【題目】用電流表和電壓表測量電阻Rx的阻值.如圖所示,分別將圖甲和圖乙兩種測量電路連接到電路中,按照甲圖時(shí),電流表示數(shù)4.60 mA,電壓表示數(shù)2.50 V;按照乙圖時(shí),電流表示數(shù)為5.00 mA,電壓表示數(shù)為2.30 V,比較這兩次結(jié)果,正確的是( )
A. 電阻的真實(shí)值更接近543 Ω,且大于543 Ω
B. 電阻的真實(shí)值更接近543 Ω,且小于543 Ω
C. 電阻的真實(shí)值更接近460 Ω,且大于460 Ω
D. 電阻的真實(shí)值更接近460 Ω,且小于460 Ω
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科目:高中物理 來源: 題型:
【題目】如圖所示,內(nèi)壁光滑的導(dǎo)熱氣缸豎直放置,用質(zhì)量不計(jì)、橫截面積S=3×10-4m2的活塞封閉了一定質(zhì)量的理想氣體。先在活塞上方緩緩倒入沙子(圖中未畫出),使封閉氣體的體積緩慢變?yōu)樵瓉淼乃姆种?/span>(外界環(huán)境溫度為300K,大氣壓強(qiáng)P0=1×105Pa,g=10m/s2)。求:
①倒入沙子的質(zhì)量;
②繼續(xù)加沙子的同時(shí)對(duì)氣缸加熱,使活塞位置保持不變,若沙子的質(zhì)量是原來的兩倍,則氣體溫度為多少?
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科目:高中物理 來源: 題型:
【題目】如圖,現(xiàn)有一束平行單色光垂直入射到一半徑為R的玻璃半球的底面上,O點(diǎn)是半球的球心,虛線OO′是過球心O與半球底面垂直的直線,已知光速為c,玻璃對(duì)該色光的折射率為。
①底面上多大區(qū)域面積的入射光線能夠直接從球面射出?
②某入射光線從距離虛線OO′為0.5R處入射,經(jīng)球面折射后與OO′有交點(diǎn),求該光線從進(jìn)入半球到該交點(diǎn)的運(yùn)動(dòng)時(shí)間?
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科目:高中物理 來源: 題型:
【題目】如圖甲為一個(gè)多用電表的表盤,圖中S、K、T為三個(gè)可調(diào)節(jié)部件,該多用電表用作歐姆表的原理如圖乙.
(1)現(xiàn)用此多用表測量一個(gè)阻值約為十幾歐的定值電阻,主要操作步驟如下:
①調(diào)節(jié)可調(diào)節(jié)部件___________,使電表指針停在表盤左側(cè)零位置;
②調(diào)節(jié)可調(diào)節(jié)部件___________,選擇“×1”擋位置;
③將紅、黑表筆分別插入“+”“-”插孔,筆尖相互接觸,調(diào)節(jié)可調(diào)節(jié)部件___________,使表筆指針指向右側(cè)零位置;
④將紅、黑表筆的筆尖分別接觸電阻的兩端,由表頭指針示數(shù)則得電阻值.
(2)選擇歐姆表的“×lk擋,兩表筆筆尖相互接觸且調(diào)零時(shí),圖乙中電源電動(dòng)勢和內(nèi)阻分別為E、r,表頭G的內(nèi)阻為Rg,滑動(dòng)變阻器的阻值為R,則表頭G的滿偏電流Ig=___________(用題給符號(hào)表示);再把表筆的筆尖和某電阻接觸,歐姆表的示數(shù)如圖丙,若電源電動(dòng)勢E=6V,則通過表頭G的電流I=_______mA.
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科目:高中物理 來源: 題型:
【題目】如圖所示,一束光從空氣沿與玻璃球直徑BA的延長線成60°角的方向射入玻璃球.已知玻璃球的折射率為n=3,直徑為D=20cm光在真空中的速度為c=3×108m/s求:
(1)光線剛進(jìn)入玻璃球時(shí)與直徑AB的夾角;
(2)光線從剛進(jìn)入玻璃球并在玻璃球內(nèi)部經(jīng)過一次反射而離開墳璃球經(jīng)歷的時(shí)間。
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科目:高中物理 來源: 題型:
【題目】水平方向的傳送帶,順時(shí)針轉(zhuǎn)動(dòng),傳送帶速度大小V=2m/s不變,兩端A、B間距離為3m。一物塊從B端以V0=4m/s滑上傳送帶,物塊與傳送帶間的動(dòng)摩擦因數(shù)μ=0.4,g=10m/s2。物塊從滑上傳送帶至離開傳送帶的過程中,速度隨時(shí)間變化的圖象是( )
A. B. C. D.
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科目:高中物理 來源: 題型:
【題目】某質(zhì)點(diǎn)做勻減速直線運(yùn)動(dòng),依次經(jīng)過A、B、C三點(diǎn),最后停在D點(diǎn),如圖所示.已知AB=6 m,BC=4 m,從A點(diǎn)運(yùn)動(dòng)到B點(diǎn)和從B點(diǎn)運(yùn)動(dòng)到C點(diǎn)兩個(gè)過程速度變化量都為-2 m/s,則下列說法正確的是( )
A. 質(zhì)點(diǎn)的加速大小為2 m/s2
B. 質(zhì)點(diǎn)到達(dá)B點(diǎn)時(shí)速度大小為2.55 m/s
C. A、D兩點(diǎn)間的距離為12.25 m
D. 質(zhì)點(diǎn)從A點(diǎn)運(yùn)動(dòng)到C點(diǎn)的時(shí)間為4 s
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科目:高中物理 來源: 題型:
【題目】如圖A、B為a、b兩束單色光分別經(jīng)過同一雙縫干涉裝置后在屏上形成的干涉圖樣,則( )
A. 在真空中,a光的傳播速度小于b光的傳播速度
B. 在相同條件下,a光比b光更容易發(fā)生明顯的衍射現(xiàn)象
C. 若b光照射某金屬能發(fā)生光電效應(yīng),則a光照射該金屬也一定能發(fā)生光電效應(yīng)
D. 若兩束光都能使某金屬發(fā)生光電效應(yīng),則b光速照射時(shí)溢出的光電子數(shù)量更多
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科目:高中物理 來源: 題型:
【題目】如圖為俯視圖,虛線MN的右側(cè)存在一個(gè)豎直向上的勻強(qiáng)磁場,磁感應(yīng)強(qiáng)度為B. 電阻為R、質(zhì)量為m,邊長為L的正方形單匝金屬線框abcd放在光滑水平面上,ab邊在磁場外側(cè)緊靠MN虛線邊界.當(dāng)線框以初速度v0向左離開磁場過程中,安培力對(duì)線框所做的功為W.求:
(1)初速度v0時(shí)刻,線框中感應(yīng)電流I大小和方向;
(2)線框cd邊穿出磁場時(shí)速度v;
(3)線框穿出磁場一半過程中,通過線框截面的電量q
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