【題目】如圖所示電路中,L 是一直流電阻可忽略不計的電感線圈,a、b 為 L 的左、右兩端點(diǎn),A、B、C 為完全相同的三個燈泡,某時刻將開關(guān) K 閉合,穩(wěn)定后三個燈泡均正常發(fā)光,之后又將開關(guān) K斷開。則下列說法正確的是( )
A. 開關(guān)閉合瞬間,A、B、C 燈同時變亮
B. 開關(guān)斷開瞬間,a 點(diǎn)電勢高于 b 點(diǎn),B、C 燈閃亮后緩慢熄滅
C. 開關(guān)斷開瞬間,b 點(diǎn)電勢高于 a 點(diǎn),B、C 燈閃亮后緩慢熄滅
D. 開關(guān)斷開瞬間,b 點(diǎn)電勢高于 a 點(diǎn),B、C 燈緩慢熄滅
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科目:高中物理 來源: 題型:
【題目】如圖甲所示的演示實(shí)驗(yàn)中,A、B兩球同時落地,說明__________,某同學(xué)設(shè)計了如圖乙所示的實(shí)驗(yàn):將兩個斜滑道固定在同一豎直面內(nèi),最下端水平,把兩個質(zhì)量相等的小鋼球,從斜面的同一高度由靜止同時釋放,滑道2與光滑水平板吻接,則他將觀察到的現(xiàn)象是__________,這說明____________。
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科目:高中物理 來源: 題型:
【題目】如圖所示,在用DIS驗(yàn)證“玻意耳定律”的實(shí)驗(yàn)中,用一個帶刻度的注射器及計算機(jī)輔助系統(tǒng)來探究氣體的壓強(qiáng)和體積關(guān)系.
(1)實(shí)驗(yàn)中應(yīng)保持不變的狀態(tài)參量是________;
(2)實(shí)驗(yàn)過程中,下列說法正確的________;
A.推拉活塞時,動作要快,以免氣體進(jìn)入或漏出
B.推拉活塞時,手不可以握住整個注射器
C.必須測量所封閉氣體的質(zhì)量
D.在活塞上涂上潤滑油,保持良好的密封性
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科目:高中物理 來源: 題型:
【題目】如圖所示的U﹣I圖象中,直線I為某電源的路端電壓與電流的關(guān)系,直線Ⅱ為某一電阻R的伏安特性曲線,用該電源直接與電阻R連接成閉合電路,由圖象可知( )
A. 電源的內(nèi)阻為0.5Ω
B. 電源的總功率為1.5W
C. 電源的輸出功率為1.5W
D. 電源內(nèi)部消耗功率為1.5W
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科目:高中物理 來源: 題型:
【題目】在測定金屬的電阻率的實(shí)驗(yàn)中,某種待測材料金屬絲接入電路部分的長度約為50cm,所用測量儀器均已校準(zhǔn)。
(1)用螺旋測微器測量金屬絲的直徑,其中某一次測量結(jié)果如圖所示,其讀數(shù)應(yīng)為______mm(該值接近多次測量的平均值)。
(2)某實(shí)驗(yàn)小組用伏安法測金屬絲的電阻Rx,記錄實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)如下表:
次數(shù) | 1 | 2 | 3 | 4 | 5 | 6 | 7 |
U/V | 0.10 | 0.30 | 0.70 | 1.00 | 1.50 | 1.70 | 2.30 |
I/A | 0.02 | 0.06 | 0.16 | 0.22 | 0.34 | 0.46 | 0.52 |
由以上實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)可知:
①本實(shí)驗(yàn)的電流表選用的是____、電壓表選用的是___、滑動變阻器選用的是____(填寫以下器材前的字母)。
A.電流表A1(0~100 mA,內(nèi)阻約為10 Ω)
B.電流表A2(0~0.6 A,內(nèi)阻約為0.1 Ω)
C.電壓表V1(0~3 V,內(nèi)阻約為3 kΩ)
D.電壓表V2(0~15 V,內(nèi)阻約為15 kΩ)
E.滑動變阻器R1(0~1000 Ω,0.2 A)
F.滑動變阻器R2(0~20 Ω,2 A)
②測量Rx是采用下圖中的____(填“甲”“乙”“丙”或“丁”)電路圖。
③可以估算出金屬絲電阻率約為____(填選項(xiàng)前的字母)。
A.1×10-2Ω·m
B.1×10-3Ω·m
C.1×10-6Ω·m
D.1×10-8Ω·m
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【題目】如圖所示,輕質(zhì)彈簧的一端固定在墻上,另一端與質(zhì)量為m的物體A相連,A放在光滑水平面上,有一質(zhì)量與A相同的物體B,從高h處由靜止開始沿光滑曲面滑下,與A相碰后一起將彈簧壓縮,彈簧復(fù)原過程中某時刻B與A分開且沿原曲面上升.下列說法正確的是( )
A. 彈簧被壓縮時所具有的最大彈性勢能為mgh
B. 彈簧被壓縮時所具有的最大彈性勢能為
C. B能達(dá)到的最大高度為
D. B能達(dá)到的最大高度為
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【題目】在中美貿(mào)易戰(zhàn)中,中興的遭遇告訴我們,要重視芯片的自主研發(fā)工作,而芯片的基礎(chǔ)工作在于半導(dǎo)體的工藝。如圖所示,在半導(dǎo)體離子注入工藝中,初速度可忽略的磷離子P+和P3+,經(jīng)電壓為U的電場加速后,垂直進(jìn)入方向垂直紙面向里、寬度為D的勻強(qiáng)磁場區(qū)域,其中離子P+在磁場中轉(zhuǎn)過θ=30°后從磁場右邊界射出。已知P+和P3+的質(zhì)量均為m,而電量分別為e和3e(e表示元電荷)。
(1)求勻強(qiáng)磁場的磁感應(yīng)強(qiáng)度B的大;
(2)求P3+在磁場中轉(zhuǎn)過的角度φ。
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科目:高中物理 來源: 題型:
【題目】一列簡諧橫波沿直線由A向B傳播,A、B相距0.45m,右圖是A處質(zhì)點(diǎn)的震動圖像。當(dāng)A處質(zhì)點(diǎn)運(yùn)動到波峰位置時,B處質(zhì)點(diǎn)剛好到達(dá)平衡位置且向y軸正方向運(yùn)動,這列波的波速可能是
A.4.5m/s B.3.0m/s C.1.5m/s D.0.7m/s
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科目:高中物理 來源: 題型:
【題目】釷具有放射性,它能放出一個新的粒子而變?yōu)殓h,同時伴隨有γ射線產(chǎn)生,其方程為,釷的半衰期為24天.則下列說法中正確的是( )
A. x為質(zhì)子
B. x是釷核中的一個中子轉(zhuǎn)化成一個質(zhì)子時產(chǎn)生的
C. γ射線是鏷原子核外電子躍遷放出的
D. 1g釷經(jīng)過120天后還剩0.2g釷
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