如圖所示裝置中,區(qū)域Ⅰ和Ⅲ中分別有豎直向上和水平向右的勻強電場,電場強度分別為E和;Ⅱ區(qū)域內(nèi)有垂直向外的水平勻強磁場,磁感應(yīng)強度為B。一質(zhì)量為m、帶電量為q的帶負電粒子(不計重力)從左邊界O點正上方的M點以速度v0水平射入電場,經(jīng)水平分界線OP上的A點與OP成60°角射入Ⅱ區(qū)域的磁場,并垂直豎直邊界CD進入Ⅲ區(qū)域的勻強電場中。求:
(1)粒子在Ⅱ區(qū)域勻強磁場中運動的軌道半徑
(2)O、M間的距離
(3)粒子從M點出發(fā)到第二次通過CD邊界所經(jīng)歷的時間
(1)(2)(3)
解析試題分析:(1)粒子在勻強電場中做類平拋運動,設(shè)粒子過A點時速度為v,
由類平拋規(guī)律知 ①2分
粒子在勻強磁場中做勻速圓周運動,由牛頓第二定律得 ②1分
所以 ③1分
(2)設(shè)粒子在電場中運動時間為t1,加速度為a。則有 ④1分
⑤1分
即 ⑥2分
O、M兩點間的距離為………⑦2分
(3)設(shè)粒子在Ⅱ區(qū)域磁場中運動時間為t2
則由幾何關(guān)系知 ⑧2分
設(shè)粒子在Ⅲ區(qū)域電場中運行時間為t3,
⑨1分
則 ⑩2分
粒子從M點出發(fā)到第二次通過CD邊界所用時間為
2分
考點:考查了帶電粒子在磁場中的偏轉(zhuǎn)
點評:帶電粒子在磁場中的轉(zhuǎn)動,要注意確定圓心和半徑,找出正確的幾何關(guān)系;必要時要注意討論,找出所有的可能情況再做出結(jié)論.
科目:高中物理 來源: 題型:
E | 2 |
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科目:高中物理 來源: 題型:
(2012年2月濟南檢測)如圖所示裝置中,區(qū)域Ⅰ和Ⅲ中分別有豎直向上和水平向右的勻強電場,電場強度分別為E和;Ⅱ區(qū)域內(nèi)有垂直向外的水平勻強磁場,磁感應(yīng)強度為B。一質(zhì)量為m、帶電量為q的帶負電粒子(不計重力)從左邊界O點正上方的M點以速度v0水平射入電場,經(jīng)水平分界線OP上的A點與OP成60°角射入Ⅱ區(qū)域的磁場,并垂直豎直邊界CD進入Ⅲ區(qū)域的勻強電場中。求:
(1)粒子在Ⅱ區(qū)域勻強磁場中運動的軌道半徑。
(2)O、M間的距離。
(3)粒子從M點出發(fā)到第二次通過CD邊界所經(jīng)歷的時間。
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科目:高中物理 來源:2012-2013學(xué)年山東省高三12月月考物理試卷(解析版) 題型:計算題
如圖所示裝置中,區(qū)域Ⅰ和Ⅲ中分別有豎直向上和水平向右的勻強電場,電場強度分別為E和;Ⅱ區(qū)域內(nèi)有垂直向外的水平勻強磁場,磁感應(yīng)強度為B。一質(zhì)量為m、帶電量為q的帶負電粒子(不計重力)從左邊界O點正上方的M點以速度v0水平射入電場,經(jīng)水平分界線OP上的A點與OP成60°角射入Ⅱ區(qū)域的磁場,并垂直豎直邊界CD進入Ⅲ區(qū)域的勻強電場中。求:
(1)粒子在Ⅱ區(qū)域勻強磁場中運動的軌道半徑
(2)O、M間的距離
(3)粒子從M點出發(fā)到第二次通過CD邊界所經(jīng)歷的時間
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科目:高中物理 來源:2012年2月高考模擬優(yōu)化重組專題卷(八)物理卷(解析版) 題型:計算題
(2012年2月濟南檢測)如圖所示裝置中,區(qū)域Ⅰ和Ⅲ中分別有豎直向上和水平向右的勻強電場,電場強度分別為E和;Ⅱ區(qū)域內(nèi)有垂直向外的水平勻強磁場,磁感應(yīng)強度為B。一質(zhì)量為m、帶電量為q的帶負電粒子(不計重力)從左邊界O點正上方的M點以速度v0水平射入電場,經(jīng)水平分界線OP上的A點與OP成60°角射入Ⅱ區(qū)域的磁場,并垂直豎直邊界CD進入Ⅲ區(qū)域的勻強電場中。求:
(1)粒子在Ⅱ區(qū)域勻強磁場中運動的軌道半徑。
(2)O、M間的距離。
(3)粒子從M點出發(fā)到第二次通過CD邊界所經(jīng)歷的時間。
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