A. | P、Q構(gòu)成的電容器的電容增大 | B. | P上電荷量保持不變 | ||
C. | M點(diǎn)的電勢比N點(diǎn)的低 | D. | M點(diǎn)的電勢比N點(diǎn)的高 |
分析 在P、Q間距增大過程中,電容發(fā)生變化,而電容直接與電源相連,電容兩端間的電壓不變,從而可判斷出電量的變化及電流的流向,再次可比較出電勢的高低.
解答 解:電容式觸摸屏與電源串聯(lián),電壓保持不變.在P、Q間距增大過程中,根據(jù)電容決定式$C=\frac{εS}{4πkd}$得電容減小,又根據(jù)電容定義式$C=\frac{Q}{U}$得電容器所帶電量減小,電容器的放電電流通過R的方向由M到N,所以M點(diǎn)的電勢比N點(diǎn)的高.故A、B、C錯,D正確.
故選:D.
點(diǎn)評 解決電容器的動態(tài)分析問題,抓住不變量,若電容始終與電源相連,兩端間的電壓不變;若電容器與電源斷開,則電容器所帶的電量不變.
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科目:高中物理 來源: 題型:多選題
A. | 斜面體對物體的支持力變大 | |
B. | 斜面體對物體的摩擦力變大 | |
C. | 斜面體對物體的支持力和摩擦力的合力不變 | |
D. | 斜面體與水平面間的摩擦力變大 |
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | 電場線一定是不閉合的曲線 | |
B. | 電場線是正電荷在電場中的運(yùn)動軌跡 | |
C. | 電場中某點(diǎn)的場強(qiáng)方向,就是電荷在該點(diǎn)所受電場力的方向 | |
D. | 電場線的疏密表示場強(qiáng)的強(qiáng)弱 |
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | 通電直導(dǎo)線受到的安培力越大,磁感應(yīng)強(qiáng)度也越大 | |
B. | 通電直導(dǎo)線受到安培力的方向,就是磁感應(yīng)強(qiáng)度的方向 | |
C. | 通電直導(dǎo)線與磁場方向垂直時,受到的安培力一定最大,磁感應(yīng)強(qiáng)度也最大 | |
D. | 磁場中某點(diǎn)的磁感應(yīng)強(qiáng)度的方向就是該點(diǎn)的磁場方向 |
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | 4×104N/C | B. | 2.5×104N/C | C. | 5×104N/C | D. | 2×104N/C |
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | 時間比較長,時刻比較短 | |
B. | 電臺報時時說:“現(xiàn)在是北京時間8點(diǎn)整”,這里實際上指的是時刻 | |
C. | 在有些情況下,時間就是時刻,時刻就是時間 | |
D. | 列車在上海站停車20min,指的是時刻 |
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科目:高中物理 來源: 題型:多選題
A. | 平均速度是物體在一段時間內(nèi)位移與所用時間的比值 | |
B. | 平均速率就是平均速度的大小 | |
C. | 瞬時速度是指物體在某一位置或某一時刻的速度 | |
D. | 很短時間內(nèi)的平均速度可認(rèn)為等于瞬時速度 |
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科目:高中物理 來源: 題型:多選題
A. | 物體在這1s末的速度比這1s初的速度總是大3m/s | |
B. | 物體在這1s末的速度比這1s初的速度總是大3倍 | |
C. | 物體在這1s末的速度可能比前1s末的速度小3m/s | |
D. | 物體在這1s末的速度可能比前1s初的速度大6m/s |
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | F1=F2 E1=E2 | B. | F1=2F2 E1=E2 | ||
C. | F1=2F2 E1=2E2 | D. | F1=F2 2E1=E2 |
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