止．試畫出0～t2時(shí)間內(nèi)PQ受到的安培力F隨時(shí)間變化的圖象（取沿斜面向上為正方向）．

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科目：高中物理 來源：專項(xiàng)題 題型：不定項(xiàng)選擇

如圖甲所示，bacd為導(dǎo)體做成的框架，其平面與水平面成θ角，質(zhì)量為m的導(dǎo)體棒PQ與ab、cd接觸良好，回路的電阻為R，整個(gè)裝置放于垂直框架平面的變化磁場中，磁感應(yīng)強(qiáng)度B的變化情況如圖乙所示，PQ能夠始終保持靜止，則0～t2時(shí)間內(nèi)，PQ受到的安培力F和摩擦力f隨時(shí)間變化的圖像一定錯(cuò)誤的是(取平行斜面向上為正方向)
[     ]
A、
B、
C、
D、

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