如圖所示，勻強(qiáng)磁場(chǎng)豎直向下，磁感應(yīng)強(qiáng)度為B，正方形金屬框abcd可繞光滑軸OO′轉(zhuǎn)動(dòng)，邊長(zhǎng)為L(zhǎng)，總電阻為R。ab邊質(zhì)量為m，其他三邊質(zhì)量不計(jì)，現(xiàn)將abcd拉至水平位置，并由靜止釋放，經(jīng)時(shí)間t到達(dá)豎直位置，產(chǎn)生熱量為Q，若重力加速度為g，則ab邊在最低位置所受安培力大小等于（    ）

A.                  B.BL

C.                           D.

D

解析：在正方形金屬框由靜止釋放，到達(dá)豎直位置的過(guò)程中，由于ab邊做切割磁感線運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生感應(yīng)電流，故機(jī)械能不守恒。

由能量守恒定律有mgL=Q+mv2                      ①

ab邊在最低位置時(shí)由于E=BLv                       ②

I=                                             ③

F安=BIL                                           ④

由以上4式可解得

F安=，故D對(duì)。

練習(xí)冊(cè)系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目：高中物理 來(lái)源： 題型：

如圖所示，勻強(qiáng)磁場(chǎng)豎直向上穿過(guò)水平放置的金屬框架，框架寬L，右端接有電阻R．磁場(chǎng)的磁感強(qiáng)度為B．一根質(zhì)量為m，電阻不計(jì)的金屬棒以v0的初速沿框架向左運(yùn)動(dòng)．棒與框架間的動(dòng)摩擦因數(shù)為μ．測(cè)得棒在整個(gè)運(yùn)動(dòng)過(guò)程中，通過(guò)任一截面的電量為Q．求：
（1）棒能運(yùn)動(dòng)的距離．
（2）R上消耗的電能．

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科目：高中物理 來(lái)源： 題型：

如圖所示，勻強(qiáng)磁場(chǎng)豎直向下，磁感應(yīng)強(qiáng)度為B，空間內(nèi)還存在方向未知的勻強(qiáng)電場(chǎng)．一個(gè)質(zhì)量為m，帶電量為q的帶正電微粒以水平向右的速度v進(jìn)入電場(chǎng)、磁場(chǎng)區(qū)域，恰好能做勻速直線運(yùn)動(dòng)，已知微粒所受重力不能忽略，重力加速度為g，則（　�。�

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科目：高中物理 來(lái)源： 題型：

精英家教網(wǎng)如圖所示，勻強(qiáng)磁場(chǎng)豎直向下，磁感應(yīng)強(qiáng)度為B．有一邊長(zhǎng)為L(zhǎng)的正方形導(dǎo)線框abcd，匝數(shù)為N，可繞oo’邊轉(zhuǎn)動(dòng)，導(dǎo)線框總質(zhì)量為m，總電阻為R．現(xiàn)將導(dǎo)線框從水平位置由靜止釋放，不計(jì)摩擦，轉(zhuǎn)到豎直位置時(shí)動(dòng)能為Ek，則在此過(guò)程中流過(guò)導(dǎo)線某一截面的電量為
 
，導(dǎo)線框中產(chǎn)生熱量為
 
．

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科目：高中物理 來(lái)源： 題型：

（2013?虹口區(qū)二模）如圖所示，勻強(qiáng)磁場(chǎng)豎直向上穿過(guò)水平放置的金屬框架，框架寬L，足夠長(zhǎng)且電阻不計(jì)，右端接有電阻R．磁場(chǎng)的磁感強(qiáng)度為B．一根質(zhì)量為m，電阻不計(jì)的金屬棒以v0的初速沿框架向左運(yùn)動(dòng)．棒與框架間的動(dòng)摩擦因數(shù)為μ．測(cè)得棒在整個(gè)運(yùn)動(dòng)過(guò)程中，通過(guò)電阻的電量為q，則棒能運(yùn)動(dòng)的距離為
qR
BL
qR
BL
，電阻R上消耗的電能為
1
2
m
v
2
0
-
μmgqR
BL
1
2
m
v
2
0
-
μmgqR
BL
．

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科目：高中物理 來(lái)源： 題型：

如圖所示，勻強(qiáng)磁場(chǎng)豎直向下，磁感應(yīng)強(qiáng)度為B。有一邊長(zhǎng)為L(zhǎng)的正方形導(dǎo)線框abcd，匝數(shù)為N，可繞OO′邊轉(zhuǎn)動(dòng)，導(dǎo)線框總質(zhì)量為m，總電阻為R�，F(xiàn)將導(dǎo)線框從水平位置由靜止釋放，則在此過(guò)程中流過(guò)導(dǎo)線某一截面的電量為__________

 

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