(2012?上海模擬)在動(dòng)摩擦因數(shù)μ=0.2的粗糙絕緣足夠長的水平滑漕中,長為2L的絕緣輕質(zhì)細(xì)桿兩端各連接一個(gè)質(zhì)量均為m的帶電小球A和B,如圖為俯視圖(槽兩側(cè)光滑).A球的電荷量為+2q,B球的電荷量為-3q(均可視為質(zhì)點(diǎn),也不考慮兩者間相互作用的庫侖力).現(xiàn)讓A處于如圖所示的有界勻強(qiáng)電場區(qū)域MPQN內(nèi),已知虛線MP恰位于細(xì)桿的中垂線,MP和NQ的距離為3L,勻強(qiáng)電場的場強(qiáng)大小為E=1.2mg/q,方向水平向右.釋放帶電系統(tǒng),讓A、B從靜止開始運(yùn)動(dòng)(忽略小球運(yùn)動(dòng)中所產(chǎn)生的磁場造成的影響).求:
(1)小球B第一次到達(dá)電場邊界MP所用的時(shí)間;
(2)小球A第一次離開電場邊界NQ時(shí)的速度大小
(3)帶電系統(tǒng)運(yùn)動(dòng)過程中,B球電勢能增加量的最大值.
分析:(1)B進(jìn)入電場前的過程中,系統(tǒng)做勻加速運(yùn)動(dòng),使用牛頓第二定律,先求出加速度,再求出運(yùn)動(dòng)的時(shí)間;
(2)B進(jìn)入電場后前的過程中,系統(tǒng)做勻減速運(yùn)動(dòng),使用牛頓第二定律,先求出加速度,再求出運(yùn)動(dòng)的時(shí)間最后求出速度.也可以使用動(dòng)能定理求解;
(3)帶電系統(tǒng)速度第一次為零,此時(shí)A已經(jīng)到達(dá)右邊界NQ外,B克服電場力做的功最多,B增加的電勢能最多,據(jù)此列公式求出即可.
解答:解:
(1)帶電系統(tǒng)開始運(yùn)動(dòng)后,先向右加速運(yùn)動(dòng);當(dāng)B進(jìn)入電場區(qū)時(shí),開始做減速運(yùn)動(dòng).設(shè)B進(jìn)入電場前的過程中,系統(tǒng)的加速度為a1
由牛頓第二定律:2Eq-μ2mg=2ma1           即:a1=g
B剛進(jìn)入電場時(shí),由:L=
1
2
a1
t
2
1
               
可得:t1=
2L
g

(2)當(dāng)A剛滑到右邊界時(shí),電場力對系統(tǒng)做功為:W1=2Eq?2L+(-3Eq?L)=EqL
摩擦力對系統(tǒng)做功為:W2=-μ?2mg?2l=-0.8mgL
W=EqL-0.8mgL=0.4mgL         故A球從右端滑出.
設(shè)B從靜止到剛進(jìn)入電場的速度為v1,v1=a1t1=
2gL

設(shè)B進(jìn)入電場后,系統(tǒng)的加速度為a2,由牛頓第二定律:2Eq-3Eq-2μmg=2ma2
a2=-0.8g
系統(tǒng)做勻減速運(yùn)動(dòng),設(shè)小球A第一次離開電場邊界NQ時(shí)的速度大小為v2;
由:
v
2
2
-
v
2
1
=2a?2L

可得:v2=
0.4gL

(3)當(dāng)帶電系統(tǒng)速度第一次為零,此時(shí)A已經(jīng)到達(dá)右邊界NQ外,B克服電場力做的功最多,B增加的電勢能最多,設(shè)此時(shí)A離右邊界NQ的距離為x
由動(dòng)能定理:2Eq?2L-3Eq×(L+x)-μ2mg(2L+x)=0
可得:x=0.1L
所以B電勢能增加的最大值△W1=3Eq×1.1L=3.3EqL=3.96mgL      
答:(1)小球B第一次到達(dá)電場邊界MP所用的時(shí)間
2L
g
;
(2)小球A第一次離開電場邊界NQ時(shí)的速度大小
0.4gL

(3)帶電系統(tǒng)運(yùn)動(dòng)過程中,B球電勢能增加量的最大值3.96mgL.
點(diǎn)評:該題情景新穎,針對同一過程的問題精致,要求我們需要對該過程減小細(xì)致的分析,才能找出正確的解題思路和方法.
練習(xí)冊系列答案
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(2012?上海模擬)如圖所示,絕緣桿兩端固定帶電小球A和B,輕桿處于水平向右的勻強(qiáng)電場中,不考慮兩球之間的相互作用.初始時(shí)桿與電場線垂直,將桿右移的同時(shí)順時(shí)針轉(zhuǎn)過90°,發(fā)現(xiàn)A、B兩球電勢能之和不變.根據(jù)如圖給出的位置關(guān)系,下列說法正確的是(  )

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(2012?上海模擬)如圖(甲)所示,兩個(gè)水平和傾斜光滑直導(dǎo)軌都通過光滑圓弧對接而成,相互平行放置,兩導(dǎo)軌相距L=lm,傾斜導(dǎo)軌與水平面成θ=300角,傾斜導(dǎo)軌的下面部分處在一垂直斜面的勻強(qiáng)磁場區(qū)I中,I區(qū)中磁場的磁感應(yīng)強(qiáng)度B1隨時(shí)間變化的規(guī)律如圖(乙)所示垂直斜面向上為正值,圖中t1、t2未知.水平導(dǎo)軌足夠長,其左端接有理想靈敏電流計(jì)G(內(nèi)阻不計(jì))和定值電阻R=3Ω,水平導(dǎo)軌處在一豎直向上的勻強(qiáng)磁場區(qū)Ⅱ中,Ⅱ區(qū)中的磁場恒定不變,磁感應(yīng)強(qiáng)度大小為B2=1T,在t=0時(shí)刻,從斜軌上磁場I區(qū)外某處垂直于導(dǎo)軌水平靜止釋放一金屬棒ab,棒的質(zhì)量m=0.l kg,棒的電阻r=2Ω,棒下滑時(shí)與導(dǎo)軌保持良好接觸,設(shè)棒通過光滑圓弧前后速度大小不變,導(dǎo)軌的電阻不計(jì).若棒在斜面上向下滑動(dòng)的整個(gè)過程中,靈敏電流計(jì)指針穩(wěn)定時(shí)顯示的電流大小相等,t2時(shí)刻進(jìn)入水平軌道,立刻對棒施一平行于框架平面沿水平且與桿垂直的外力.(g取10m/s2)求:
(1)ab棒進(jìn)入磁場區(qū)I時(shí)速度V的大小;(2)磁場區(qū)I在沿斜軌方向上的寬度d;
(3)棒從開始運(yùn)動(dòng)到剛好進(jìn)入水平軌道這段時(shí)間內(nèi)ab棒上產(chǎn)生的熱量Q;
(4)若棒在t2時(shí)刻進(jìn)入水平導(dǎo)軌后,電流計(jì)G的電流I隨時(shí)間t變化的關(guān)系如圖(丙)所示(而未知),已知t2到t3的時(shí)間為0.5s,t3到t4的時(shí)間為1s,請?jiān)趫D(。┲凶鞒鰐2到t4時(shí)間內(nèi)外力大小F隨時(shí)間t變化的函數(shù)圖象.(從上向下看逆時(shí)針方向?yàn)殡娏髡较颍?BR>

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(2)為了研究物體從B點(diǎn)沿光滑拋物線軌道頂端無初速下滑的運(yùn)動(dòng),制做一個(gè)與第(1)中運(yùn)動(dòng)員平拋軌跡完全相同的光滑軌道,并將該軌道固定在與BC曲線重合的位置,讓另一物體P沿該軌道無初速下滑(下滑過程中始終不會(huì)脫離軌道),則物體P通過軌道最低點(diǎn)C時(shí)的水平分速度和豎直分速度大。

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