若圖1為某磁敏電阻在室溫下的電阻-磁感應強度特性曲線,其中RB、RO分別表示有、無磁場時磁敏電阻的阻值。為了測量磁感應強度B,需先測量磁敏電阻處于磁場中的電阻值RB。請按要求完成下列實驗。
(1)設計一個可以測量磁場中該磁敏電阻阻值的電路,在圖2的虛線框內畫出實驗電路原理圖(磁敏電阻及所處磁場已給出,待測磁場磁感應強度大小約為0.6~1.0T,不考慮磁場對電路其它部分的影響)。要求誤差較小。
提供的器材如下:
A.磁敏電阻,無磁場時阻值
B.滑動變阻器R,全電阻約
C.電流表,量程2.5mA,內阻約
D.電壓表,量程3V,內阻約3k
E.直流電源E,電動勢3V,內阻不計
F.開關S,導線若干
(2)正確接線后,將磁敏電阻置入待測磁場中,測量數(shù)據(jù)如下表:
| 1 | 2 | 3 | 4 | 5 | 6 |
U(V) | 0.00 | 0.45 | 0.91 | 1.50 | 1.79 | 2.71 |
I(mA) | 0.00 | 0.30 | 0.60 | 1.00 | 1.20 | 1.80 |
根據(jù)上表可求出磁敏電阻的測量值RB= ,結合圖1可知待測磁場的磁感
應強度B= T。
(3)試結合圖1簡要回答,磁感應強度B在0~0.2T和0.4~1.0T范圍內磁敏電阻阻值的變化規(guī)律有何不同?
(4)某同學查閱相關資料時看到了圖3所示的磁敏電阻在一定溫度下的電阻-磁感應強度特性曲線(關于縱軸對稱),由圖線可以得到什么結論?
(1)如下圖所示
(2)1500 0.90
(3)在0~0.2T范圍內,磁敏電阻的阻值隨磁感應強度非線性變化(或不均勻變化);在
0. 4~1.0T范圍內,磁敏電阻的阻值隨磁感應強度線性變化(或均勻變化)
(4)磁場反向,磁敏電阻的阻值不變。
解析:(1)由圖1得B=0.6 T時,=6.4,則=960 Ω。B=1.0 T時,=11.4,則=1 710 Ω,因Rb遠大于滑動變阻器R,故滑動變阻器需用分壓接法控制電路;因RB遠大于電流表的內阻,故安培表需用內接法,故測磁場中該磁敏電阻阻值的電路如上圖所示。
(2)由實驗原理知Rb=,由表數(shù)據(jù)可得==1.5×103 Ω, =1.52×103 Ω, =1.49×103 Ω,=1.51×103 Ω,=1.5×103 Ω,則
RB==1.5×103 Ω(或畫U-I圖線,得Rb);因=10,由圖1可得B=0.9 T。
(3)由圖1知磁感應強度B在0—0.2 T范圍時,-B圖線為曲線(非線性),故磁敏電阻的阻值隨B的變化為非均勻變化;由圖1知磁感應強度B在0.4—1.0 T范圍時B圖線為直線(線性關系),故磁敏電阻的阻值隨B變化為均勻變化。
(4)由圖3,因RB-B圖線是關于縱軸對稱的,故磁感應強度B大小相等,方向相反時,磁敏電阻的阻值不變。
科目:高中物理 來源: 題型:閱讀理解
1 | 2 | 3 | 4 | 5 | 6 | |
U (V) | 0.00 | 0.45 | 0.92 | 1.50 | 1.79 | 2.71 |
A (mA) | 0.00 | 0.30 | 0.60 | 1.00 | 1.20 | 1.80 |
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科目:高中物理 來源: 題型:
1 | 2 | 3 | 4 | 5 | 6 | |
U(V) | 0.00 | 0.45 | 0.91 | 1.50 | 1.79 | 2.71 |
I(Ma) | 0.00 | 0.30 | 0.60 | 1.00 | 1.20 | 1.80 |
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科目:高中物理 來源: 題型:
1 | 2 | 3 | 4 | 5 | |
U(V) | 0.45 | 0.91 | 1.50 | 1.78 | 2.71 |
I(mA) | 0.30 | 0.60 | 1.00 | 1.20 | 1.80 |
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科目:高中物理 來源: 題型:
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科目:高中物理 來源: 題型:
A、閉合開關S,圖乙中只增加磁感應強度的大小時,伏特表的示數(shù)增大 | B、閉合開關S,圖乙中只改變磁場方向原來方向相反時,伏特表的示數(shù)減小 | C、閉合開關S,圖乙中只增加磁感應強度的大小時,流過ap段的電流可能減小 | D、閉合開關S,圖乙中只增加磁感應強度的大小時,電源的輸出功率可能增大 |
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