如圖所示,在平面直角坐標系xoy平面x≥0某區(qū)域內(nèi),有一勻強磁場區(qū),y軸是磁場左側(cè)的理想邊界,直線NM是磁場右側(cè)的理想邊界,它與y軸的夾角為α。在x≤0的區(qū)域內(nèi)有與坐標系xoy在同一平面的勻強電場,方向水平向右,其電場強度的大小為E。有一質(zhì)量為m,帶電量為+q的粒子(粒子的重力不計),從x軸上的A(-b、0)(b為已知常數(shù))點由靜止釋放,粒子進入磁場后直接從磁場的右邊界射出,粒子射出磁場時的速度方向垂直于直線NM。已知N點坐標為(0、-L),(L為已知常數(shù))
(1)求粒子從A點由靜止釋放,直到射出磁場所需的時間t;
(2)若將粒子從A點右側(cè)某位置釋放,粒子從圖中G點直接射出磁場,且與直線NM所成的角∠NGD為銳角;將粒子從A點左側(cè)某位置釋放,粒子從圖中C點直接射出磁場,且與直線NM所成的角∠NCH為鈍角,兩次射出時速度方向的反向延長線即圖中直線HC與DG的反向延長線的夾角為△θ,粒子兩次在磁場中運動的時間差為△t,求:的比值。
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