在如圖所示電路中，已知交流電源電壓U=311sin（100πt）V，電阻R=100歐．則電流表和電壓表的讀數(shù)分別為（ ）

A．3．11A，311V B．2．2A，220V

C．2．2A，311V D．3．11A，220V

練習冊系列答案
相關習題

科目：高中物理 來源：2016-2017學年北京市昌平區(qū)高二上學期期末考試物理試卷（解析版） 題型：計算題

一質(zhì)量為m、電荷量為q的帶電粒子以平行于兩極板的速度v0沿兩板中線水平射入勻強電場，如圖所示。設兩極板間電壓為U，兩極板間的距離為d、板長為L，且粒子不會擊中極板，不考慮帶電粒子所受到的重力。求：

（1）粒子在電場中的加速度大小a；

（2）粒子在電場中的飛行時間t；

（3）粒子在豎直方向的位移大小y；

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科目：高中物理 來源：2016-2017學年河北省高二2月調(diào)研物理試卷（解析版） 題型：計算題

一電荷量為q（q＞0）、質(zhì)量為m的帶電粒子在勻強電場的作用下，在t=0時由靜止開始運動，場強隨時間變化的規(guī)律如圖所示．不計重力，求在t=0到t=T的時間間隔內(nèi)

（1）粒子位移的大小和方向；

（2）粒子沿初始電場反方向運動的時間．

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科目：高中物理 來源：2016-2017學年海南中學高二理上學期期末考物理試卷（解析版） 題型：計算題

小型水利發(fā)電站的發(fā)電機輸出功率為24．5 kW，輸出電壓為350 V，輸電線總電阻為4 Ω，為了使輸電線損耗功率為發(fā)電機輸出功率的5%，需在發(fā)電機處設升壓變壓器，用戶所需電壓為220 V，所以在用戶處需安裝降壓變壓器．輸電電路圖如圖所示，求：

（1）輸電線上的電流．

（2）升壓變壓器的原、副線圈的匝數(shù)之比．

（3）降壓變壓器的原、副線圈的匝數(shù)之比．

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科目：高中物理 來源：2016-2017學年海南中學高二理上學期期末考物理試卷（解析版） 題型：多選題

在如圖所示電路中，C為電容器，燈泡電阻為R，電流表內(nèi)阻為零，電壓表內(nèi)阻無限大，交流電源的電壓u＝220sin100πt V，若保持電源電壓的有效值不變，只將電源頻率改為100 Hz，下列說法正確的是（ ）

A．電流表示數(shù)增大 B．電壓表示數(shù)增大

C．燈泡變暗 D．燈泡變亮

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科目：高中物理 來源：2017屆江蘇省高三上學期第二次月考物理試卷（解析版） 題型：簡答題

如圖所示，質(zhì)量為的銅棒長為，棒的兩端與長為的細軟銅線相連，吊在磁感應強度、方向豎直向上的勻強磁場中，當棒中通過恒定電流I后，銅棒向上擺動，最大偏角，取，求：

（1）銅棒中電流I的大小；

（2）銅棒在擺動過程中的最大速率（結(jié)果保留兩位有效數(shù)字）。

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科目：高中物理 來源：2017屆江蘇省高三上學期第二次月考物理試卷（解析版） 題型：選擇題

北京時間11月18日13時59分，“神十一”飛船返回艙在位于內(nèi)蒙古自治區(qū)四子王旗境內(nèi)的阿木古郎草原主著陸場預定區(qū)域著陸，航天員景海鵬．陳冬平安返回。在剛剛過去的33天里，“神十一”和“天宮二號”在與未來空間站相同高度的軌道開展對接實驗，快速變軌控制驗證實驗，為空間站探路，標志著我國航天事業(yè)又向前邁進一大步。關于人造衛(wèi)星若兩顆不同的人造地球衛(wèi)星，它們質(zhì)量的比，它們運行的線速度的比是，那么（ ）

A. 它們運行的周期比為

B. 它們運行的軌道半徑之比為

C. 它們所受向心力的比為

D. 它們正常運行的線速度一定大于

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科目：高中物理 來源：2017屆重慶八中高三上學期適應性月考四物理試卷（解析版） 題型：選擇題

平面OM和平面ON之間的夾角為35°，其橫截面（紙面）如圖所示，平面OM上方存在勻強磁場，大小為B，方向垂直于紙面向外。一質(zhì)量為m，電荷量絕對值為q、電性未知的帶電粒子從OM上的某點向左上方射入磁場，速度與OM成20°角，運動一會兒后從OM上另一點射出磁場。不計重力。則下列幾種情形可能出現(xiàn)的是

A. 粒子在磁場中運動的軌跡與ON只有一個公共點，在磁場中運動的時間是

B. 粒子在磁場中運動的軌跡與ON只有一個公共點，在磁場中運動的時間是

C. 粒子在磁場中運動的軌跡與ON共有兩個公共點，在磁場中運動的時間是

D. 粒子在磁場中運動的軌跡與ON共有兩個公共點，在磁場中運動的時間是

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科目：高中物理 來源：2017屆河南省南陽市高三第九次周考理綜物理卷（解析版） 題型：多選題

下列說法正確的是（ ）

A.顯微鏡下觀察到墨水中小炭粒在不停的做無規(guī)則運動，這反映了液體分子運動的無規(guī)則性

B．分子間的相互作用力隨著分子間距離的增大，一定先減小后增大

C．分子勢能隨著分子間距離的增大，可能先減小后增大

D．在真空、高溫條件下，可以利用分子擴散向半導體材料中摻入其它元素

E．當溫度升高時，物體內(nèi)每一個分子熱運動的速率一定都增大

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