光滑絕緣水平面上存在豎直向下的勻強(qiáng)磁場B,寬度為2L,一邊長為L、電阻為R、用同種材料做成的正方形線框以初速度v0從左側(cè)沖進(jìn)磁場區(qū)域,俯視圖如圖所示,當(dāng)線框完全離開磁場時(shí)速度恰好為零.以ab邊剛進(jìn)入磁場時(shí)為時(shí)間和位移的零點(diǎn),用v表示線框速度(以右為正方向),i表示回路中的感應(yīng)電流(以逆時(shí)針方向?yàn)檎,i0表示零時(shí)刻回路的感應(yīng)電流),Uab表示a、b兩點(diǎn)間的電壓,F(xiàn)ab表示ab邊所受的安培力(向左為正,F(xiàn)0表示零時(shí)刻ab邊所受的安培力).則關(guān)于以上四個(gè)物理量對(duì)時(shí)間t或?qū)ξ灰苮的圖象中正確的是( 。
A.
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B.
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C.
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D.
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AB、根據(jù)動(dòng)量定理,BILt=mv0-mv,(其中v0表示初速度,v表示任一時(shí)刻的速度),由q=It,且I=
E
R
(其中R表示線框的電阻),由法拉第電磁感應(yīng)定律E=
△ф
△t
,聯(lián)立解得BL2
Bx
R
=mv0-mv,顯然速度與運(yùn)動(dòng)的位移成線性關(guān)系,故進(jìn)入磁場區(qū)域L位移的過程中和離開磁場區(qū)域L位移的過程中的速率減少量相同,可得線框在磁場中勻速運(yùn)動(dòng)的速度為0.5v0,線框進(jìn)入磁場的過程中和離開磁場的過程中均做加速度減小的減速運(yùn)動(dòng),進(jìn)入磁場的時(shí)間大于離開磁場的時(shí)間,A、B圖線雖然樣式正確,但因A、B圖線均顯示時(shí)間為t0,故A、B錯(cuò)誤.
C、進(jìn)入磁場的過程中ab邊切割磁感線,等效為電源,故Uab=
3
4
E=
3
4
BLv,(v從v0減小到0.5v0),完全進(jìn)入磁場時(shí),線框左右兩邊均切割,但無電流,Uab=0.5BLv0,離開磁場的過程中,線框的左邊切割磁感線,故Uab=
1
4
BLv,(v從0.5v0減小到0),由于在進(jìn)場和出場過程中速度與位移呈線性關(guān)系,故進(jìn)場和出場過程中Uab與位移也成線性關(guān)系,故C正確.
D、對(duì)ab邊受到的安培力只有進(jìn)入磁場過程中存在,而在線框完全進(jìn)入磁場到ab邊離開磁場之前相框中無電流,ab邊不受安培力,線框離開磁場的過程中由于ab邊不在磁場中,將不再受到安培力作用,因此在線框進(jìn)入磁場的過程中,F(xiàn)ab=
B2L2v
R
(v從v0減小到0.5v0),速度與位移成線性關(guān)系,故安培力與位移成線性關(guān)系,故D正確.
故選CD.
練習(xí)冊系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目:高中物理 來源: 題型:

(2011?湖北二模)光滑絕緣水平面上存在豎直向下的勻強(qiáng)磁場B,寬度為2L,一邊長為L、電阻為R、用同種材料做成的正方形線框以初速度v0從左側(cè)沖進(jìn)磁場區(qū)域,俯視圖如圖所示,當(dāng)線框完全離開磁場時(shí)速度恰好為零.以ab邊剛進(jìn)入磁場時(shí)為時(shí)間和位移的零點(diǎn),用v表示線框速度(以右為正方向),i表示回路中的感應(yīng)電流(以逆時(shí)針方向?yàn)檎,i0表示零時(shí)刻回路的感應(yīng)電流),Uab表示a、b兩點(diǎn)間的電壓,F(xiàn)ab表示ab邊所受的安培力(向左為正,F(xiàn)0表示零時(shí)刻ab邊所受的安培力).則關(guān)于以上四個(gè)物理量對(duì)時(shí)間t或?qū)ξ灰苮的圖象中正確的是( 。

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科目:高中物理 來源: 題型:

(2011?安徽二模)光滑絕緣水平面上存在豎直向下的勻強(qiáng)磁場B,寬度為2L,一邊長為L、電阻為R.用同種材料做成的正方形線框以初速度v0從左側(cè)沖進(jìn)磁場區(qū)域,俯視圖如圖所示,當(dāng)線框完全離開磁場時(shí)速度恰好為零.以ab邊剛進(jìn)人磁場時(shí)為時(shí)間和位移的零點(diǎn),用v表示線框速度(以右為正方向),i表示回路中的感應(yīng)電流(以逆時(shí)針方向?yàn)檎,i0表示零時(shí)刻回路的感應(yīng)電流),Uab表示a、b兩點(diǎn)間的電壓,F(xiàn)ab表示ab邊所受的安培力(向左為正,F(xiàn)0表示零時(shí)刻ab邊所受的安培力).則關(guān)于以上四個(gè)物理量對(duì)時(shí)間t或?qū)ξ灰苮的圖象中正確的( 。

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科目:高中物理 來源:2010-2011學(xué)年湖北省高三第二次聯(lián)考理綜)物理部分 題型:選擇題

光滑絕緣水平面上存在豎直向下的勻強(qiáng)磁場B,寬度為2L,一邊長為L、電阻為R.用同種材料做成的正方形線框以初速度v0從左側(cè)沖進(jìn)磁場區(qū)域,俯視圖如圖21 -(a)所示,當(dāng)線框完全離開磁場時(shí)速度恰好為零.以ab邊剛進(jìn)入磁場時(shí)為時(shí)間和位移的零點(diǎn),用v表示線框速度(以右為正方向),i表示回路中的感應(yīng)電流(以逆時(shí)針方向?yàn)檎,i0表示零時(shí)刻回路的感應(yīng)電流),Uab表示a、b兩點(diǎn)間的電壓,F(xiàn)ab表示ab邊所受的安培力(向左為正,F(xiàn)0表示零時(shí)刻ab邊所受的安培力).則關(guān)于以上四個(gè)物理量對(duì)時(shí)間t或?qū)ξ灰苮的圖象中正確的是(    )

 

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科目:高中物理 來源:2010-2011學(xué)年河北省邢臺(tái)市高三第一次模擬物理卷 題型:選擇題

光滑絕緣水平面上存在豎直向下的勻強(qiáng)磁場B,寬度為2L,一邊長為L、電阻為R,用同種材料做成的正方形線框以初速度v0從左側(cè)沖進(jìn)磁場區(qū)域,俯視圖如圖21(a)所示,當(dāng)線框完全離開磁場時(shí)速度恰好為零,以ab邊剛進(jìn)入磁場時(shí)為時(shí)間和位移的零點(diǎn),用v表示線框速度(以右為正方向),i表示回路中的感應(yīng)電流(以逆時(shí)針方向?yàn)檎,i0表示零時(shí)刻回路的感應(yīng)電流),Uab表示a、b兩點(diǎn)間的電勢差,F(xiàn)ab表示ab邊所受的安培力(向左為正,F(xiàn)0表示零時(shí)刻ab邊所受的安培力)。則關(guān)于以上四個(gè)物理量的時(shí)間t或?qū)ξ灰苮的圖象中正確的是 (    )

 

 

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科目:高中物理 來源:2010-2011學(xué)年山東省諸城市高三2月月考(理綜)物理部分 題型:選擇題

光滑絕緣水平面上存在豎直向下的勻強(qiáng)磁場,寬度為2,一邊長為、電阻為.用同種材料做成的正方形線框以初速度從左側(cè)沖進(jìn)磁場區(qū)域,俯視圖如圖所示,當(dāng)線框完全離開磁場時(shí)速度恰好為零.以邊剛進(jìn)入磁場時(shí)為時(shí)間和位移的零點(diǎn),用表示線框速度(以右為正方向),表示回路中的感應(yīng)電流(以逆時(shí)針方向?yàn)檎?img src="http://thumb.zyjl.cn/pic6/res/gzwl/web/STSource/2012052807471012068811/SYS201205280747498706346846_ST.files/image008.png">表示零時(shí)刻回路的感應(yīng)電流),表示、兩點(diǎn)間的電壓,表示邊所受的安培力(向左為正,表示零時(shí)刻邊所受的安培力).則關(guān)于以上四個(gè)物理量對(duì)時(shí)間或?qū)ξ灰?img src="http://thumb.zyjl.cn/pic6/res/gzwl/web/STSource/2012052807471012068811/SYS201205280747498706346846_ST.files/image015.png">的圖象中正確的是

 

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