如圖甲所示,導(dǎo)體框架abcd的ab、cd邊平行,框架平面與水平面的夾角為θ,質(zhì)量為m的導(dǎo)體棒PQ垂直放在兩平行導(dǎo)軌ab、cd上,導(dǎo)體棒與框架構(gòu)成回路的總電阻為R,整個(gè)裝置處于垂直于框架平面的變化磁場(chǎng)中,磁感應(yīng)強(qiáng)度(取垂直框架向上為正)隨時(shí)間變化規(guī)律如圖乙所示.PQ能始終保持靜止,則在0?t2時(shí)間內(nèi),回路中電流i隨時(shí)間t變化的圖象(取P→Q→c→b→P方向?yàn)檎┖蚉Q受到的摩擦力f隨時(shí)間t變化的圖象(取平行于框架平面向上為正)可能正確的是( 。
分析:由圖看出,磁感應(yīng)強(qiáng)度均勻增大,穿過PQcb回路的磁通量均勻增加,回路中產(chǎn)生恒定電流,根據(jù)安培力公式分析安培力大小的變化情況,由左手定則判斷安培力方向,由平衡條件分析棒PQ受到的靜摩擦力的大小變化情況.
解答:解:A、B由圖看出,磁感應(yīng)強(qiáng)度均勻變化,
△B
△t
一定,穿過PQcb回路的磁通量均勻變化,根據(jù)法拉第電磁感應(yīng)定律得知,回路中產(chǎn)生的感應(yīng)電動(dòng)勢(shì)恒定不變,感應(yīng)電流也恒定不變,根據(jù)楞次定律得知,回路中感應(yīng)電流方向沿P→Q→c→b→P方向,為正;故A錯(cuò)誤,B正確.
C、由左手定則判斷可知,在0-t1時(shí)間內(nèi),導(dǎo)體棒PQ所受安培力方向沿斜面向上.由F=BIL可知,B均勻減小,PQ所受安培力大小F均勻減小,若靜摩擦力沿斜面向上,根據(jù)平衡條件得到,棒PQ受到的靜摩擦力大小f=mgsinθ-F,F(xiàn)均勻減小,則f均勻增大.在t1-t2時(shí)間內(nèi),導(dǎo)體棒PQ所受安培力方向沿斜面向下.由F=BIL可知,B均勻增大,PQ所受安培力大小F均勻增大,靜摩擦力沿斜面向上,根據(jù)平衡條件得到,棒PQ受到的靜摩擦力大小f=F+mgsinθ,F(xiàn)均勻增大,則f均勻增大.故C正確.
D、由左手定則判斷可知,在0-t1時(shí)間內(nèi),導(dǎo)體棒PQ所受安培力方向沿斜面向上.由F=BIL可知,B均勻減小,PQ所受安培力大小F均勻減小,若靜摩擦力沿斜面向下,根據(jù)平衡條件得到,棒PQ受到的靜摩擦力大小f=F-mgsinθ,F(xiàn)均勻減小,則f均勻減。
在t1-t2時(shí)間內(nèi),導(dǎo)體棒PQ所受安培力方向沿斜面向下.由F=BIL可知,B均勻增大,PQ所受安培力大小F均勻增大,靜摩擦力沿斜面向上,為正.根據(jù)平衡條件得到,棒PQ受到的靜摩擦力大小f=F+mgsinθ,F(xiàn)均勻增大,則f均勻增大.故D錯(cuò)誤.
故選:BC
點(diǎn)評(píng):本題是楞次定律、安培力和力平衡等知識(shí)的綜合應(yīng)用,直接由楞次定律判斷安培力的方向,也可以由楞次定律、左手定則結(jié)合判斷安培力方向.
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科目:高中物理 來源: 題型:

精英家教網(wǎng)A.如圖甲所示,導(dǎo)體框架abcd放在傾角θ的絕緣光滑斜面上,質(zhì)量為m的導(dǎo)體棒PQ放在ab、cd上,且正好卡在垂直于斜面的四枚光滑小釘之間.回路總電阻為R,整個(gè)裝置放在垂直于框架平面的變化的磁場(chǎng)中,磁場(chǎng)的磁感強(qiáng)度B隨時(shí)間t的變化情況如圖乙所示.則在0-t s內(nèi),回路內(nèi)的感應(yīng)電流I及PQ與小釘間的彈力N的大小變化情況可能是( 。

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科目:高中物理 來源: 題型:

如圖甲所示,導(dǎo)體框架abcd的ab、cd邊平行,框架平面與水平面的夾角為θ,質(zhì)量為m的導(dǎo)體棒PQ垂直放在兩平行導(dǎo)軌ab、cd上,導(dǎo)體棒與框架構(gòu)成回路的總電阻為R,整個(gè)裝置處于垂直于框架平面的變化磁場(chǎng)中,磁感應(yīng)強(qiáng)度(取垂直框架向上為正)隨 時(shí)間變化規(guī)律如圖.乙所示。PQ能始終保持靜 止,則在0〜t2時(shí)間內(nèi),回路中電流i隨時(shí)間t變化的圖像(取P→Q→c→b→P方向?yàn)檎┖蚉Q受到的摩擦力f隨時(shí)間t變化的圖似取平行于框架平面向上為正)可能正確的是

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科目:高中物理 來源: 題型:

如圖甲所示,導(dǎo)體框架abcd的ab、cd邊平行,框架平面與水平面的夾角為θ,質(zhì)量為m的導(dǎo)體棒PQ垂直放在兩平行導(dǎo)軌ab、cd上,導(dǎo)體棒與框架構(gòu)成回路的總電阻為R,整個(gè)裝置處于垂直于框架平面的變化磁場(chǎng)中,磁感應(yīng)強(qiáng)度(取垂直框架向上為正)隨 時(shí)間變化規(guī)律如圖.乙所示。PQ能始終保持靜 止,則在0〜t2時(shí)間內(nèi),回路中電流i隨時(shí)間t變化的圖像(取P→Q→c→b→P方向?yàn)檎┖蚉Q受到的摩擦力f隨時(shí)間t變化的圖似取平行于框架平面向上為正)可能正確的是

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如圖甲所示,導(dǎo)體框架abcd的ab、cd邊平行,框架平面與水平面的夾角為θ,質(zhì)量為m的導(dǎo)體棒PQ垂直放在兩平行導(dǎo)軌ab、cd上,導(dǎo)體棒與框架構(gòu)成回路的總電阻為R,整個(gè)裝置處于垂直于框架平面的變化磁場(chǎng)中,磁感應(yīng)強(qiáng)度(取垂直框架向上為正)隨時(shí)間變化規(guī)律如圖乙所示.PQ能始終保持靜止,則在0t2時(shí)間內(nèi),回路中電流i隨時(shí)間t變化的圖像(取P→Q→c→b→P方向?yàn)檎┖蚉Q受到的摩擦力f隨時(shí)間t變化的圖像(取平行于框架平面向上為正)可能正確的是(    )

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