如圖所示,ab和cd是位于水平面內(nèi)的平行金屬軌道,間距為l,其電阻可忽略不計,ac之間連接一阻值為R的電阻.ef為一垂直于ab和cd的金屬桿,它與ad和cd接觸良好并可沿軌道方向無摩擦地滑動.電阻可忽略.整個裝置處在勻強磁場中,磁場方向垂直于圖中紙面向里,磁感應(yīng)強度為B,當(dāng)施外力使桿ef以速度v向右勻速運動時,桿ef所受的安培力為(  )
A.B.C.D.
A

試題分析:acef組成一個閉合回路,ef相當(dāng)于電源,所以ef受到的安培力聯(lián)立可得桿ef所受的安培力為,故A正確;
點評:做本題的關(guān)鍵是知道ef相當(dāng)于電源,
練習(xí)冊系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目:高中物理 來源:不詳 題型:填空題

如圖所示,一正方形導(dǎo)線框邊長為,質(zhì)量為m,電阻為R。從某一高度豎直落入磁感應(yīng)強度為B的水平勻強磁場中,磁場寬度為d,且d>l。線框邊剛進(jìn)入磁場時線框恰好做勻速運動,此時線框的速度為__________。若線框邊剛要離開磁場時線框又恰好做勻速運動,則線框在穿過磁場的過程中產(chǎn)生的電能為__________。(已知重力加速度為g)

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科目:高中物理 來源:不詳 題型:單選題

如圖所示,一個矩形線框從勻強磁場的上方自由落下,進(jìn)入勻強磁場中,然后再從磁場中穿出,已知勻強磁場區(qū)域的寬度L大于線框的高度h,則下列說法正確的是
A.線框只在進(jìn)入和穿出磁場的過程中,才有感應(yīng)電流產(chǎn)生
B.線框從進(jìn)入到穿出磁場的整個過程中,都有感應(yīng)電流生
C.線框在進(jìn)入和穿出磁場的過程中,都是機械能轉(zhuǎn)化成電能
D.整個線框都在磁場中運動時,機械能轉(zhuǎn)化成電能

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科目:高中物理 來源:不詳 題型:計算題

如圖所示,在傾角θ=30°,相距L=1m的光滑軌道上端連有一電阻R=9Ω,整個軌道處于垂直軌道方向的磁感應(yīng)強度B=1T的勻強磁場中,現(xiàn)在軌道上由靜止釋放一質(zhì)量m=100g,電阻r=lΩ的金屬棒,當(dāng)棒下滑s=5m時恰好達(dá)到最大速度,不計導(dǎo)軌電阻.

求:
(1)棒下滑的最大速度.
(2) 棒下滑的速度為3m/s時棒的加速度大小為多少
(3) 電阻R在這個過程中產(chǎn)生的熱量.

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科目:高中物理 來源:不詳 題型:計算題

如圖所示,在平面內(nèi)有一扇形金屬框,其半徑為,邊與軸重合,邊與軸重合,且為坐標(biāo)原點,邊與邊的電阻不計,圓弧上單位長度的電阻為。金屬桿MN長度為L,放在金屬框上,MN與邊緊鄰,金屬桿ac長度的電阻為R0。磁感應(yīng)強度為B的勻強磁場與框架平面垂直并充滿平面,F(xiàn)對MN桿施加一個外力(圖中未畫出),使之以C點為軸順時針勻速轉(zhuǎn)動,角速度為。求:

(1)在MN桿運動過程中,通過桿的電流I與轉(zhuǎn)過的角度間的關(guān)系;
(2)整個電路消耗電功率的最小值是多少?

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科目:高中物理 來源:不詳 題型:單選題

如圖所示,光滑導(dǎo)軌傾斜放置,其下端連接一個燈泡,勻強磁場垂直于導(dǎo)軌所在平面,當(dāng)ab棒下滑到穩(wěn)定狀態(tài)時,小燈泡獲得的功率為P0,除燈泡外,其他電阻不計,要使穩(wěn)定狀態(tài)燈泡的功率變?yōu)?P0,下列措施正確的是 (  ).
A.換一個電阻為原來一半的燈泡
B.把磁感應(yīng)強度B增為原來的2倍
C.換一根質(zhì)量為原來的倍的金屬棒
D.把導(dǎo)軌間的距離增大為原來的

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科目:高中物理 來源:不詳 題型:計算題

如右圖所示,用粗細(xì)相同的銅絲做成邊長分別為L和2L的兩只閉合線框a和b,以相同的速度從磁感應(yīng)強度為B的勻強磁場區(qū)域中勻速地拉到磁場外,不考慮線框的動能,若外力對環(huán)做的功分別為Wa、Wb,則Wa∶Wb為多少?

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科目:高中物理 來源:不詳 題型:計算題

如圖所示,質(zhì)量為m、邊長為L的正方形線框,從有界的勻強磁場上方由靜止自由下落,線框電阻為R,勻強磁場的高度為H,(L<H),磁感應(yīng)強度為B,線框下落過程中ab邊與磁場邊界平行且保持水平。已知ab邊剛進(jìn)入磁場時和ab邊剛穿出磁場時線框都做減速運動,加速度大小都為.求:

(1)ab邊剛進(jìn)入磁場時和ab邊剛出磁場時的速度大小;
(2)cd邊剛進(jìn)入磁場時,線框的速度大。
(3)線框進(jìn)入磁場的過程中,產(chǎn)生的熱量.

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科目:高中物理 來源:不詳 題型:計算題

如圖所示,一個U形導(dǎo)體框架,其寬度L=1m,框架所在平面與水平面的夾用α=30°。其電阻可忽略不計。設(shè)勻強磁場與U形框架的平面垂直。勻強磁場的磁感強度B=0.2T。今有一條形導(dǎo)體ab,其質(zhì)量為m=0.5kg,有效電阻R=0.1Ω,跨接在U形框架上,并且能無摩擦地滑動,求:

(1)由靜止釋放導(dǎo)體,導(dǎo)體ab下滑的最大速度vm;
(2)在最大速度vm時,在ab上釋放的電功率。(g=10m/s2)。

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