【題目】下圖是某家族的一種遺傳病的系譜圖A表示顯性基因,a表示隱性基因,請(qǐng)分析回答

1該病屬于 性遺傳病,致病基因位于 染色體上。

28的基因型 。

310是雜合子的幾率是 。

4如果8與10違法婚配,他們生出患病孩子的幾率為

【答案】

1

2EE或Ee

32/3

41/9

【解析】

1由以上分析可知,該病屬于隱性遺傳病

27可知34的基因型均為Aa,則8的基因型是AA或Aa

39可知56的基因型均為Aa,則10的基因型及概率是 1/3 AA、2/3 Aa,可見(jiàn)其是雜合子的幾率為2/3

48的基因型及概率是 1/3 AA、2/3 Aa,,10的基因型及概率也 1/3 AA、2/3 Aa,他們婚配,生出患病孩子的概率為2/3*2/3*1/4= 1/9

練習(xí)冊(cè)系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目:高中物理 來(lái)源: 題型:

【題目】美國(guó)物理學(xué)家密立根通過(guò)如圖所示的實(shí)驗(yàn)裝置最先測(cè)出了電子的電荷量,被稱(chēng)為密立根油滴實(shí)驗(yàn)。兩塊水平放置的金屬板A、B分別與電源的正負(fù)極相連接,板間產(chǎn)生勻強(qiáng)電場(chǎng),方向豎直向下,圖中油滴由于帶負(fù)電懸浮在兩板間保持靜止。(已知重力加速度為g

(1)若要測(cè)出該油滴的電荷量,需要測(cè)出的物理量有__________。

A.油滴質(zhì)量m

B.兩板間的電壓U

C.兩板間的距離d

D.兩板的長(zhǎng)度L

(2)用所選擇的物理量表示出該油滴的電荷量q=________

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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:

【題目】如圖所示,電流表G的內(nèi)阻不可忽略不計(jì),R1R2是兩個(gè)可變電阻,當(dāng)a、b間的電壓為4 V時(shí),電流表的指針剛好滿(mǎn)偏(指針指在刻度盤(pán)的最大值處),當(dāng)a、b間的電壓為3 V時(shí),如果仍要使電流表G的指針滿(mǎn)偏,下列方法中可行的是(  )

①保持R2不變,增大R1 ②增大R1,減小R2 

③保持R2不變,減小R1、茉龃R2,減小R1

A. ①④ B. ①② C. ②③ D. ③④

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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:

【題目】某同學(xué)用彈簧OC和彈簧秤a、b探究求合力的方法實(shí)驗(yàn).如圖1所示,在保持彈簧伸長(zhǎng)量不變的條件下:

(1)若彈簧秤a、b間夾角為90°,彈簧秤a的讀數(shù)是________N(2中所示)

(2)若彈簧秤ab間夾角大于90°,保持彈簧秤a與彈簧OC的夾角不變,減小彈簧秤b與彈簧OC的夾角,則彈簧秤a的讀數(shù)________、彈簧秤b的讀數(shù)________(變大”“變小不變”)

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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:

【題目】如圖所示, 、、、為一粗糙絕緣水平面上的四個(gè)點(diǎn),一電荷量為的負(fù)點(diǎn)電荷固定在點(diǎn),現(xiàn)有一質(zhì)量為、電荷量為的帶負(fù)電小金屬塊(可視為質(zhì)點(diǎn)),從點(diǎn)靜止沿它們的連線(xiàn)向右運(yùn)動(dòng),到點(diǎn)時(shí)速度最大,其大小為,小金屬塊最后停止在點(diǎn).已知小金屬塊與水平面間的動(dòng)摩擦因數(shù)為, 間的距離為,靜電力常量為,不計(jì)空氣阻力,則(

A. 在點(diǎn)電荷一形成的電場(chǎng)中, 兩點(diǎn)間的電勢(shì)差為

B. 在小金屬塊由運(yùn)動(dòng)的過(guò)程中,電勢(shì)能先增大后減小

C. 的過(guò)程中,小金屬塊的動(dòng)能全部轉(zhuǎn)化為電勢(shì)能

D. 間的距離為

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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:

【題目】如圖所示,用絕緣細(xì)線(xiàn)拴一帶負(fù)電小球,在豎直平面內(nèi)做圓周運(yùn)動(dòng),勻強(qiáng)電場(chǎng)方向豎直向下,則(   )

A. 小球一定做變速圓周運(yùn)動(dòng)

B. 小球在運(yùn)動(dòng)過(guò)程中機(jī)械能一定不守恒

C. 當(dāng)小球運(yùn)動(dòng)到最低點(diǎn)b時(shí),小球的速度一定最大

D. 當(dāng)小球運(yùn)動(dòng)到最高點(diǎn)a時(shí),小球的電勢(shì)能最小

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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:

【題目】關(guān)于質(zhì)點(diǎn)的概念正確的是 ( )

A.只有體積很小的物體才可以看成質(zhì)點(diǎn)

B.若物體運(yùn)動(dòng)得很快,就一定不可以把物體看成質(zhì)點(diǎn)

C.旋轉(zhuǎn)的物體,肯定不能看成質(zhì)點(diǎn)

D.質(zhì)點(diǎn)是把物體抽象成有質(zhì)量而沒(méi)有大小的點(diǎn),是一個(gè)理想化模型

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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:

【題目】如圖所示,a、b、cd分別是一個(gè)菱形的四個(gè)頂點(diǎn),∠abc=120°.現(xiàn)將三個(gè)等量的正點(diǎn)電荷+Q固定在ab、c三個(gè)頂點(diǎn)上,將一個(gè)電量為+q的點(diǎn)電荷依次放在菱形中心點(diǎn)O點(diǎn)和另一個(gè)頂點(diǎn)d點(diǎn)處,兩點(diǎn)相比(  )

A. qd點(diǎn)所受的電場(chǎng)力較大

B. qd點(diǎn)所具有的電勢(shì)能較大

C. d點(diǎn)的電勢(shì)低于O點(diǎn)的電勢(shì)

D. d點(diǎn)的電場(chǎng)強(qiáng)度大于O點(diǎn)的電場(chǎng)強(qiáng)度

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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:

【題目】硅光電池已廣泛應(yīng)用于人造衛(wèi)星和燈塔、高速公路“電子眼”等設(shè)施.其原理如圖所示,a、b是硅光電池的兩個(gè)電極,P、N是兩塊硅半導(dǎo)體,P、N可在E區(qū)形成勻強(qiáng)電場(chǎng).P的上表面鍍有一層膜,當(dāng)光照射時(shí),P內(nèi)產(chǎn)生的自由電子經(jīng)E區(qū)電場(chǎng)加速后到達(dá)半導(dǎo)體N,從而產(chǎn)生電動(dòng)勢(shì).以下說(shuō)法中正確的是 ( )

A. a電極為電池的正極

B. 電源內(nèi)部的電流方向由N指向P

C. E區(qū)勻強(qiáng)電場(chǎng)的方向由N指向P

D. 硅光電池是一種把化學(xué)能轉(zhuǎn)化為電能的裝置

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