【題目】如圖所示,AD是固定斜面體底邊BC的高,F、G分別是光滑斜面AB、AC的中點,DE垂直于AB,DH垂直于AC,甲、乙兩個小球(均視為質點)從斜面的頂點A分別沿斜面AB、AC同時由靜止下滑,下列說法正確的是
A. 當甲球運動到E點時,乙球可能運動到AG間某點
B. 當甲球運動到E點時,乙球一定運動到H點
C. 當甲球運動到F點時,乙球一定運動到G點
D. 當甲球運動到F點時,乙球一定運動到H點
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【題目】如圖,POQ是折成60°角的固定于豎直平面內的光滑金屬導軌,導軌關于豎直軸線對稱,OP=OQ=L.整個裝置處在垂直導軌平面向里的足夠大的勻強磁場中,磁感應強度隨時間變化規(guī)律為B=B0-kt(其中k為大于0的常數(shù)).一質量為m、長為L、電阻為R、粗細均勻的導體棒鎖定于OP、OQ的中點a、b位置.當磁感應強度變?yōu)?/span>B0后保持不變,同時將導體棒解除鎖定,導體棒向下運動,離開導軌時的速度為v.導體棒與導軌始終保持良好接觸,導軌電阻不計,重力加速度為g.求導體棒:
(1)解除鎖定前回路中電流的大小及方向;
(2)滑到導軌末端時的加速度大。
(3)運動過程中產生的焦耳熱.
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【題目】細胞膜也稱生物膜或質膜.是由類脂、蛋白質和糖類組成.質膜中的類脂也稱膜脂,是質膜的基本骨架,膜蛋白質是膜功能的主要體現(xiàn)者.如果細胞膜的厚度約等于800 nm(1 nm=10-9 m),當膜的內外層間的電壓達到0.4 V時,即可讓一價鈉離子滲透.設細胞膜內的電場為勻強電場,則鈉離子在滲透時( )
A. 膜內電場強度約為5×105 V/m
B. 膜內電場強度約為2×105 V/m
C. 每個鈉離子沿電場方向透過膜時電場力做功約為6.4×10-20 J
D. 每個鈉離子沿電場方向透過膜時電場力做功約為1.6×10-19 J
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【題目】圖甲中的變壓器為理想變壓器,原線圈匝數(shù)n1與副線圈匝數(shù)n2之比為10∶1,變壓器的原線圈接如圖乙所示的正弦式交流電,電阻R1=R2=R3=20 Ω和電容器連接成如圖甲所示的電路,其
中電容器的擊穿電壓為8 V,電表為理想交流電表,開關S處于斷開狀態(tài),則( )
A.電壓表V的讀數(shù)約為7.07 V
B.電流表A的讀數(shù)為0.05 A
C.變壓器的輸入功率約為7.07 W
D.若閉合開關S,電容器不會被擊穿
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【題目】如圖甲所示,理想變壓器原、副線圈的匝數(shù)比n1∶n2=10∶1,b是原線圈的中心抽頭,S為單刀雙擲開關,定值電阻R=10 Ω.從某時刻開始在原線圈c、d兩端加上如圖乙所示的交變電壓,則下列說法中正確的是( )
A.當S與a連接后,理想電流表的示數(shù)為2.2 A
B.當S與a連接后,t=0.01 s時理想電流表示數(shù)為零
C.當S由a撥到b后,原線圈的輸入功率變?yōu)樵瓉淼?倍
D.當S由a撥到b后,副線圈輸出電壓的頻率變?yōu)?5 Hz
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【題目】下列說法正確的是( )
A.電流的方向就是導體中自由電荷定向移動的方向
B.電流一定是自由電子定向移動形成的
C.有電壓就一定有電流
D.在國際單位制中,電流是一個基本物理量,其單位“安培”是基本單位
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【題目】如圖所示、絕緣光滑水平軌道AB的B端與處于豎直平面內的圓弧形粗糙絕緣軌道BC平滑連接,圓弧的半徑R=0.40m;在軌道所在空間存在水平向右的勻強電場,電場強度E=1.0×104N/C.現(xiàn)有一質量m=0.10kg的帶電體(可視為質點)放在水平軌道上與B端距離s=1.0m的位置,由于受到電場力的作用帶電體由靜止開始運動,當運動到圓弧形軌道的C端時,速度恰好為零.已知帶電體所帶電荷量q=8.0×10-5C,求:
(1)帶電體運動到圓弧形軌道的B端時對圓弧軌道的壓力;
(2)帶電體沿圓弧形軌道從B端運動到C端的過程中,摩擦力做的功。
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【題目】如圖所示,一個滑塊質量為2kg,從斜面上A點由靜止下滑,經過BC平面又沖上另一斜面到達最高點D。已知AB=100cm,CD=60cm,∠α=30°,∠β=37°,(g取10m/s2)。已知AB、CD均光滑,只有BC面粗糙且BC面上各處粗糙程度相同,BC=28cm。試求:(sin37°=0.6,cos37°=0.8)
(1)滑塊在A和D點所具有的重力勢能分別是多少?(以BC面為零勢面)
(2)滑塊與BC面的動摩擦因數(shù)。
(3)滑塊最終停在BC面上的位置距離B點多遠?
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【題目】如圖甲所示,在某介質中波源A、B相距d=20 m,t=0時兩者開始上下振動,A只振動了半個周期,B連續(xù)振動,所形成的波的傳播速度都為v=1.0 m/s,開始階段兩波源的振動圖象如圖乙所示.
(1)求距A點1 m處的P質點,在t=0到t=22 s內所經過的路程.
(2)求在t=0到t=16 s內從A發(fā)出的半個波前進過程中所遇到的波峰個數(shù).
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