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科目:高中物理 來源: 題型:
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科目:高中物理 來源: 題型:
如圖所示,有理想邊界的兩個勻強磁場,磁感應強度B=0.5T,兩邊界間距s=0.1m.一邊長 L=0.2m的正方形線框abcd由粗細均勻的電阻絲圍成,總電阻R=0.4Ω,F(xiàn)使線框以v=2m/s的速度從位置I勻速運動到位置Ⅱ。
1.求cd邊未進入右方磁場時線框所受安培力的大。
2.求整個過程中線框所產生的焦耳熱.
3.在坐標圖中畫出整個過程中線框a、b兩點的電勢差Uab隨時間t變化的圖線.
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科目:高中物理 來源:2011-2012學年度江蘇省啟東中學高三上學期第二次月考物理卷 題型:計算題
如圖所示,有理想邊界的兩個勻強磁場,磁感應強度B=0.5T,兩邊界間距s=0.1m.一邊長 L=0.2m的正方形線框abcd由粗細均勻的電阻絲圍成,總電阻R=0.4Ω,F(xiàn)使線框以v=2m/s的速度從位置I勻速運動到位置Ⅱ。
【小題1】求cd邊未進入右方磁場時線框所受安培力的大。
【小題2】求整個過程中線框所產生的焦耳熱.
【小題3】在坐標圖中畫出整個過程中線框a、b兩點的電勢差Uab隨時間t變化的圖線.
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科目:高中物理 來源:2012屆度江蘇省高三上學期第二次月考物理卷 題型:計算題
如圖所示,有理想邊界的兩個勻強磁場,磁感應強度B=0.5T,兩邊界間距s=0.1m.一邊長 L=0.2m的正方形線框abcd由粗細均勻的電阻絲圍成,總電阻R=0.4Ω,F(xiàn)使線框以v=2m/s的速度從位置I勻速運動到位置Ⅱ。
1.求cd邊未進入右方磁場時線框所受安培力的大小.
2.求整個過程中線框所產生的焦耳熱.
3.在坐標圖中畫出整個過程中線框a、b兩點的電勢差Uab隨時間t變化的圖線.
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