如圖所示是簡化的多用電表的內(nèi)部電路，轉(zhuǎn)換開關(guān)S與不同接點連接，就組成不同的電表，已知R3＜R4．下列說法正確的是（　�。�
A、S與1、2連接時，就組成了電流表，且S接1時量程較大B、S與3、4連接時，就組成了電流表，且S接3時量程較大C、S與3、4連接時，就組成了電壓表，且S接3時量程較小D、S與5連接時，就組成了歐姆表，此時紅表筆與電源負極相連
練習(xí)冊系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目：高中物理 來源： 題型：

下列關(guān)于閉合電路的說法中，正確的是（　�。�
A、電源短路時，電源的內(nèi)電壓等于電動勢B、電源短路時，路端電壓為零C、電源斷路時，路端電壓最大D、電源的負載增加時，路端電壓也增大

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科目：高中物理 來源： 題型：

如圖所示為某次測量電源的電動勢和內(nèi)阻所作的U-I圖象，根據(jù)圖象可求待測電源的電動勢，E=
 
待測電源內(nèi)阻r=
 
．

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科目：高中物理 來源： 題型：

（1）多用電表是實驗室和生產(chǎn)實際中常用的儀器．使用多用電表進行了兩次測量，指針?biāo)傅奈恢梅謩e如圖1中a、b所示．若選擇開關(guān)處在“×10Ω”的電阻檔時指針位于a，則被測電阻的阻值是
 
Ω．若選擇開關(guān)處在“直流電壓2.5V”檔時指針位于b，則被測電壓是
 
V；
（2）如圖2甲所示為一黑箱裝置，盒內(nèi)有電源、電阻等元件，a、b為黑箱的兩個輸出端．
①為了探測黑箱，某同學(xué)進行了以下幾步測量：
A．用多用電表的電阻擋測量a、b間的電阻；
B．用多用電表的電壓擋測量a、b間的輸出電壓；
C．用多用電表的電流擋測量a、b間的輸出電流．
你認為以上測量中不妥的有：
 
（填序號）
②含有電源的黑箱相當(dāng)于一個“等效電源”，a、b是等效電源的兩極．為了測定這個等效電源的電動勢和內(nèi)阻，該同學(xué)設(shè)計了如圖2乙所示的電路，調(diào)節(jié)變阻器的阻值，記錄下電壓表和電流表的示數(shù)，并在方格紙上建立了U-I坐標(biāo)，根據(jù)實驗數(shù)據(jù)畫出了坐標(biāo)點，如圖2丙所示．請你作進一步處理，并由圖求出等效電源的電動勢E=
 
 V，內(nèi)阻r=
 
Ω．
③由于電壓表和電流表的內(nèi)阻，會產(chǎn)生系統(tǒng)誤差，則采用此測量電路所測得的電動勢與實際值相比
 
，測得的內(nèi)阻與實際值相比
 
（填“偏大”、“偏小”和“相同”）．

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科目：高中物理 來源： 題型：

歐姆表電路及刻度盤如圖所示，現(xiàn)因表頭損壞，換用一個新表頭．甲表頭滿偏電流為原來表頭的2倍，內(nèi)阻與原表頭相同；乙表頭滿偏電流與原表頭相同，內(nèi)阻為原表頭的2倍，則換用甲表頭和換用乙表頭后刻度盤的中值電阻分別為（　�。�
A、100Ω，100ΩB、200Ω，100ΩC、50Ω，100ΩD、100Ω，200Ω

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科目：高中物理 來源： 題型：

用多用電表歐姆擋測電阻，有許多注意事項，下列說法中哪些是錯誤的（　�。�
A、測量前必須機械調(diào)零，使指針指零，而且每測一次電阻都要重新調(diào)零B、每次換擋后必須重新進行歐姆調(diào)零C、待測電阻如果是連接在某電路中，應(yīng)把它先與其他元件斷開，再進行測量D、兩個表筆要與待測電阻接觸良好才能測得較準(zhǔn)確，為此，應(yīng)當(dāng)用兩手分別將兩個表筆與電阻兩端緊緊捏在一起E、使用完畢應(yīng)當(dāng)拔出表筆，并把選擇開關(guān)旋到交流電壓最高擋

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科目：高中物理 來源： 題型：

某同學(xué)使用多用表測量一個電阻時，選擇開關(guān)拔在歐姆檔的×10倍率檔，指針位置如圖所示恰好在兩數(shù)值的正中央，則該電阻的阻值可能為（　�。�
A、22ΩB、23ΩC、220ΩD、230Ω

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科目：高中物理 來源： 題型：

如圖是常見的多用電表，下列操作正確的是（　�。�
A、測電阻時，指針非�？拷髠�(cè)示數(shù)∞處，應(yīng)換用更大倍率擋測量B、測量電阻前進行調(diào)零后，以后換用其他倍率，不需要再次調(diào)零C、測電壓時，紅表筆（+）應(yīng)接電勢較低處D、使用結(jié)束，應(yīng)把選擇開關(guān)置于歐姆檔最大倍率處

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科目：高中物理 來源： 題型：

如圖所示，在邊長為L的正方形區(qū)域內(nèi)有垂直于紙面向里的勻強磁場，有一帶正電的電荷，從D點以v0的速度沿DB方向射入磁場，恰好從A點射出，已知電荷的質(zhì)量為m，帶電量為q，不計電荷的重力，則下列說法正確的是（　�。�
A、勻強磁場的磁感應(yīng)強度為
mv0
qL
B、電荷在磁場中運動的時間為
πL
v0
C、若電荷從CD邊界射出，隨著入射速度的減小，電荷在磁場中運動的時間會減小
D、若電荷的入射速度變?yōu)?v0，則粒子會從AB中點射出

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