在圖24－3所示的電路中，C1＝200 pH，L1＝40 μH，L2＝160 μH，怎樣才能使回路2與回路1發(fā)生電諧振？發(fā)生電諧振的頻率是多少？

圖24－3

 

【答案】

改變可變電容器C2的電容，使得C2為50 pF　1.78 MHz

【解析】由于諧振時兩電路的固有頻率相同。為使回路發(fā)生電諧振，可以改變可變電容器C2，使?jié)M足條件f2＝f1，即＝

C2＝＝ pF＝50 pF。

發(fā)生電諧振時的頻率

f＝＝1.78×106 Hz＝1.78 MHz。

思路分析：根據(jù)LC振蕩電路頻率的計算公式，固有頻率相同即可發(fā)生電諧振，解出電容器的電容和固有頻率。

試題點評：考查學生對電磁振蕩電路的頻率計算公式的掌握。

 

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相關習題

科目：高中物理 來源： 題型：

（2011?長寧區(qū)一模）發(fā)光晶體二極管是用電器上做指示燈用的一種電子元件．它的電路符號如圖（甲）所示，正常使用時，帶“+”號的一端接高電勢，帶“-”的一端接低電勢．某同學用滑動變阻器改變阻值的方法用伏特表和毫安電流表測得二極管兩端的電壓UD和通過它的電流I的數(shù)據(jù)，并記錄在下表中：
UD/V 0 0.4 0.8 1.2 1.6 2.0 2.4 2.6 2.8 3.0
I/mA 0 0.9 2.3 4.3 6.8 13.0 19.0 24.0 25.8 37.0
要求：
①在圖（乙）中的虛線內(nèi)畫出該同學的實驗電路圖；
②在圖（丙）中的小方格紙上用描點法畫出二極管的伏安特性曲線，并判斷該二極管的電阻隨所加電壓的變化怎樣變化；
③已知該發(fā)光二極管的最佳工作電壓為2.5V，現(xiàn)用5V穩(wěn)壓電源供電，需要串聯(lián)一個電阻R才能使二極管工作在最佳狀態(tài)，試運用伏安特性曲線計算R的阻值（取整數(shù)）．

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科目：高中物理 來源： 題型：

（2010?楊浦區(qū)一模）發(fā)光晶體二極管是用電器上做指示燈用的一種電子元件．它的電路符號如圖（甲）所示，正常使用時，帶“+”號的一端接高電勢，帶“-”的一端接低電勢．某同學用實驗的方法測得它兩端的電壓U和通過它的電流I的關系數(shù)據(jù)如表中所示．
U/V 0 0.4 0.8 1.2 1.6 2.0 2.4 2.6 2.8 3.0
I/mA 0 0.9 2.3 4.3 6.8 13.0 19.0 24.0 30.0 37.0

①在圖（乙）中的虛線內(nèi)畫出該同學的實驗電路圖．（實驗用電壓表V：內(nèi)組RV約為10kΩ，電流表mA：內(nèi)阻RmA約為100Ω）
②在圖（丙）中的小方格紙上用描點法畫出二極管的伏安特性曲線．
③若發(fā)光二極管的最佳工作電壓為2.0V，而電源是由內(nèi)阻不計、電動勢為3V的供電系統(tǒng)提供的．請根據(jù)所畫出的伏安特性曲線上的信息，分析應該串聯(lián)一個阻值多大的電阻再與電源接成閉合電路，才能使二極管工作在最佳狀態(tài)？（結果保留二位有效數(shù)字）

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科目：高中物理 來源： 題型：

硅光電池在無光照時不產(chǎn)生電能，可視為一電子元件．某實驗小組設計如圖甲電路，給硅光電池加反向電壓（硅光電池負極接高電勢點，正極接低電勢點），探究其在無光照時的反向伏安特性．圖中電壓表的V1量程選用3V，內(nèi)阻為6.0kΩ；電壓表V2量程選用15V，內(nèi)阻約為30kΩ；R0為保護電阻；直流電源電動勢E約為12V，內(nèi)阻不計．
①根據(jù)圖甲，用筆畫線代替導線，將圖乙連接成完整電路．
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②用遮光罩罩住硅光電池，閉合開關S，調(diào)節(jié)變阻器R，讀出電壓表V1、V2的示教U1、U2．
（ⅰ）某次測量時，電壓表V1示數(shù)如圖丙，則U1=
 
V，可算出通過硅光電他的反向電流大小為
 
mA（保留兩位小數(shù)）．
（ⅱ）該小組測出大量數(shù)據(jù)，篩選出下表所示的9組U1、U2數(shù)據(jù)，算出相應的硅光電池兩端反向電壓UX 和通過反向電流IX（表中“-”表示反向），并在坐標紙上建立Ix-Ux坐標系，標出了與表中前5組Ux、ix數(shù)據(jù)對應的5個坐標點．請你標出余下的4個坐標點，并繪出Ix-Ux圖線．精英家教網(wǎng)
1 2 3 4 5 6 7 8 9
U1/V 0.00 0.00 0.06 0.12 0.24 0.42 0.72 1.14 1.74
U1/V 0.0 1.0 2.1 3.1 4.2 5.4 6.7 8.1 9.7
Ux/V 0.0 -1.0 -2.0 -3.0 -4.0 -5.0 -6.0 -7.0 -8.0
Ix/mA -0.00 -0.00 -0.01 -0.02 -0.04 -0.07 -0.12 -0.19 -0.29
（ⅲ）由Ix-Ux圖線可知，硅光電池無光照下加反向電壓時，Ix與Ux成
 
（填“線性”或“非線性”）關系．

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科目：高中物理 來源： 題型：閱讀理解

2007年諾貝爾物理學獎予了兩位發(fā)現(xiàn)“巨磁電阻”效應的物理學家．材料的電阻隨磁場的增強而增大的現(xiàn)象稱為磁阻效應，利用這種效應可以測量磁感應強度．若圖10—24為某磁敏電阻在室溫下的電阻—磁感應強度特性曲線，其中RB、Ro分別表示有、無磁場時磁敏電阻的阻值．為了測量磁感應強度B，需先測量磁敏電阻處于磁場中的電阻值RB．請按要求完成下列實驗．

(1)設計一個可以測量磁場中該磁敏電阻阻值的電路，在圖10—25的虛線框內(nèi)畫出實驗電路原理圖(磁敏電阻及所處磁場已給出，待測磁場磁感應強度大小約為0.6～1.0T，不考慮磁場對電路其他部分的影響)．要求誤差較�。�

提供的器材如下：

A．磁敏電阻，無磁場時阻值Ro=150Ω

B．滑動變阻器R，全電阻約20Ω

C．電流表A，量程2.5mA，內(nèi)阻約為30Ω

D．電壓表V，量程3V，內(nèi)阻約3kΩ

E．直流電源E，電動勢3V，內(nèi)阻不計

F．開關S，導線若干

(2)正確接線后，將磁敏電阻置入待測磁場中，測量數(shù)據(jù)如下表：

1

2

3

4

5

6

U(V)

0.00

0.45

0.91

1.50

1.79

2.7l

I(mA)

0.00

0.30

0.60

1.00

1.20

1.80

根據(jù)上表可求出磁敏電阻的測量值RB=________Ω，結合圖1可知待測磁場的磁感應強度B=________T．

(3)某同學查閱相關資料時看到了圖10—26所示的磁敏電阻在一定溫度下的電阻—磁感應強度特性曲線關于縱軸對稱，由該圖線可以得到什么結論？

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