分析 (1)物塊恰好通過(guò)圓軌道最高點(diǎn)B時(shí),由重力提供向心力,根據(jù)牛頓第二定律求出B點(diǎn)速度,物塊由A點(diǎn)運(yùn)動(dòng)至B點(diǎn)的過(guò)程,根據(jù)機(jī)械能守恒定律求出A點(diǎn)速度,在A點(diǎn)根據(jù)牛頓第二定律列式即可求解;
(2)根據(jù)牛頓第二定律求出物塊在傳送帶上的加速度,根據(jù)(1)可知物體到達(dá)A點(diǎn)時(shí)的速度與傳送帶速度相等,根據(jù)運(yùn)動(dòng)學(xué)基本公式求出物體在傳送帶上加速的位移,從而求出輕放小物塊的位置坐標(biāo)需滿足的條件;
(3)根據(jù)運(yùn)動(dòng)學(xué)基本公式求出物塊相對(duì)于傳送帶運(yùn)動(dòng)的位移,根據(jù)結(jié)合功能關(guān)系求解即可.
解答 解:(1)設(shè)物塊恰好通過(guò)圓軌道最高點(diǎn)B時(shí)的速率為vB,根據(jù)牛頓第二定律有:
mg=m$\frac{{v}_{B}^{2}}{R}$
解得:vB=$\sqrt{gR}$=$\sqrt{10×0.5}$ m/s=$\sqrt{5}$m/s
設(shè)物塊通過(guò)圓軌道最低點(diǎn)A的速率為vA,對(duì)于物塊由A點(diǎn)運(yùn)動(dòng)至B點(diǎn)的過(guò)程,根據(jù)機(jī)械能守恒定律有:
$\frac{1}{2}$m${v}_{A}^{2}$=$\frac{1}{2}$m${v}_{B}^{2}$+2mgR
代入數(shù)據(jù)解得:vA=5.0m/s
設(shè)物塊通過(guò)圓軌道最低點(diǎn)A時(shí),軌道對(duì)物塊的支持力為FN,根據(jù)牛頓第二定律有:
FN-mg=m$\frac{{v}_{A}^{2}}{R}$;
代入數(shù)據(jù)解得:FN=60N
據(jù)牛頓第三定律,物塊通過(guò)圓軌道最低點(diǎn)A對(duì)軌道的壓力為:F′N=FN=60N
(2)物塊在傳送帶上的加速度為:a=μg=5.0m/s2
根據(jù)(1)可知物塊運(yùn)動(dòng)至A點(diǎn)的速度滿足vA=5.0m/s,
可使其恰好通過(guò)圓軌道最高點(diǎn)B.傳送帶的速率為:v0=5.0m/s,
物塊在傳送帶上加速運(yùn)動(dòng)的位移為:x0=$\frac{{v}_{A}^{2}}{2a}$=2.5m,
故輕放小物塊的位置坐標(biāo)需滿足:x≤l-x0=3.5m
(3)設(shè)為將小物塊從O點(diǎn)運(yùn)送到A點(diǎn)傳送帶電動(dòng)機(jī)做的功為W,小物塊加速運(yùn)動(dòng)時(shí)間為:t=$\frac{{v}_{A}}{a}$=1.0s,
小物塊加速運(yùn)動(dòng)的位移:x=$\frac{1}{2}$at2=2.5m
根據(jù)功能關(guān)系有:W=$\frac{1}{2}$m${v}_{A}^{2}$+μmg(v0t-x)=25J
答:(1)物塊通過(guò)圓軌道最低點(diǎn)A時(shí)對(duì)軌道壓力的大小為60N;
(2)輕放小物塊位置的x坐標(biāo)應(yīng)滿足x≤3.5m,才能完成上述運(yùn)動(dòng);
(3)為將小物塊從O點(diǎn)運(yùn)送至A點(diǎn)過(guò)程中電動(dòng)機(jī)多做的功為25J.
點(diǎn)評(píng) 本題主要考查了牛頓第二定律、機(jī)械能守恒定律、運(yùn)動(dòng)學(xué)基本公式以及功能關(guān)系得直接應(yīng)用,知道物塊恰好通過(guò)圓軌道最高點(diǎn)B時(shí),由重力提供向心力是解題的突破口,難度適中.
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:解答題
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:選擇題
A. | 電場(chǎng)線是在電場(chǎng)里實(shí)際存在的線 | |
B. | 電場(chǎng)強(qiáng)度方向總是跟電場(chǎng)力方向一致 | |
C. | 電場(chǎng)中任何兩條電場(chǎng)線都不可能相交 | |
D. | 電場(chǎng)線上任一點(diǎn)切線方向總是跟置于該點(diǎn)的電荷受力方向一致 |
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:解答題
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:填空題
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:選擇題
A. | 若Q為正電荷,則A點(diǎn)場(chǎng)強(qiáng)大于C點(diǎn)場(chǎng)強(qiáng) | |
B. | 若Q為負(fù)電荷,則A點(diǎn)場(chǎng)強(qiáng)小于C點(diǎn)場(chǎng)強(qiáng) | |
C. | 若Q為正電荷,則B點(diǎn)電勢(shì)高于C點(diǎn)電勢(shì) | |
D. | 若Q為負(fù)電荷,則B點(diǎn)電勢(shì)低于C點(diǎn)電勢(shì) |
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:填空題
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:解答題
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:多選題
A. | 安培提出了分子電流假說(shuō) | |
B. | 法拉第最早發(fā)現(xiàn)了電磁感應(yīng)現(xiàn)象 | |
C. | 楞次最早發(fā)現(xiàn)了電流磁效應(yīng) | |
D. | 密立通過(guò)油滴實(shí)驗(yàn)測(cè)定了元電荷的數(shù)值 |
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