質(zhì)譜議的構(gòu)造原理如圖所示.從粒子源S出來(lái)時(shí)的粒子速度很小,可以看作初速為零,粒子經(jīng)過(guò)電場(chǎng)加速后進(jìn)入有界的垂直紙面向里的勻強(qiáng)磁場(chǎng)區(qū)域,并沿著半圓周運(yùn)動(dòng)而達(dá)到照相底片上的P點(diǎn),測(cè)得P點(diǎn)到入口的距離為x,則以下說(shuō)法正確的是

A.粒子一定帶正電

B.粒子一定帶負(fù)電

C.x越大,則粒子的質(zhì)量與電量之比一定越大

D.x越大,則粒子的質(zhì)量與電量之比一定越小

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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:

精英家教網(wǎng)質(zhì)譜議的構(gòu)造原理如圖所示.從粒子源S出來(lái)時(shí)的粒子速度很小,可以看作初速為零,粒子經(jīng)過(guò)電場(chǎng)加速后進(jìn)入有界的垂直紙面向里的勻強(qiáng)磁場(chǎng)區(qū)域,并沿著半圓周運(yùn)動(dòng)而達(dá)到照相底片上的P點(diǎn),測(cè)得P點(diǎn)到入口的距離為x,則以下說(shuō)法正確的是( 。

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質(zhì)譜議的構(gòu)造原理如圖所示.從粒子源S出來(lái)時(shí)的粒子速度很小,可以看作初速為零,粒子經(jīng)過(guò)電場(chǎng)加速后進(jìn)入有界的垂直紙面向里的勻強(qiáng)磁場(chǎng)區(qū)域,并沿著半圓周運(yùn)動(dòng)而達(dá)到照相底片上的P點(diǎn),測(cè)得P點(diǎn)到入口的距離為x,則以下說(shuō)法正確的是

A.粒子一定帶正電

B.粒子一定帶負(fù)電

C.x越大,則粒子的質(zhì)量與電量之比一定越大

D.x越大,則粒子的質(zhì)量與電量之比一定越小

 

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科目:高中物理 來(lái)源:不詳 題型:多選題

質(zhì)譜議的構(gòu)造原理如圖所示.從粒子源S出來(lái)時(shí)的粒子速度很小,可以看作初速為零,粒子經(jīng)過(guò)電場(chǎng)加速后進(jìn)入有界的垂直紙面向里的勻強(qiáng)磁場(chǎng)區(qū)域,并沿著半圓周運(yùn)動(dòng)而達(dá)到照相底片上的P點(diǎn),測(cè)得P點(diǎn)到入口的距離為x,則以下說(shuō)法正確的是( 。
A.粒子一定帶正電
B.粒子一定帶負(fù)電
C.x越大,則粒子的質(zhì)量與電量之比一定越大
D.x越大,則粒子的質(zhì)量與電量之比一定越小
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科目:高中物理 來(lái)源:2012年廣東省珠海一中高考物理模擬試卷(解析版) 題型:選擇題

質(zhì)譜議的構(gòu)造原理如圖所示.從粒子源S出來(lái)時(shí)的粒子速度很小,可以看作初速為零,粒子經(jīng)過(guò)電場(chǎng)加速后進(jìn)入有界的垂直紙面向里的勻強(qiáng)磁場(chǎng)區(qū)域,并沿著半圓周運(yùn)動(dòng)而達(dá)到照相底片上的P點(diǎn),測(cè)得P點(diǎn)到入口的距離為x,則以下說(shuō)法正確的是( )

A.粒子一定帶正電
B.粒子一定帶負(fù)電
C.x越大,則粒子的質(zhì)量與電量之比一定越大
D.x越大,則粒子的質(zhì)量與電量之比一定越小

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科目:高中物理 來(lái)源:2012屆廣東省惠州市高三4月模擬考試?yán)砜凭C合物理試卷(帶解析) 題型:單選題

質(zhì)譜議的構(gòu)造原理如圖所示.從粒子源S出來(lái)時(shí)的粒子速度很小,可以看作初速為零,粒子經(jīng)過(guò)電場(chǎng)加速后進(jìn)入有界的垂直紙面向里的勻強(qiáng)磁場(chǎng)區(qū)域,并沿著半圓周運(yùn)動(dòng)而達(dá)到照相底片上的P點(diǎn),測(cè)得P點(diǎn)到入口的距離為x,則以下說(shuō)法正確的是

A.粒子一定帶正電
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C.x越大,則粒子的質(zhì)量與電量之比一定越大
D.x越大,則粒子的質(zhì)量與電量之比一定越小

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