(2009?黃州區(qū)模擬)用如圖電路可研究光電效應(yīng)規(guī)律.圖中標(biāo)有A和K的為光電管,其中A為陰極,受光照射時(shí)可產(chǎn)生光電效應(yīng)現(xiàn)象,K為陽極.理想電流計(jì)可檢測通過光電管的電流,理想電壓表.用來指示光電管兩端電壓.現(xiàn)接通電源,用光子能量為10.5eV的光照射陰極A,電流計(jì)中有讀數(shù),若將滑線變阻器的滑片P緩慢向右滑動(dòng),電流計(jì)的讀數(shù)逐漸減小,當(dāng)滑至某一位置時(shí)電流計(jì)的讀數(shù)恰好為0,讀出此時(shí)電壓表的示數(shù)為6.0V;現(xiàn)保持滑片P的位置不變,改用光子能量為12eV的光照射陰極A,以下判斷正確的是(  )
分析:圖示電路所加的電壓為反向電壓,當(dāng)電流計(jì)的讀數(shù)恰好為零時(shí),根據(jù)動(dòng)能定理可以求出光電子的最大初動(dòng)能,通過光電效應(yīng)方程可以求出逸出功的大。
解答:解:A、電流計(jì)的讀數(shù)恰好為零,此時(shí)電壓表的示數(shù)為6.0V,根據(jù)動(dòng)能定理得,eU=EKm=6eV.再根據(jù)光電效應(yīng)方程知W0=hγ-EKm=10.5-6=4.5eV.故A正確.
B、光電效應(yīng)的產(chǎn)生的最大初動(dòng)能與入射光的強(qiáng)度無關(guān),與入射光的頻率有關(guān),因此電流計(jì)的讀數(shù)不為零.故B錯(cuò)誤.
C、增大入射光的光子能量,根據(jù)光電效應(yīng)方程知,光電子的最大初動(dòng)能變大.故C正確.
D、若用光子能量為9.5eV的光照射陰極A,能發(fā)生光電效應(yīng),但是把滑片P向左移動(dòng)少許,電流計(jì)的讀數(shù)不一定不為零.故D錯(cuò)誤.
故選AC.
點(diǎn)評(píng):本題考查了光電效應(yīng)現(xiàn)象與規(guī)律等基礎(chǔ)知識(shí),比較簡單,關(guān)鍵掌握這些知識(shí)點(diǎn)的基本概念和基本規(guī)律.
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(2009?黃州區(qū)模擬)光滑絕緣細(xì)桿與水平面成θ角固定,桿上套有一帶正電小球,質(zhì)量為m,帶電量為q.為使小球靜止在桿上,可加一勻強(qiáng)電場.所加電場的場強(qiáng)滿足什么條件時(shí),小球可在桿上保持靜止( 。

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(2009?黃州區(qū)模擬)如圖所示,光滑水平面上,質(zhì)量為m的小球A和質(zhì)量為
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m的小球B通過輕質(zhì)彈簧相連并處于靜止?fàn)顟B(tài),彈簧處于自由伸長狀態(tài);質(zhì)量為m的小球C以初速度v0沿AB連線向右勻速運(yùn)動(dòng),并與小球A發(fā)生彈性正碰.在小球B的右側(cè)某位置固定一塊彈性擋板(圖中未畫出),當(dāng)小球B與擋板發(fā)生正碰后立刻將擋板撤走,不計(jì)所有碰撞過程中的機(jī)械能損失,彈簧始終處于彈性限度以內(nèi),小球B與固定擋板的碰撞時(shí)間極短,碰后小球B的速度大小不變,但方向相反,則B與擋板碰后彈簧彈性勢能的最大值Em可能是( 。

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(2009?黃州區(qū)模擬)2008年北京奧運(yùn)會(huì)場館設(shè)施采用很多太陽能技術(shù).太陽的能量來源于氫核的聚變,每次聚變反應(yīng)可以看作是4個(gè)氫核結(jié)合成l個(gè)氦核,同時(shí)放出正電子.已知?dú)浜说馁|(zhì)量為mp,氦核的質(zhì)量為mα,正電子的質(zhì)量為me,真空中光速為c,下列關(guān)于氫核聚變的說法正確的是( 。

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(2009?黃州區(qū)模擬)如圖所示,有一與豎直方向夾角為45°的直線邊界,其左下方有一正交的勻強(qiáng)電磁場.磁場方向垂直于紙面向里,磁感應(yīng)強(qiáng)度大小為B;電場方向豎直向上,場強(qiáng)大小為E=mg/q.一質(zhì)量為m,電荷量為+q的小球從邊界上N點(diǎn)正上方高為h處的M點(diǎn)靜止釋放,下落到N點(diǎn)時(shí)小球瞬間爆炸成質(zhì)量、電荷量均相等的A、B兩塊.已知爆炸后A向上運(yùn)動(dòng),能達(dá)到的最大高度為4h;B向下運(yùn)動(dòng)進(jìn)入電磁場區(qū)域.此后A也將進(jìn)入電磁場區(qū)域,求:
(1)B剛進(jìn)入電磁場區(qū)域的速度vB1;
(2)B第二次進(jìn)入電磁場區(qū)域的速度vB2
(3)設(shè)B、A第二次進(jìn)入電磁場時(shí),與邊界OO'交點(diǎn)分別為P、Q,求PQ之間的距離.

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