A. | 在光電效應(yīng)實(shí)驗(yàn)中,光電子的最大初動(dòng)能與入射光強(qiáng)度無(wú)關(guān),只隨入射光的頻率增大而增大 | |
B. | 采用物理或化學(xué)方法可以有效地改變放射性元素的半衰期 | |
C. | 由玻爾理論知道氫原子從激發(fā)態(tài)躍遷到基態(tài)會(huì)放出光子 | |
D. | γ射線是由原子核外的內(nèi)層電子躍遷產(chǎn)生 |
分析 光電效應(yīng)時(shí)逸出光電子的最大初動(dòng)能與照射光頻率成正比;
放射性元素的半衰期不受環(huán)境與狀態(tài)的影響;
氫原子從激發(fā)態(tài)躍遷到基態(tài)時(shí)會(huì)放出光子;
γ射線是核輻射的能量.
解答 解:A、發(fā)生光電效應(yīng)時(shí),逸出光電子的最大初動(dòng)能與照射光頻率成正比,與強(qiáng)度無(wú)關(guān),故A正確;
B、采用物理或化學(xué)方法都不能改變放射性元素的半衰期,它與狀態(tài)或環(huán)境無(wú)關(guān),故B錯(cuò)誤;
C、由玻爾理論知道,氫原子從激發(fā)態(tài)躍遷到基態(tài)會(huì)放出光子,而從基態(tài)躍遷到激發(fā)態(tài)時(shí),則吸引光子,故C正確,
D、γ射線是原子核內(nèi)核子的躍遷,而放出的能量,故D錯(cuò)誤;
故選:AC.
點(diǎn)評(píng) 考查放射性元素的半衰期影響因素,對(duì)質(zhì)能方程與質(zhì)量虧損的理解,注意光電子的最大初動(dòng)能與照射光頻率有關(guān),知道電子躍遷會(huì)吸引或釋放能量.
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:解答題
時(shí)刻t/s | 0 | 1 | 2 | 3 | 4 | 5 | 6 | 7 |
位置坐標(biāo)x/m | 0 | 0.5 | 2 | 4.5 | 8 | 12 | 16 | 20 |
瞬時(shí)速度v/(m•s-1) | 1 | 2 | 3 | 4 | 4 | 4 | 4 | 4 |
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:多選題
A. | 電源的電動(dòng)勢(shì)為3 V,內(nèi)阻為0.5Ω | B. | 電阻R的阻值為1Ω | ||
C. | 電源的輸出功率為2 W | D. | 電源的效率為50% |
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:解答題
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:選擇題
A. | 子彈克服阻力做功與木塊獲得的動(dòng)能相等 | |
B. | 阻力對(duì)子彈做功小于子彈動(dòng)能的減少 | |
C. | 子彈克服阻力做功與子彈對(duì)木塊做功相等 | |
D. | 子彈克服阻力做功大于子彈對(duì)木塊做功 |
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:選擇題
A. | 因?yàn)橐后w表面分子分布比內(nèi)部密,所以有收縮趨勢(shì) | |
B. | 液體表面分子分布和內(nèi)部相同,所以有收縮趨勢(shì) | |
C. | 因?yàn)橐后w表面分子分布比內(nèi)部稀,所以有收縮趨勢(shì) | |
D. | 液體表面分子受到與其接觸的氣體分子的斥力作用,使液體表面有收縮趨勢(shì) |
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:填空題
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:選擇題
A. | $\frac{mpR}{S}$ | B. | $\frac{2nqR}{S}$ | C. | $\frac{qR}{2nS}$ | D. | $\frac{qR}{nS}$ |
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:選擇題
A. | 受到28N的壓力 | B. | 受到28N的拉力 | C. | 受到12N的壓力 | D. | 受到12N的拉力 |
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