如圖所示,在光滑絕緣水平面的P點(diǎn)正上方O點(diǎn)固定了一電荷量為+Q的正點(diǎn)電荷,在水平面上的N點(diǎn),由靜止釋放質(zhì)量為m,電荷量為-q的負(fù)檢驗(yàn)電荷,該檢驗(yàn)電荷經(jīng)過P點(diǎn)時(shí)速度為v,圖中θ=60°,規(guī)定電場(chǎng)中P點(diǎn)的電勢(shì)為零.則在+Q形成的電場(chǎng)中
A.N點(diǎn)電勢(shì)高于P點(diǎn)電勢(shì)
B.N點(diǎn)電勢(shì)為
C.P點(diǎn)電場(chǎng)強(qiáng)度大小是N點(diǎn)的4倍
D.檢驗(yàn)電荷在N點(diǎn)具有的電勢(shì)能為
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2 |
3 |
4L0 |
3 |
qE0 |
m1 |
4v02 |
3L0 |
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A、小球P的帶電量緩慢減小,則它往復(fù)運(yùn)動(dòng)過程中振幅不斷減小 | B、小球P的帶電量緩慢減小,則它往復(fù)運(yùn)動(dòng)過程中每次經(jīng)過O點(diǎn)時(shí)的速率不斷減小 | C、點(diǎn)電荷M、N的帶電量同時(shí)等量地緩慢增大,則小球P往復(fù)運(yùn)動(dòng)過程中周期不斷減小 | D、點(diǎn)電荷M、N的帶電量同時(shí)等量地緩慢增大,則小球P往復(fù)運(yùn)動(dòng)過程中振幅不斷減小 |
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