如圖所示，勻強(qiáng)磁場(chǎng)區(qū)域?qū)挾葹長(zhǎng)，使一個(gè)邊長(zhǎng)為d（d＞L）的矩形線圈以恒定速度v向右通過磁場(chǎng)區(qū)域，在整個(gè)過程中，有感應(yīng)電流的時(shí)間為（　�。�
分析：當(dāng)通過閉合回路磁通量變化時(shí)，回路中有感應(yīng)電流，則線圈右邊進(jìn)磁場(chǎng)的過程和左邊出磁場(chǎng)的過程中，有感應(yīng)電流．
解答：解：當(dāng)線圈右邊進(jìn)磁場(chǎng)和左邊出磁場(chǎng)時(shí)，回路磁通量發(fā)生變化，有感應(yīng)電流，有感應(yīng)電流的時(shí)間t=
L
v
+
L
v
=
2L
v
，故B正確，A、C、D錯(cuò)誤．
故選B．
點(diǎn)評(píng)：解決本題的關(guān)鍵掌握感應(yīng)電流產(chǎn)生的條件，當(dāng)通過閉合回路的磁通量發(fā)生變化時(shí)，有感應(yīng)電流．
練習(xí)冊(cè)系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目：高中物理 來(lái)源： 題型：

在方向如圖所示的勻強(qiáng)電場(chǎng)（場(chǎng)強(qiáng)為E）和勻強(qiáng)磁場(chǎng)（磁感應(yīng)強(qiáng)度為B）共存的場(chǎng)區(qū)，一電子沿垂直電場(chǎng)線和磁感線方向以速度v0射入場(chǎng)區(qū)，則（　�。�

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科目：高中物理 來(lái)源： 題型：

在方向如圖所示的勻強(qiáng)電場(chǎng)（場(chǎng)強(qiáng)為E）和勻強(qiáng)磁場(chǎng)（磁感應(yīng)強(qiáng)度為B）共存的場(chǎng)區(qū)，一電子沿垂直電場(chǎng)線和磁感線方向以速度v0射入場(chǎng)區(qū)，則（　�。�

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科目：高中物理 來(lái)源： 題型：

（2012?長(zhǎng)寧區(qū)一模）如圖所示，勻強(qiáng)磁場(chǎng)磁感應(yīng)強(qiáng)度 B=0.2T，磁場(chǎng)寬度 L=0.3m，一正方形金屬框邊長(zhǎng) ab=0.1m，每邊電阻R=0.2Ω，金屬框在拉力F作用下以v=10m/s的速度勻速穿過磁場(chǎng)區(qū)，其平面始終保持與磁感線方向垂直．求：
（1）畫出金屬框穿過磁場(chǎng)區(qū)的過程中，金屬框內(nèi)感應(yīng)電流i和a、b兩端電壓Uab隨時(shí)間t的變化圖線（規(guī)定以adcba為正方向）；
（2）金屬框穿過磁場(chǎng)區(qū)域的過程中，拉力F做的功；
（3）金屬框穿過磁場(chǎng)區(qū)域的過程中，導(dǎo)線ab上所產(chǎn)生的熱量．

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科目：高中物理 來(lái)源： 題型：

精英家教網(wǎng)在如圖所示的勻強(qiáng)電場(chǎng)（場(chǎng)強(qiáng)為E）和勻強(qiáng)磁場(chǎng)（磁感應(yīng)強(qiáng)度為B）正交的場(chǎng)區(qū)，一電子沿垂直電場(chǎng)線和磁感線方向以速度v0射入場(chǎng)區(qū)，則（　　）
A、若v0＞
E
B
，電子沿軌跡Ⅰ運(yùn)動(dòng)，射出場(chǎng)區(qū)時(shí)，速度v＞v0
B、若v0＞
E
B
，電子沿軌跡Ⅱ運(yùn)動(dòng)，射出場(chǎng)區(qū)時(shí)，速度v＜v0
C、若υ0＜
E
B
，電子沿軌跡Ⅰ運(yùn)動(dòng)，射出場(chǎng)區(qū)時(shí)，速度υ＞υ0
D、若υ0＜
E
B
，電子沿軌跡Ⅱ運(yùn)動(dòng)，射出場(chǎng)區(qū)時(shí)，速度υ＜υ0

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科目：高中物理 來(lái)源： 題型：

精英家教網(wǎng)在方向如圖所示的勻強(qiáng)電場(chǎng)（場(chǎng)強(qiáng)為E）和勻強(qiáng)磁場(chǎng)（磁感應(yīng)強(qiáng)度為B）共存的場(chǎng)區(qū)，一電子沿垂直電場(chǎng)線和磁感線方向以速度v0 射入場(chǎng)區(qū)，則（　�。�
A、若v0＞
E
B
，電子沿軌跡Ⅰ運(yùn)動(dòng)，射出場(chǎng)區(qū)時(shí)，速度v＞v0
B、若v0＞
E
B
，電子沿軌跡Ⅱ運(yùn)動(dòng)，射出場(chǎng)區(qū)時(shí)，速度v＜v0
C、若v0＜
E
B
，電子沿軌跡Ⅰ運(yùn)動(dòng)，射出場(chǎng)區(qū)時(shí)，速度v＜v0
D、若v0＜
E
B
，電子沿軌跡Ⅱ運(yùn)動(dòng)，射出場(chǎng)區(qū)時(shí)，速度v＜v0

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