關(guān)于導(dǎo)體和半導(dǎo)體，下列說法正確的是(     )

    A.導(dǎo)體的電阻隨溫度的升高而增大

    B.半導(dǎo)體的電阻隨溫度的升高而增大

    C.純金屬的電阻率大，合金的電阻率小

    D.純凈半導(dǎo)體的導(dǎo)電性差，摻入雜質(zhì)后的導(dǎo)電性能增強(qiáng)

   

解析：導(dǎo)體的電阻隨溫度的升高而增大，半導(dǎo)體的電阻隨溫度的升高而減小，純金屬的電阻率小，合金的電阻率大，純凈半導(dǎo)體的導(dǎo)電性差，摻入雜質(zhì)后的導(dǎo)電性能增強(qiáng)，這正是半導(dǎo)體的摻雜特性.

答案：AD

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相關(guān)習(xí)題

科目：高中物理 來源： 題型：

精英家教網(wǎng)半導(dǎo)體中參與導(dǎo)電的電流載體稱為載流子．N型半導(dǎo)體的載流子是帶負(fù)電的電子，P型半導(dǎo)體的載流子是帶正電的“空穴”，如圖所示，一塊厚度為d、寬度為L(zhǎng)的長(zhǎng)方形半導(dǎo)體樣品，置于方向如圖所示、磁感應(yīng)強(qiáng)度大小為B的勻強(qiáng)磁場(chǎng)中，當(dāng)半導(dǎo)體樣品中通以向右的電流強(qiáng)度為I的恒定電流時(shí)，樣品上、下底面出現(xiàn)恒定電勢(shì)差U，且上表面帶正電、下表面帶負(fù)電．設(shè)半導(dǎo)體樣品中每個(gè)載流子帶電荷量為q，半導(dǎo)體樣品中載流子的密度（單位體積內(nèi)載流子的個(gè)數(shù)）用n表示（已知電流I=nqvS，其中v為載流子定向移動(dòng)的速度，S為導(dǎo)體橫截面積），則下列關(guān)于樣品材料類型的判斷和其中載流子密度n大小的表達(dá)式正確的是
（　　）
A、是N型半導(dǎo)體，n=
BI
qdU
B、是P型半導(dǎo)體，n=
BI
qdU
C、是N型半導(dǎo)體，n=
BI
qLU
D、是P型半導(dǎo)體，n=
BI
qLU

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科目：高中物理 來源：2015屆重慶八中高二上期中考試物理試卷（解析版） 題型：選擇題

半導(dǎo)體中參與導(dǎo)電的電流載體稱為載流子。N型半導(dǎo)體的載流子是帶負(fù)電的電子，P型半導(dǎo)體的載流子是帶正電的“空穴”，如圖所示，一塊厚度為d、寬度為L(zhǎng)的長(zhǎng)方形半導(dǎo)體樣品，置于方向如圖所示、磁感應(yīng)強(qiáng)度大小為B的勻強(qiáng)磁場(chǎng)中，當(dāng)半導(dǎo)體樣品中通以向右的電流強(qiáng)度為I的恒定電流時(shí)，樣品上、下底面出現(xiàn)恒定電勢(shì)差U，且上表面帶正電、下表面帶負(fù)電。設(shè)半導(dǎo)體樣品中每個(gè)載流子帶電荷量為q，半導(dǎo)體樣品中載流子的密度（單位體積內(nèi)載流子的個(gè)數(shù)）用n表示（已知電流I=nqvS，其中v為載流子定向移動(dòng)的速度，S為導(dǎo)體橫截面積），則下列關(guān)于樣品材料類型的判斷和其中載流子密度n大小的表達(dá)式正確的是（    ）

A.是N型半導(dǎo)體，

B.是P型半導(dǎo)體 ，

C.是N型半導(dǎo)體 ，

D.是P型半導(dǎo)體 ，

 

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科目：高中物理 來源： 題型：

半導(dǎo)體材料在日常生活和工農(nóng)業(yè)生產(chǎn)中應(yīng)用越來越普遍，下列關(guān)于半導(dǎo)體材料的說法中，正確的是

A．半導(dǎo)體的導(dǎo)電能力比導(dǎo)體的導(dǎo)電能力還強(qiáng)

B．半導(dǎo)體的導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體和絕緣體之間

C．熱敏電阻的電阻值隨溫度的升高迅速增大

D．光敏電阻的電阻值在光照下大大增大

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