如圖所示，比荷為e/m的電子從左側(cè)垂直于界面、垂直于磁場(chǎng)射入寬度為d、磁感受應(yīng)強(qiáng)度為B的勻強(qiáng)磁場(chǎng)區(qū)域，要從右側(cè)面穿出這個(gè)磁場(chǎng)區(qū)域，電子的速度至少應(yīng)為（　�。�
A．2Bed/mB．Bed/mC．Bed/（2m）D．
2
Bed/m
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當(dāng)電子恰好能從右側(cè)面穿出這個(gè)磁場(chǎng)區(qū)域時(shí)，軌跡如圖，則由幾何知識(shí)得：軌跡半徑為r=d
由qvB=m
v2
r
得，v=
qBr
m
=
eBd
m
．
故選B
練習(xí)冊(cè)系列答案
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科目：高中物理 來(lái)源： 題型：

如圖所示，比荷為e/m的電子從左側(cè)垂直于界面、垂直于磁場(chǎng)射入寬度為d、磁感受應(yīng)強(qiáng)度為B的勻強(qiáng)磁場(chǎng)區(qū)域，要從右側(cè)面穿出這個(gè)磁場(chǎng)區(qū)域，電子的速度至少應(yīng)為（　�。�

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如圖所示，比荷為e/m的電子從左側(cè)垂直于界面、垂直于磁場(chǎng)射入寬度為d、磁感受應(yīng)強(qiáng)度為B的勻強(qiáng)磁場(chǎng)區(qū)域，要從右側(cè)面穿出這個(gè)磁場(chǎng)區(qū)域，電子的速度至少應(yīng)為（     ）

A．2Bed/m     B．Bed/m     C．Bed/(2m)    D．Bed/m

 

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如圖所示，比荷為e/m的電子從左側(cè)垂直于界面、垂直于磁場(chǎng)射入寬度為d、磁感受應(yīng)強(qiáng)度為B的勻強(qiáng)磁場(chǎng)區(qū)域，要從右側(cè)面穿出這個(gè)磁場(chǎng)區(qū)域，電子的速度至少應(yīng)為（ ）

A．2Bed/m
B．Bed/m
C．Bed/（2m）
D．Bed/m

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科目：高中物理 來(lái)源：2011年瀏陽(yáng)一中高二下學(xué)期考試物理卷 題型：單選題

如圖所示，比荷為e/m的電子從左側(cè)垂直于界面、垂直于磁場(chǎng)射入寬度為d、磁感受應(yīng)強(qiáng)度為B的勻強(qiáng)磁場(chǎng)區(qū)域，要從右側(cè)面穿出這個(gè)磁場(chǎng)區(qū)域，電子的速度至少應(yīng)為（    ）

A．2Bed/mB．Bed/mC．Bed/(2m)D．Bed/m

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