(8分)釷核發(fā)生衰變生成鐳核并放出一個粒子. 設(shè)該粒子的質(zhì)量為m、電荷量為q,它進(jìn)入電勢差為U的帶窄縫的平行平板電極S1和S2間電場時,其速度為v0,經(jīng)電場加速后,沿Ox方向進(jìn)入磁感應(yīng)強(qiáng)度為B、方向垂直紙面向外的有界勻強(qiáng)磁場,Ox垂直平板電極S2. 當(dāng)粒子從P點(diǎn)離開磁場時,其速度方向與Ox方向的夾角,如圖所示,整個裝置處于真空中.
(1)寫出釷核的衰變方程;
(2)求粒子在磁場中沿圓弧運(yùn)動的軌道半徑R;
(3)求粒子在磁場中運(yùn)動所用時間t。
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(04年天津卷)(15分)釷核發(fā)生衰變生成鐳核并放出一個粒子。設(shè)該粒子的質(zhì)量為、電荷量為q,它進(jìn)入電勢差為U的帶窄縫的平行平板電極和間電場時,其速度為,經(jīng)電場加速后,沿方向進(jìn)入磁感應(yīng)強(qiáng)度為B、方向垂直紙面向外的有界勻強(qiáng)磁場,垂直平板電極,當(dāng)粒子從點(diǎn)離開磁場時,其速度方向與方位的夾角,如圖所示,整個裝置處于真空中。
(1)寫出釷核衰變方程;
(2)求粒子在磁場中沿圓弧運(yùn)動的軌道半徑R;
(3)求粒子在磁場中運(yùn)動所用時間。
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釷核發(fā)生衰變生成鐳核并放出一個粒子.設(shè)該粒子的質(zhì)量為m、電荷量為q,它進(jìn)入電勢差為U的帶窄縫的平行平板電極S1和S2間電場時,其速度為v0,經(jīng)電場加速后,沿Ox方向進(jìn)入磁感應(yīng)強(qiáng)度為B、方向垂直紙面向外的有界勻強(qiáng)磁場,Ox垂直平板電極S2,當(dāng)粒子從P點(diǎn)離開磁場時,其速度方向與Ox方向的夾角θ=60°,如圖所示,整個裝置處于真空中.
(1)寫出釷核衰變方程;
(2)求粒子在磁場中沿圓弧運(yùn)動的軌道半徑R;
(3)求粒子在磁場中運(yùn)動所用的時間t.
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如圖所示,光滑且足夠長的平行金屬導(dǎo)軌MN和PQ固定在同一水平面上,兩導(dǎo)軌間距離L=0.2m,電阻R1=0.4,導(dǎo)軌上靜止放置一質(zhì)量m=0.1kg,電阻R2=0.1的金屬桿ab,導(dǎo)軌電阻忽略不計(jì),整個裝置處在磁感應(yīng)強(qiáng)度B1=0.5T的勻強(qiáng)磁場中,磁場的方向豎直向下,現(xiàn)用一外力F沿水平方向拉桿ab,使之由靜止開始運(yùn)動,最終以8m/s的速度做勻速直線運(yùn)動。若此時閉合開關(guān)S,釋放的粒子經(jīng)加速電場C加速從a孔對著圓心O進(jìn)入半徑r=的固定圓筒中(筒壁上的小孔a只能容一個粒子通過),圓筒內(nèi)有垂直水平面向下的磁感應(yīng)強(qiáng)度為B2的勻強(qiáng)磁場,粒子每次與筒壁發(fā)生碰撞均無電荷遷移,也無機(jī)械能損失。(粒子質(zhì)量m≈6.4×10-23kg,電荷量q=3.2×10-19C)。求:
(1)ab桿做勻速直線運(yùn)動過程中,外力F的功率;
(2)射線源Q是釷核發(fā)生衰變生成鐳核
并粒出一個粒子,完成下列釷核的衰變方程 ;
(3)若粒子與圓筒壁碰撞5次后恰又從a孔背離圓心射出,忽略粒子進(jìn)入加速電場的初速度,求磁感應(yīng)強(qiáng)度B2。
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釷核發(fā)生衰變生成鐳核并放出一個粒子.設(shè)該粒子的質(zhì)量為m、電荷量為q,它進(jìn)入電勢差為U的帶窄縫的平行平板電極S1和S2間電場時,其速度為v0,經(jīng)電場加速后,沿Ox方向進(jìn)入磁感應(yīng)強(qiáng)度為B、方向垂直紙面向外的有界勻強(qiáng)磁場,Ox垂直平板電極S2,當(dāng)粒子從P點(diǎn)離開磁場時,其速度方向與Ox方向的夾角θ=60°,如圖所示,整個裝置處于真空中.
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(2)求粒子在磁場中沿圓弧運(yùn)動的軌道半徑R;
(3)求粒子在磁場中運(yùn)動所用的時間t.
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