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科目:高中物理 來源: 題型:
A、t=0時(shí),線框右側(cè)邊MN的兩端電壓為Bav0 | ||
B、在t0時(shí)刻線框的速度為v0-
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C、線框完全離開磁場的瞬間(位置3)的速度一定比t0時(shí)刻線框的速度大 | ||
D、線框從進(jìn)入磁場(位置1)到完全離開磁場(位置3)的過程中產(chǎn)生的電熱為2Fb |
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科目:高中物理 來源: 題型:
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科目:高中物理 來源: 題型:閱讀理解
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科目:高中物理 來源: 題型:
(2010·浙江省部分重點(diǎn)中學(xué)聯(lián)考)如圖a所示,在光滑水平面上用恒力F拉質(zhì)量為m的單匝均勻正方形銅線框,邊長為a,在1位置以速度v0進(jìn)入磁感應(yīng)強(qiáng)度為B的勻強(qiáng)磁場并開始計(jì)時(shí)t=0,若磁場的寬度為b(b>3a),在3t0時(shí)刻線框到達(dá)2位置速度又為v0并開始離開勻強(qiáng)磁場.此過程中v-t圖象如圖b所示,則 ( )
A.t=0時(shí),線框右側(cè)邊MN的兩端電壓為Bav0
B.在t0時(shí)刻線框的速度為v0-
C.線框完全離開磁場的瞬間(位置3)的速度一定比t0時(shí)刻線框的速度大
D.線框從進(jìn)入磁場(位置1)到完全離開磁場(位置3)的過程中產(chǎn)生的電熱為2Fb
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科目:高中物理 來源:2012-2013學(xué)年江蘇省江都市大橋中學(xué)高一下學(xué)期期中考試物理試卷(帶解析) 題型:單選題
如圖(a)所示,在光滑水平面上用恒力F拉質(zhì)量為m的單匝均勻正方形銅線框,線框邊長為a,在1位置以速度v0進(jìn)入磁感應(yīng)強(qiáng)度為B的勻強(qiáng)磁場并開始計(jì)時(shí),若磁場的寬度為b(b>3a),在3t0時(shí)刻線框到達(dá)2位置,速度又為v0,并開始離開勻強(qiáng)磁場.此過程中vt圖象如圖(b)所示,則( )
A.t=0時(shí),線框右側(cè)邊MN的兩端電壓為Bav0 |
B.在t0時(shí)刻線框的速度為v0- |
C.線框完全離開磁場的瞬間位置3的速度一定比t0時(shí)刻線框的速度大 |
D.線框從1位置進(jìn)入磁場到完全離開磁場位置3過程中線框中產(chǎn)生的電熱為2Fb |
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