精英家教網(wǎng)如圖所示,一邊長(zhǎng)L,質(zhì)量m2=m,電阻為R的正方形導(dǎo)體線框abcd,與一質(zhì)量為m1=2m的物塊通過輕質(zhì)細(xì)線繞過定滑輪P和輪軸Q后相聯(lián)系,Q的輪和軸的半徑之比為r1:r2=2:1.起初ad邊距磁場(chǎng)下邊界為L(zhǎng),磁感應(yīng)強(qiáng)度B,磁場(chǎng)寬度也為L(zhǎng),且物塊放在傾角θ=53°的斜面上,斜面足夠長(zhǎng),物塊與斜面間的動(dòng)摩擦因數(shù)μ=0.5.現(xiàn)將物塊由靜止釋放,經(jīng)一段時(shí)間后發(fā)現(xiàn)當(dāng)ad邊從磁場(chǎng)上邊緣穿出時(shí),線框恰好做勻速運(yùn)動(dòng).(sin53°=0.8,cos53°=0.6)求:
(1)線框與物體在任一時(shí)刻的動(dòng)能之比;
(2)ad邊從磁場(chǎng)上邊緣穿出時(shí)速度的大;
(3)ad剛進(jìn)入磁場(chǎng)時(shí)線框動(dòng)能的大小和線框進(jìn)入磁場(chǎng)過程中通過ab截面的電量;
(4)線框穿過磁場(chǎng)的運(yùn)動(dòng)過程產(chǎn)生的焦耳熱.
分析:(1)對(duì)Q同軸轉(zhuǎn)動(dòng),角速度相等,則線速度之比為1:2,所以線框與物體的速度之比v2:v1=1:2,從而得出線框和物體在任一時(shí)刻的動(dòng)能之比.
(2)當(dāng)線框做勻速運(yùn)動(dòng)時(shí),物塊和線框均處于平衡狀態(tài),根據(jù)共點(diǎn)力平衡,結(jié)合閉合電路歐姆定律以及切割產(chǎn)生的電動(dòng)勢(shì)公式,通過兩個(gè)拉力的關(guān)系T1r1=T2r2,求出ad邊從磁場(chǎng)上邊緣穿出時(shí)速度的大小.
(3)根據(jù)q=N
△Φ
R
求出線框進(jìn)入磁場(chǎng)過程中通過ab截面的電量.從線框剛剛開始運(yùn)動(dòng)到ad邊剛要進(jìn)入磁場(chǎng),對(duì)系統(tǒng)運(yùn)用動(dòng)能定理,抓住線框與物塊動(dòng)能的關(guān)系,求出ad剛進(jìn)入磁場(chǎng)時(shí)線框動(dòng)能的大。
(4)從初狀態(tài)到線框剛剛完全出磁場(chǎng),運(yùn)用能量守恒定律,求出線框穿過磁場(chǎng)的運(yùn)動(dòng)過程產(chǎn)生的焦耳熱.
解答:解:(1)對(duì)Q同軸轉(zhuǎn)動(dòng):所以線框與物體的速度之比v2:v1=1:2,
EK=
1
2
mv2
知:EK1:EK2=8:1                                 
(2)由于線框勻速出磁場(chǎng),
則對(duì)m1有:m1gsinθ-μm1gcosθ=T1,
對(duì)m2有:T2=m2g+BIL,
對(duì)Q有:T1r1=T2r2
聯(lián)立并代入數(shù)據(jù)可得:v=
2m1g(sinθ-μcosθ)-m2g
B2L2
R=
mgR
B2L2

(3)電量   q=It=
BL
 
2
 
R

從線框剛剛開始運(yùn)動(dòng)到ad邊剛要進(jìn)入磁場(chǎng),由動(dòng)能定理得:(m1gsinθ-μm1gcomθ)×2L-m2gL=EK2+EK1-0
且8EK2=EK1將代入,整理可得線框剛剛進(jìn)入磁場(chǎng)時(shí),動(dòng)能為EK2=
mgL
9

(4)從初狀態(tài)到線框剛剛完全出磁場(chǎng),由能的轉(zhuǎn)化與守恒定律可得(m1gsinθ-μm1gcosθ)×6L-m2g×3L=Q+
1
2
m1(2v)2+
1
2
m2v2

將數(shù)值代入,整理可得線框在整個(gè)運(yùn)動(dòng)過程中產(chǎn)生的焦耳熱為:Q=3mgL-
9m3g2R2
2B4L4

答:(1)線框與物體在任一時(shí)刻的動(dòng)能之比8:1.
(2)ad邊從磁場(chǎng)上邊緣穿出時(shí)速度的大小
mgR
B2L2

(3)ad剛進(jìn)入磁場(chǎng)時(shí)線框動(dòng)能的大小
mgL
9
,通過ab截面的電量
BL
 
2
 
R

(4)線框穿過磁場(chǎng)的運(yùn)動(dòng)過程產(chǎn)生的焦耳熱為3mgL-
9m3g2R2
2B4L4
點(diǎn)評(píng):本題綜合考查了牛頓第二定律、動(dòng)能定理、能量守恒定律,綜合性強(qiáng),對(duì)學(xué)生能力要求較高,是一道難題,解題時(shí)注意物塊與線框的速度關(guān)系,通過的位移關(guān)系.
練習(xí)冊(cè)系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目:高中物理 來源: 題型:

如圖所示,一邊長(zhǎng)L=10cm的正方形金屬導(dǎo)體框abcd,從某一高度h m處開始豎直向下自由下落,其下邊進(jìn)入只有水平上邊界的勻強(qiáng)磁場(chǎng),磁感應(yīng)強(qiáng)度B=1.0T.線框進(jìn)入磁場(chǎng)時(shí),線框平面保持與磁場(chǎng)垂直,線框底邊保持水平.已知正方形線框abcd的質(zhì)量m=0.1kg,電阻R=0.02Ω,自下邊ab進(jìn)入磁場(chǎng)直到上邊cd也進(jìn)入磁場(chǎng)時(shí)為止,整個(gè)線框恰好能夠保持做勻速直線運(yùn)動(dòng).若g=10m/s2,不計(jì)空氣阻力,求:
(1)線框下落的高度h;
(2)線框在上述進(jìn)入磁場(chǎng)的過程中感應(yīng)電流產(chǎn)生的焦耳熱Q.

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科目:高中物理 來源: 題型:

精英家教網(wǎng)如圖所示,一邊長(zhǎng)L=0.2m,質(zhì)量m1=0.5kg,電阻R=0.1Ω的正方形導(dǎo)體線框abcd,與一質(zhì)量為m2=2kg的物塊通過輕質(zhì)細(xì)線跨過兩定滑輪相連.起初ad邊距磁場(chǎng)下邊界為d1=0.8m,磁感應(yīng)強(qiáng)度B=2.5T,磁場(chǎng)寬度d2=0.3m,物塊放在傾角θ=53°的斜面上,物塊與斜面間的動(dòng)摩擦因數(shù)μ=0.5.現(xiàn)將物塊由靜止釋放,經(jīng)一段時(shí)間后發(fā)現(xiàn)當(dāng)ad邊從磁場(chǎng)上邊緣穿出時(shí),線框恰好做勻速運(yùn)動(dòng).(g取10m/s,sin53°=0.8,cos53°=0.6)求:
(1)線框ad邊從磁場(chǎng)上邊緣穿出時(shí)速度的大小?
(2)線框剛剛?cè)窟M(jìn)入磁場(chǎng)時(shí)動(dòng)能的大?
(3)整個(gè)運(yùn)動(dòng)過程線框產(chǎn)生的焦耳熱為多少?

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科目:高中物理 來源:2011-2012學(xué)年四川省成都市鐵路中學(xué)高二5月月考物理試卷(帶解析) 題型:計(jì)算題

(13分)如圖所示,一邊長(zhǎng)L= 0.2m,質(zhì)量m1=0.5kg,電阻R= 0.1Ω的正方形導(dǎo)體線框abcd,與一質(zhì)量為m2=2kg的物塊通過輕質(zhì)細(xì)線跨過兩光滑的定滑輪相連。起初ad邊距磁場(chǎng)下邊界為d2=0.8m,磁感應(yīng)強(qiáng)度B=2.5T,磁場(chǎng)寬度d1="0." 3m,物塊放在傾角θ=53°的斜面上,物塊與斜面間的動(dòng)摩擦因數(shù)μ=0.5。現(xiàn)將物塊m1由靜止釋放,經(jīng)一段時(shí)間后發(fā)現(xiàn)當(dāng)ad邊從磁場(chǎng)上邊緣穿出時(shí),線框恰好做勻速運(yùn)動(dòng)。(g取10m/s,sin53°=0.8,cos53°= 0.6)求:
  
(1)線框ad邊從磁場(chǎng)上邊緣穿出時(shí)速度的大。
(2)線框剛好全部進(jìn)入磁場(chǎng)時(shí)動(dòng)能的大?
(3)整個(gè)運(yùn)動(dòng)過程線框產(chǎn)生的焦耳熱為多少?

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科目:高中物理 來源:2012屆北京市西城區(qū)南區(qū)高二下學(xué)期期末質(zhì)量檢測(cè)物理試卷(帶解析) 題型:計(jì)算題

(16分)如圖所示,一邊長(zhǎng)L=10cm的正方形金屬導(dǎo)體框abcd,從某一高度h m處開始豎直向下自由下落,其下邊進(jìn)入只有水平上邊界的勻強(qiáng)磁場(chǎng),磁感應(yīng)強(qiáng)度B=1.0T。線框進(jìn)入磁場(chǎng)時(shí),線框平面保持與磁場(chǎng)垂直,線框底邊保持水平。已知正方形線框abcd的質(zhì)量m=0.1kg,電阻R=0.02,自下邊ab進(jìn)入磁場(chǎng)直到上邊cd也進(jìn)入磁場(chǎng)時(shí)為止,整個(gè)線框恰好能夠保持做勻速直線運(yùn)動(dòng)。若g=10m/s2,不計(jì)空氣阻力,求:

(1)線框下落的高度h;
(2)線框在上述進(jìn)入磁場(chǎng)的過程中感應(yīng)電流產(chǎn)生的焦耳熱Q。

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