如圖a所示在光滑水平面上用恒力F拉質(zhì)量m的單匝均勻正方形銅線框，邊長(zhǎng)為a，在1位置以速度v0進(jìn)入磁感應(yīng)強(qiáng)度為B的勻強(qiáng)磁場(chǎng)并開始計(jì)時(shí)t=0，若磁場(chǎng)的寬度為b(b>3a)，在3t0時(shí)刻線框到達(dá)2位置速度又為v0并開始離開勻強(qiáng)磁場(chǎng)。此過程中v-t圖象如圖b所示，則

A. t=0時(shí)，線框右側(cè)邊MN的兩端電壓為Bav0

B. 在t0時(shí)刻線框的速度為v0－2F t0/m

C．線框完全離開磁場(chǎng)的瞬間位置3速度一定比t0時(shí)刻線框的速度大

D. 線框從1位置進(jìn)入磁場(chǎng)到完全離開磁場(chǎng)位置3過程中，線框中產(chǎn)生的電熱為2Fb

 

【答案】

BD

【解析】略

 

練習(xí)冊(cè)系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目：高中物理 來源： 題型：

精英家教網(wǎng)如圖a所示在光滑水平面上用恒力F拉質(zhì)量m的單匝均勻正方形銅線框，在1位置以速度v0進(jìn)入勻強(qiáng)磁場(chǎng)時(shí)開始計(jì)時(shí)t=0，此時(shí)線框中感應(yīng)電動(dòng)勢(shì)為E，則線框右側(cè)邊的兩端MN間電壓為
 
．在3t0時(shí)刻線框到達(dá)2位置開始離開勻強(qiáng)磁場(chǎng)．此過程中v-t圖象如圖b所示，線框完全離開磁場(chǎng)的瞬間位置3速度為
 
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科目：高中物理 來源：河南五校2010屆高三模擬聯(lián)考理綜試題（物理） 題型：單選題

如圖a所示在光滑水平面上用恒力F拉質(zhì)量m的單匝均勻正方形銅線框，邊長(zhǎng)為a，在1位置以速度v0進(jìn)入磁感應(yīng)強(qiáng)度為B的勻強(qiáng)磁場(chǎng)并開始計(jì)時(shí)t=0，若磁場(chǎng)的寬度為b(b>3a)，在3t0時(shí)刻線框到達(dá)2位置速度又為v0并開始離開勻強(qiáng)磁場(chǎng)。此過程中v-t圖象如圖b所示，則

A. t=0時(shí)，線框右側(cè)邊MN的兩端電壓為Bav0
B. 在t0時(shí)刻線框的速度為v0－2F t0/m
線框完全離開磁場(chǎng)的瞬間位置3速度一定比t0時(shí)刻線框的速度大
D. 線框從1位置進(jìn)入磁場(chǎng)到完全離開磁場(chǎng)位置3過程中，線框中產(chǎn)生的電熱為2Fb

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科目：高中物理 來源：不詳 題型：填空題

如圖a所示在光滑水平面上用恒力F拉質(zhì)量m的單匝均勻正方形銅線框，在1位置以速度v0進(jìn)入勻強(qiáng)磁場(chǎng)時(shí)開始計(jì)時(shí)t=0，此時(shí)線框中感應(yīng)電動(dòng)勢(shì)為E，則線框右側(cè)邊的兩端MN間電壓為______．在3t0時(shí)刻線框到達(dá)2位置開始離開勻強(qiáng)磁場(chǎng)．此過程中v-t圖象如圖b所示，線框完全離開磁場(chǎng)的瞬間位置3速度為______．
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科目：高中物理 來源：2009年上海市虹口區(qū)高考物理二模試卷（解析版） 題型：填空題

如圖a所示在光滑水平面上用恒力F拉質(zhì)量m的單匝均勻正方形銅線框，在1位置以速度v進(jìn)入勻強(qiáng)磁場(chǎng)時(shí)開始計(jì)時(shí)t=0，此時(shí)線框中感應(yīng)電動(dòng)勢(shì)為E，則線框右側(cè)邊的兩端MN間電壓為    ．在3t時(shí)刻線框到達(dá)2位置開始離開勻強(qiáng)磁場(chǎng)．此過程中v-t圖象如圖b所示，線框完全離開磁場(chǎng)的瞬間位置3速度為    ．

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