如圖甲所示,空間有Ⅰ區(qū)和Ⅲ區(qū)兩個有理想邊界的勻強磁場區(qū)域,磁感應強度大小均為B,方向如圖所示.兩磁場區(qū)域之間有寬度為s的無磁場區(qū)域Ⅱ.a(chǎn)bcd是由均勻電阻絲做成的邊長為L(L>s)的正方形線框,每邊的電阻為R.線框以垂直磁場邊界的速度v水平向右勻速運動,從Ⅰ區(qū)經(jīng)過Ⅱ區(qū)完全進入Ⅲ區(qū),線框ab邊始終與磁場邊界平行.求:
(1)當ab邊在Ⅱ區(qū)運動時,dc邊所受安培力的大小和方向;
(2)線框從完全在Ⅰ區(qū)開始到全部進入Ⅲ區(qū)的整個運動過程中產(chǎn)生的焦耳熱;
(3)請在圖乙的坐標圖中畫出,從ab邊剛進入Ⅱ區(qū),到cd邊剛進入Ⅲ區(qū)的過程中,
d、a兩點間的電勢差Uda隨時間t變化的圖線.其中E0=BLv.
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分析:(1)當ab邊在Ⅱ區(qū)運動時,dc邊切割磁感線產(chǎn)生感應電動勢,由E=BLv、I=
E
4R
、F=BIL結合求出安培力的大小,由左手定則判斷安培力的方向.  
(2)分段求出線框中感應電流和運動時間,由焦耳定律求焦耳熱,再得到總熱量.
(3)分段求出d、a兩點間的電勢差,再畫出圖象.
解答:解:(1)dc邊產(chǎn)生的感應電動勢 E=BLv     精英家教網(wǎng)
線框中的感應電流 I=
E
4R

dc邊所受的安培力  F=BIL  
求得F=
B2L2v
4R
,方向水平向左  
(2)ab邊經(jīng)過Ⅱ區(qū)時,設電流為I1,所用時間為t1,產(chǎn)生的熱為Q1
有    I1=
E
4R
,t1=
s
v

由焦耳定律 Q1=I1 2?4Rt1,Uda=
1
4
BLv
從ab邊進入Ⅲ區(qū)到cd邊進入Ⅱ區(qū),設電流為I2,所用時間為t2,產(chǎn)生的熱為Q2,則有
 I2=
2E
4R
t2=
L-s
v

由焦耳定律得  Q2=I2 2?4Rt2,Uda=-
1
4
×2BLv=
1
2
BLv
整個過程中產(chǎn)生的熱 Q=2Q1+Q2   
解得,Q=
B2L2v(2L-s)
2R

從cd邊進入Ⅱ區(qū)到cd邊進入Ⅲ區(qū),Uda=-
1
4
BLv
(3)
畫出d、a兩點間的電勢差Uda隨時間t變化的圖線如圖.
答:
(1)當ab邊在Ⅱ區(qū)運動時,dc邊所受安培力的大小為
B2L2v
4R
,方向水平向左;
(2)線框從完全在Ⅰ區(qū)開始到全部進入Ⅲ區(qū)的整個運動過程中產(chǎn)生的焦耳熱是
B2L2v(2L-s)
2R
;
(3)圖象如圖所示.
點評:本題是電磁感應與電路知識的綜合,掌握法拉第電磁感應定律、歐姆定律和焦耳定律,學會分過程研究是基本能力.
練習冊系列答案
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如圖甲所示.空間有一寬為2L的勻強磁場區(qū)域,磁感應強度為B,方向垂直紙面外,abcd是由均勻電阻絲做成的邊長為L的正方形線框,總電阻為R.線框以垂直磁場邊界的速度υ勻速通過磁場區(qū)域.在運動過程中,線框ab、cd兩邊始終與磁場邊界平行.設線框剛進入磁場的位置x=0,x軸沿水平方向向右.求:
(1)從cd邊進入磁場到ab邊進入磁場的過程中,線框中產(chǎn)生的焦耳熱;
(2)在下面的圖乙中,畫出cd兩端電勢差Ucd隨距離x變化的圖象.其中U0=
14
BLυ
.(不需要分析說明)

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如圖甲所示.空間有一寬為2L的勻強磁場區(qū)域,磁感應強度為B,方向垂直紙面向外.a(chǎn)bcd是由均勻電阻絲做成的邊長為L的正方形線框,總電阻值為R.線框以垂直磁場邊界的速度v勻速通過磁場區(qū)域.在運動過程中,線框ab、cd兩邊始終與磁場邊界平行.設線框剛進入磁場的位置x=0,x軸沿水平方向向右.求:
(1)cd邊剛進入磁場時,ab兩端的電勢差,并指明哪端電勢高;
(2)線框穿過磁場的過程中,線框中產(chǎn)生的焦耳熱;
(3)在下面的乙圖中,畫出ab兩端電勢差Uab隨距離變化的圖象.其中U0=BLv.

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如圖甲所示,空間有一寬為2L的勻強磁場區(qū)域,磁感應強度為B,方向垂直紙面向外.a(chǎn)bcd是由均勻電阻絲做成的邊長為L的正方形線框,總電阻為R.線框以垂直磁場邊界的速度v勻速通過磁場區(qū)域.在運動過程中,線框ab、cd兩邊始終與磁場邊界平行.設線框剛進入磁場的位置x=0,x軸沿水平方向向右.則ab兩端電勢差Uab隨距離變化的圖象正確的是(其中U0=BLv)( 。

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(1)當ab邊在Ⅱ區(qū)運動時,dc邊所受安培力的大小和方向;

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(3)請在圖乙的坐標圖中畫出,從ab邊剛進入Ⅱ區(qū),到cd邊剛進入Ⅲ區(qū)的過程中,

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