【題目】目前,在地球周圍有許多人造地球衛(wèi)星繞著它轉(zhuǎn),其中一些衛(wèi)星的軌道可近似為圓,且軌道半徑逐漸變小。若衛(wèi)星只受到地球引力和稀薄氣體阻力的作用,因此軌道半徑逐漸變小的過程中,則下列判斷正確的是 ( )
A. 衛(wèi)星變軌后環(huán)繞的動能逐漸減小
B. 由于地球引力做正功,引力勢能一定減小
C. 由于氣體阻力做負功,地球引力做正功,機械能保持不變
D. 衛(wèi)星克服氣體阻力做的功小于地球引力所做的功,因此環(huán)繞速度增大
科目:高中物理 來源: 題型:
【題目】(1)楊氏干涉實驗證明光的確是一種波,一束單色光投射在兩條相距很近的狹縫上,兩狹縫就成了兩個光源,它們發(fā)出的光波滿足干涉的必要條件,則兩列光的________相同。如圖所示,在這兩列光波相遇的區(qū)域中,實線表示波峰,虛線表示波谷,如果放置光屏,在________(選填“A”、“B”或“C”)點會出現(xiàn)暗條紋。
(2)在上述楊氏干涉實驗中,若單色光的波長λ=5.89×10-7 m,雙縫間的距離d=1 mm,雙縫到屏的距離l=2 m。求第1個亮條紋到第11個亮條紋的中心間距。
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科目:高中物理 來源: 題型:
【題目】(10分)有一個冰上滑木箱的游戲節(jié)目,規(guī)則是:選手們從起點開始用力推箱一段時間后,放手讓箱向前滑動,若箱最后停在桌上有效區(qū)域內(nèi),視為成功;若箱最后未停在桌上有效區(qū)域內(nèi)就視為失敗。其簡化模型如圖所示,AC是長度為L1=7 m的水平冰面,選手們可將木箱放在A點,從A點開始用一恒定不變的水平推力推箱,BC為有效區(qū)域。已知BC長度L2=1 m,木箱的質(zhì)量m=50 kg,木箱與冰面間的動摩擦因數(shù)μ=0.1。某選手作用在木箱上的水平推力F=200 N,木箱沿AC做直線運動,若木箱可視為質(zhì)點,g取10 m/s2。那么該選手要想游戲獲得成功,試求:
(1)推力作用在木箱上時的加速度大;
(2)推力作用在木箱上的時間滿足什么條件?
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【題目】如圖所示,有1、2、3三個質(zhì)量均為m = 1kg的物體,物體2與物體3通過不可伸長輕繩連接,跨過光滑的定滑輪,設(shè)長板2到定滑輪足夠遠,物體3離地面高H = 5.75m,物體1與長板2之間的動摩擦因數(shù)μ = 0.2。長板2在光滑的桌面上從靜止開始釋放,同時物體1(視為質(zhì)點)在長板2的左端以v = 4m/s的初速度開始運動,運動過程中恰好沒有從長板2的右端掉下,g=10m/s2。求:
(1)長板2開始運動時的加速度大小;
(2)長板2的長度L0;
(3)當物體3落地時,物體1在長板2上的位置。
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【題目】(多選)完全相同的三塊木板并排固定在水平面上,一顆子彈以速度v水平射入,若子彈在木塊中做勻減速直線運動,且穿過第三塊木塊后子彈速度恰好為零,則子彈依次剛射入每塊木塊時的速度之比和穿過每塊木塊所用的時間之比分別是( )
A. v1∶v2∶v3=3∶2∶1 B. v1∶v2∶v3=∶∶1
C. t1∶t2∶t3=(-)∶(-1)∶1 D. t1∶t2∶t3=1∶∶
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【題目】如圖所示,光滑絕緣的水平桌面上,固定著一個帶電荷量為+Q的小球P。帶電荷量分別為-q和+2q的小球M和N。由絕緣細桿相連,靜止在桌面上。P與M相距L,[學科 網(wǎng)P、M和N視為點電荷。下列說法正確的是
A. M與N的距離大于L
B. P、M和N在同一直線上
C. 在P產(chǎn)生的電場中,M、N處的電勢相同
D. M、N及細桿組成的系統(tǒng)所受合外力為零
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【題目】如圖所示,取一對用絕緣柱支持的不帶電導體A和B,使它們彼此接觸,現(xiàn)在把帶正電荷的物體C移近導體A,發(fā)現(xiàn)貼在A、B下部的金屬箔都張開,下列說法正確的是
A. 此時A帶負電荷,B帶正電荷
B. 此時A和B都帶負電荷
C. A和B分開后移去C,A、B 上的金屬箔仍保持張開
D. 先移去 C,再把A和B分開,A、B上的金屬箔仍保持張開
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【題目】某一時刻a、b兩物體以不同的速度經(jīng)過某一點,并沿同一方向做勻加速直線運動,已知兩物體的加速度相同,則在運動過程中( )
A. a、b兩物體速度之差保持不變
B. a、b兩物體速度之差與時間成正比
C. a、b兩物體位移之差與時間成正比
D. a、b兩物體位移之差與時間平方成正比
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【題目】如圖所示,以O點為圓心的圓周上有六個等分點a、b、c、d、e、f等量正、負點電荷分別放置在a、d兩點時,在圓心O產(chǎn)生的電場強度大小為E,F(xiàn)僅將放于a點的正點電荷改放于其他等分點上,使O點的電場強度改變,則下列判斷正確的是
A. 移至c點時,O點的電場強度大小仍為E,沿Oe方向
B. 移至e點時,O點的電場強度大小為,沿Oc方向
C. 移至b點時,O點的電場強度大小為,沿Oc方向
D. 移至f點時,O點的電場強度大小為,沿Oe方向
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