A、當穿過線框的磁通量為零時,線框中感應電動勢也為零 | ||
B、當穿過線框的磁通量減小時,線框中感應電動勢也減小 | ||
C、當穿過線框的磁通量等于0.5φm時,線框中感應電動勢不等于0.5Em | ||
D、線框轉(zhuǎn)動的角速度等于
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| ||
2 |
Em |
φm |
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科目:高中物理 來源:2011-2012學年江西省高三聯(lián)合考試理綜物理卷(解析版) 題型:選擇題
如圖所示,由粗細均勻的導電材料做成的單匝矩形線框abcd的電阻為R,線框的質(zhì)量為m,高度為L、寬度為2L.若線框無初速度地從高處落下,下邊保持水平向下平動.在線框的下方,有一個上、下界面都是水平的勻強磁場區(qū),磁場區(qū)高度為2L,磁場方向與線框平面垂直.閉合線圈下落后,可勻速進入磁場區(qū).對此,下列說法中正確的是
A.線圈ab邊剛進入磁場時,感應電流的方向為a→b→c→d→a
B.線圈ab邊剛進入磁場時,a、b兩點間的電壓為
C.線圈在磁場以上,下落的高度為
D.線圈從開始下落到ab邊剛好離開磁場的過程中,電路中產(chǎn)生的電能為2mgL
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科目:高中物理 來源: 題型:
如圖所示,由粗細均勻的導電材料做成的單匝矩形線框abcd的電阻為R,線框的質(zhì)量為m,高度為L、寬度為2L.若線框無初速度地從高處落下,下邊保持水平向下平動.在線框的下方,有一個上、下界面都是水平的勻強磁場區(qū),磁場區(qū)高度為2L,磁場方向與線框平面垂直.閉合線圈下落后,可勻速進入磁場區(qū).對此,下列說法中正確的是
A.線圈ab邊剛進入磁場時,感應電流的方向為a→b→c→d→a
B.線圈ab邊剛進入磁場時,a、b兩點間的電壓為
C.線圈在磁場以上,下落的高度為
D.線圈從開始下落到ab邊剛好離開磁場的過程中,電路中產(chǎn)生的電能為2mgL
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科目:高中物理 來源:2012屆江西省贛州三中、于都中學高三聯(lián)合考試理綜物理卷(帶解析) 題型:單選題
如圖所示,由粗細均勻的導電材料做成的單匝矩形線框abcd的電阻為R,線框的質(zhì)量為m,高度為L、寬度為2L.若線框無初速度地從高處落下,下邊保持水平向下平動.在線框的下方,有一個上、下界面都是水平的勻強磁場區(qū),磁場區(qū)高度為2L,磁場方向與線框平面垂直.閉合線圈下落后,可勻速進入磁場區(qū).對此,下列說法中正確的是
A.線圈ab邊剛進入磁場時,感應電流的方向為a→b→c→d→a |
B.線圈ab邊剛進入磁場時,a、b兩點間的電壓為 |
C.線圈在磁場以上,下落的高度為 |
D.線圈從開始下落到ab邊剛好離開磁場的過程中,電路中產(chǎn)生的電能為2mgL |
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