半導體材料導電性能受光照影響較大，當光照增強時，其導電性能大幅度提高，表現(xiàn)為電阻減小，因而可用來制作成光敏電阻將光信號轉(zhuǎn)化為電信號。如圖所示，R1、R2為定值電阻，L為小燈泡，R3為光敏電阻，當照射光強度增大時

A．電壓表示數(shù)增大B．R2中電流增大
C．小燈泡L的功率增大D．電路中路端電壓降低

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半導體材料導電性能受光照影響較大，當光照增強時，其導電性能大幅度提高，表現(xiàn)為電阻減小，因而可用來制作成光敏電阻將光信號轉(zhuǎn)化為電信號．如圖所示，R1、R2為定值電阻，L為小燈泡，R3為光敏電阻，當照射光強度增大時

A．電壓表示數(shù)增大

B．R2中電流增大

C．小燈泡L的功率增大

D．電路中路端電壓降低

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半導體材料導電性能受光照影響較大，當光照增強時，其導電性能大幅度提高，表現(xiàn)為電阻減小，因而可用來制作成光敏電阻將光信號轉(zhuǎn)化為電信號。如圖所示，R1、R2為定值電阻，L為小燈泡，R3為光敏電阻，當照射光強度增大時

A．電壓表示數(shù)增大       B．R2中電流增大

C．小燈泡L的功率增大   D．電路中路端電壓降低

 

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科目：高中物理 來源： 題型：多選題

半導體材料導電性能受光照影響較大，當光照增強時，其導電性能大幅度提高，表現(xiàn)為電阻減小，因而可用來制作成光敏電阻將光信號轉(zhuǎn)化為電信號。如圖所示，R1、R2為定值電阻，L為小燈泡，R3為光敏電阻，當照射光強度增大時


  1. A.
    電壓表示數(shù)增大
  2. B.
    R2中電流增大
  3. C.
    小燈泡L的功率增大
  4. D.
    電路中路端電壓降低

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