q |
m |
A、經(jīng)過虛線c的位置越低 |
B、經(jīng)過虛線c的速度越大 |
C、打在熒光屏上的位置越低 |
D、打在熒光屏上的位置越高 |
1 |
2 |
v | 2 1 |
F |
m |
qE2 |
m |
d2 |
v1 |
1 |
2 |
t | 2 1 |
E2
| ||
4E1d1 |
1 |
2 |
v | 2 2 |
1 |
2 |
v | 2 1 |
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q |
m |
vy |
v1 |
at1 |
v1 |
| ||||
v1 |
qE2d2 | ||
m
|
qE2d2 |
2qE1d1 |
E2d2 |
2E1d |
mv2 |
r |
mv |
qB |
1 |
B |
m |
q |
1 |
B |
|
q |
m |
科目:高中物理 來源: 題型:
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科目:高中物理 來源:2011屆湖北省武漢市高三4四月調(diào)研測試理科物理卷 題型:單選題
如圖所示,在平行豎直虛線a與b、b與c、c與d之間分別存在著垂直于虛線的勻強電場、平行于虛線的勻強電場、垂直紙面向里的勻強磁場,虛線d處有一熒光屏。大量正離子(初速度和重力均忽略不計)從虛線a上的P孔處進入左邊電場,經(jīng)過三個場區(qū)后有一部分打在熒光屏上。關(guān)于這部分離子,若比荷越大,則離子
A.經(jīng)過虛線e的位置越低 B 經(jīng)過虛線C的速度越大
C. 打在熒光屏上的位置越低 D. 打在熒光屏上的位置越高
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科目:高中物理 來源:2010-2011學年湖北省武漢市高三4四月調(diào)研測試理科物理卷 題型:選擇題
如圖所示,在平行豎直虛線a與b、b與c、c與d之間分別存在著垂直于虛線的勻強電場、平行于虛線的勻強電場、垂直紙面向里的勻強磁場,虛線d處有一熒光屏。大量正離子(初速度和重力均忽略不計)從虛線a上的P孔處進入左邊電場,經(jīng)過三個場區(qū)后有一部分打在熒光屏上。關(guān)于這部分離子,若比荷越大,則離子
A.經(jīng)過虛線e的位置越低 B 經(jīng)過虛線C的速度越大
C. 打在熒光屏上的位置越低 D. 打在熒光屏上的位置越高
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科目:高中物理 來源: 題型:
如圖所示,在平行豎直虛線a與b、b與c、c與d之間分別存在著垂直于虛線的勻強電場、平行于虛線的勻強電場、垂直紙面向里的勻強磁場,虛線d處有一熒光屏。大量正離子(初速度和重力均忽略不計)從虛線a上的P孔處進入左邊電場,經(jīng)過三個場區(qū)后有一部分打在熒光屏上。關(guān)于這部分離子,若比荷越大,則離子 ( )
A.經(jīng)過虛線c的位置越低
B.經(jīng)過虛線c的速度越大
C.打在熒光屏上的位置越低
D.打在熒光屏上的位置越高
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