圖1-3
A.B點(diǎn)的電勢為零,微粒運(yùn)行軌跡是1
B.B點(diǎn)的電勢是-20 V,微粒運(yùn)行軌跡是1
C.B點(diǎn)的電勢是零,微粒運(yùn)行軌跡是2
D.B點(diǎn)的電勢是-20 V,微粒運(yùn)行軌跡是2
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科目:高中物理 來源: 題型:閱讀理解
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科目:高中物理 來源: 題型:
v2 | 2 |
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πd2R |
4L |
πd2R |
4L |
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科目:高中物理 來源: 題型:
裝置縱截面示意圖 裝置俯視示意圖
圖1-3
(1)求方框下落的最大速度vm(設(shè)磁場區(qū)域在豎直方向足夠長);
(2)當(dāng)方框下落的加速度為時(shí),求方框的發(fā)熱功率P;
(3)已知方框下落時(shí)間為t時(shí),下落高度為h,其速度為vt(vt<vm).若在同一時(shí)間t內(nèi),方框內(nèi)產(chǎn)生的熱與一恒定電流I0在該框內(nèi)產(chǎn)生的熱相同,求恒定電流I0的表達(dá)式.
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科目:高中物理 來源: 題型:
圖1-3
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