A.在t1時(shí)刻,電路中的磁場(chǎng)能最小
B.從t1到t2,電路中的電流不斷變小
C.從t2到t3,電容器兩極板間電勢(shì)差不斷增大
D.在t4時(shí)刻,電容器中的電場(chǎng)能最小
ACD
解析:在t1時(shí)刻,電容器上電荷量最大,則電場(chǎng)能最大,而磁場(chǎng)能為零時(shí)最小,選項(xiàng)A正確.
從t1到t2,電容器上電荷量逐漸減小,則振蕩電流在逐漸增大.選項(xiàng)B錯(cuò)誤.
從t2到t3,電容器上電荷量逐漸增大,則兩極板間電勢(shì)差隨之增大.選項(xiàng)C正確.
在t4時(shí)刻,電容器上電荷量為零,則電場(chǎng)能為零時(shí)最小.選項(xiàng)D正確.
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:
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科目:高中物理 來(lái)源:2012-2013學(xué)年江西省景德鎮(zhèn)市高二下學(xué)期期末質(zhì)量檢測(cè)物理試卷(帶解析) 題型:單選題
在如圖所示的LC振蕩電路中,通過(guò)P點(diǎn)的電流隨時(shí)間變化的圖線(xiàn)如圖(b)所示,若把通過(guò)P點(diǎn)向右的電流規(guī)定為i軸的正方向,則
A.0至0.5ms內(nèi),電容器C正在充電 |
B.0.5ms至1ms內(nèi),電容器上極板帶正電荷 |
C.1ms至1.5ms內(nèi),Q點(diǎn)比P點(diǎn)電勢(shì)高 |
D.1.5ms至2ms內(nèi)磁場(chǎng)能在減少,磁感應(yīng)強(qiáng)度增大 |
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科目:高中物理 來(lái)源:2014屆江西省景德鎮(zhèn)市高二下學(xué)期期末質(zhì)量檢測(cè)物理試卷(解析版) 題型:選擇題
在如圖所示的LC振蕩電路中,通過(guò)P點(diǎn)的電流隨時(shí)間變化的圖線(xiàn)如圖(b)所示,若把通過(guò)P點(diǎn)向右的電流規(guī)定為i軸的正方向,則
A.0至0.5ms內(nèi),電容器C正在充電
B.0.5ms至1ms內(nèi),電容器上極板帶正電荷
C.1ms至1.5ms內(nèi),Q點(diǎn)比P點(diǎn)電勢(shì)高
D.1.5ms至2ms內(nèi)磁場(chǎng)能在減少,磁感應(yīng)強(qiáng)度增大
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科目:高中物理 來(lái)源:不詳 題型:單選題
A.0至0.5ms內(nèi),電容器C正在充電 |
B.0.5ms至1ms內(nèi),電容器上極板帶正電荷 |
C.1ms至1.5ms內(nèi),Q點(diǎn)比P點(diǎn)電勢(shì)高 |
D.1.5ms至2ms內(nèi)磁場(chǎng)能在減少,磁感應(yīng)強(qiáng)度增大 |
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