如圖所示,A、B是豎直放置的中心帶有小孔的平行金屬板,兩板間的電壓為U1=100V,C、D是水平放置的平行金屬板,板間距離為d=0.2m,板的長(zhǎng)度為L(zhǎng)=1m,P是C板的中點(diǎn),A、B兩板小孔連線的延長(zhǎng)線與C、D兩板的距離相等,將一個(gè)負(fù)離子從板的小孔處由靜止釋放,求:
(1)為了使負(fù)離子能打在P點(diǎn),C、D兩板間的電壓應(yīng)為多少?哪板電勢(shì)高?
(2)如果C、D兩板間所加的電壓為4V,則負(fù)離子還能打在板上嗎?若不能打在板上,它離開電場(chǎng)時(shí)發(fā)生的側(cè)移為多少?
分析:本題(1)的關(guān)鍵是明確粒子打在P點(diǎn)的條件,然后根據(jù)類平拋規(guī)律及動(dòng)能定理聯(lián)立即可求解;(2)題的關(guān)鍵是先求出粒子恰好能從板邊緣射出時(shí)的偏轉(zhuǎn)電壓,然后比較討論即可.
解答:解:(1)設(shè)負(fù)離子的質(zhì)量為m,電量為q,從B板小孔飛出的速度為v0,
由動(dòng)能定理  U1q=
1
2
mv02…①
由類平拋規(guī)律:
L
2
=v0t…②
y=
1
2
at2…③
又a=
qU
 
2
md
…④
整理可得y=
U
 
2
L
2
 
16
dU
 
1
…⑤
又y=
d
2
…⑥
聯(lián)立⑤⑥解得U2=32V,因負(fù)離子所受電場(chǎng)力方向向上,所以且C板電勢(shì)高
故為了使負(fù)離子能打在P點(diǎn),C、D兩板間的電壓應(yīng)為32V,C板電勢(shì)高.
(2)若負(fù)離子從水平板邊緣飛出,則應(yīng)滿足:
x=L,y=
d
2

由類平拋規(guī)律可得:
x=
v
 
0
t
,y=
1
2
at
2
 
,
qU
 
1
 
 
=
1
2
mv
2
0

聯(lián)立以上各式解得y=
U
 
2
L
2
 
4
dU
 
1
,將y=
d
2
代入可解得
U
 
2
=8V
可見,如果兩板間所加電壓為4V,則負(fù)離子不能打在板上,而是從兩板間飛出.
U
 
2
=4V,代入y=
U
 
2
L
2
 
4
dU
 
1
,
解得y=0.05m
故如果C、D兩板間所加的電壓為4V,則負(fù)離子不能打在板上,它離開電場(chǎng)時(shí)發(fā)生的側(cè)移為0.05m.
點(diǎn)評(píng):粒子垂直進(jìn)入偏轉(zhuǎn)電場(chǎng)后將做類平拋運(yùn)動(dòng),然后根據(jù)類平拋規(guī)律求解討論即可.
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A、a點(diǎn)的電勢(shì)高于b點(diǎn)的電勢(shì)B、a點(diǎn)的電場(chǎng)強(qiáng)度大于b點(diǎn)的電場(chǎng)強(qiáng)度C、質(zhì)點(diǎn)從a點(diǎn)運(yùn)動(dòng)到b點(diǎn)的過程中電勢(shì)能增加D、質(zhì)點(diǎn)可能處在-Q形成的點(diǎn)電荷電場(chǎng)中,且-Q在b點(diǎn)的正上方

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B.a(chǎn)點(diǎn)的場(chǎng)強(qiáng)大于b點(diǎn)的場(chǎng)強(qiáng)

C.質(zhì)點(diǎn)從a點(diǎn)運(yùn)動(dòng)到b點(diǎn)的過程中電勢(shì)能增加

D.質(zhì)點(diǎn)在a點(diǎn)受到的電場(chǎng)力小于在b點(diǎn)受到的電場(chǎng)力

 

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