如圖所示,abcd為一個(gè)閉合矩形金屬線框,圖中虛線為磁場(chǎng)右邊界(磁場(chǎng)的左邊界很遠(yuǎn)),它與線圈的ab邊平行,等分bc邊,即線圈有一半位于勻強(qiáng)磁場(chǎng)之中,而另一半位于磁場(chǎng)之外,磁感線方向垂直于線框平面向里.線框以ab邊為軸勻速轉(zhuǎn)動(dòng),t=0時(shí)刻線圈的位置如圖所示.在下面的坐標(biāo)系中定性畫出轉(zhuǎn)動(dòng)過程中線圈內(nèi)感應(yīng)電流隨時(shí)間變化的圖象(只要求畫出一個(gè)周期).
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科目:高中物理 來源: 題型:
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科目:高中物理 來源:2011屆山東省東營市勝利一中高三模擬考試(理綜)物理試題 題型:計(jì)算題
如圖所示ABCD為邊長為L的單匝正方形金屬線框處在垂直于線框平面的勻強(qiáng)磁場(chǎng)中,磁場(chǎng)的磁感強(qiáng)度隨時(shí)間變化的規(guī)律如圖甲所示,E、F為平行正對(duì)的兩金屬板,板長和板間距均為L,兩金屬板通過導(dǎo)線分別與金屬線框的端點(diǎn)相連,P為一粒子源,能夠發(fā)射速度為v0比荷為的正離子, 離子從兩板間飛出后進(jìn)入如圖所示的勻強(qiáng)磁場(chǎng)區(qū)域,MN為磁場(chǎng)的左邊界,磁場(chǎng)的磁感強(qiáng)度為B0,已知t=0時(shí)刻和t=兩時(shí)刻恰好有兩個(gè)離子從P中以初速度v0沿EF的中央軸線射入兩板間,不計(jì)離子受到的重力。
(1)試判斷兩離子能否從兩板間穿出進(jìn)入MN右側(cè)的磁場(chǎng)區(qū)域。
(2)求離子進(jìn)入磁場(chǎng)時(shí)的速度與v0的夾角。
(3)如果兩粒子均能從磁場(chǎng)的左邊界MN飛離磁場(chǎng),求兩離子在磁場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)的時(shí)間之比。
(4)為了保證兩離子均再從磁場(chǎng)的左邊界MN飛離,求磁場(chǎng)區(qū)域的最小寬度。
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科目:高中物理 來源:2010-2011學(xué)年浙江省高三模擬考試?yán)砭C物理部分 題型:選擇題
如圖所示abcd為一豎直放置的正方形導(dǎo)線框,其平面與勻強(qiáng)磁場(chǎng)方向垂直。導(dǎo)線框沿豎直方向從磁場(chǎng)上邊界開始下落,直到ab邊出磁場(chǎng)(已知磁場(chǎng)高度大于導(dǎo)線框邊長),則以下說法正確的是( )
A.線圈進(jìn)入磁場(chǎng)和離開磁場(chǎng)的過程中通過導(dǎo)體橫截面的電荷量相等
B.線圈進(jìn)入磁場(chǎng)和離開磁場(chǎng)的過程中導(dǎo)體內(nèi)產(chǎn)生的電熱相等
C.線圈從進(jìn)入磁場(chǎng)到完全離開磁場(chǎng)的過程中導(dǎo)體內(nèi)產(chǎn)生的電熱不可
能等于線圈重力勢(shì)能的減小
D.若線圈在ab邊出磁場(chǎng)時(shí)已經(jīng)勻速運(yùn)動(dòng),則線圈的匝數(shù)越多下落的速度越大
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科目:高中物理 來源:2010-2011學(xué)年山東省東營市高三模擬考試(理綜)物理試題 題型:計(jì)算題
如圖所示ABCD為邊長為L的單匝正方形金屬線框處在垂直于線框平面的勻強(qiáng)磁場(chǎng)中,磁場(chǎng)的磁感強(qiáng)度隨時(shí)間變化的規(guī)律如圖甲所示,E、F為平行正對(duì)的兩金屬板,板長和板間距均為L,兩金屬板通過導(dǎo)線分別與金屬線框的端點(diǎn)相連,P為一粒子源,能夠發(fā)射速度為v0比荷為的正離子, 離子從兩板間飛出后進(jìn)入如圖所示的勻強(qiáng)磁場(chǎng)區(qū)域,MN為磁場(chǎng)的左邊界,磁場(chǎng)的磁感強(qiáng)度為B0,已知t=0時(shí)刻和t=兩時(shí)刻恰好有兩個(gè)離子從P中以初速度v0沿EF的中央軸線射入兩板間,不計(jì)離子受到的重力。
(1)試判斷兩離子能否從兩板間穿出進(jìn)入MN右側(cè)的磁場(chǎng)區(qū)域。
(2)求離子進(jìn)入磁場(chǎng)時(shí)的速度與v0的夾角。
(3)如果兩粒子均能從磁場(chǎng)的左邊界MN飛離磁場(chǎng),求兩離子在磁場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)的時(shí)間之比。
(4)為了保證兩離子均再從磁場(chǎng)的左邊界MN飛離,求磁場(chǎng)區(qū)域的最小寬度。
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