在真空中,電量為q1的點(diǎn)電荷產(chǎn)生的電場(chǎng)中有一個(gè)點(diǎn)P,P點(diǎn)與q1的距離為 r,把一個(gè)電量為q2的檢驗(yàn)電荷放在P點(diǎn),它受的靜電力為F,則P點(diǎn)電場(chǎng)強(qiáng)度的大小等于(   )

A.              B.              C.            D.

 

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(2011?肇慶一模)在真空中,電量為q1的點(diǎn)電荷產(chǎn)生的電場(chǎng)中有一點(diǎn)P,P點(diǎn)與q1的距離為 r,把一個(gè)電量為q2的實(shí)驗(yàn)電荷放在P點(diǎn),它受的靜電力為F,則P點(diǎn)電場(chǎng)強(qiáng)度的大小等于( 。

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在真空中,電量為q1的點(diǎn)電荷產(chǎn)生的電場(chǎng)中有一個(gè)點(diǎn)P ,P點(diǎn)與q1的距離為r ,把一個(gè)電量為q2的試探電荷放在P點(diǎn),它受的靜電力為F ,則P點(diǎn)的場(chǎng)強(qiáng)大小為

A.B.C.kD.k

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在真空中,電量為q1的點(diǎn)電荷產(chǎn)生的電場(chǎng)中有一個(gè)點(diǎn)P ,P點(diǎn)與q1的距離為r ,把一個(gè)電量為q2的試探電荷放在P點(diǎn),它受的靜電力為F ,則P點(diǎn)的場(chǎng)強(qiáng)大小為

A.            B.             C.k             D.k

 

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