單匝閉合線框在勻強磁場中，繞垂直于磁場方向的轉軸勻速轉動。在轉動的過程中，線框中的最大磁通量為φm，最大感應電動勢為Em，下列說法中錯誤的是（ ）

A．當穿過線框的磁通量為零時，線框中感應電動勢也為零
B．當穿過線框的磁通量減小時，線框中感應電動勢也減小
C．當穿過線框的磁通量等于0.5φm時，線框中感應電動勢不等于0.5Em
D．線框轉動的角速度等于Em /φm

AB

解析試題分析：當穿過線框的磁通量為零時，此時線圈平行于磁場，磁通量變化率最大，感應電動勢最大，A錯誤，感應電動勢和磁通量大小無關，只和磁通量變化率有關，B錯誤；C正確；最大感應電動勢為，最大磁通量，所以，故，D正確；
讓選錯誤的；故選AB
考點：考查了交流電的產(chǎn)生
點評：本題就是考查學生對最大感應電動勢為Em和最大磁通量 фm的理解，應用公式可直接求出．

練習冊系列答案
相關習題

科目：高中物理 來源： 題型：

（2008?北京）均勻導線制成的單匝正方形閉合線框abcd，每邊長為L，總電阻為R，總質量為m，將其置于磁感強度為B的水平勻強磁場上方h處，如圖所示．線框由靜止自由下落，線框平面保持在豎直平面內(nèi)，且cd邊始終與水平的磁場邊界面平行，當cd邊剛進入磁場時．
（1）求cd兩點間的電勢差大小；
（2）若此時線框加速度恰好為零，求線框下落的高度h所應滿足的條件．

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科目：高中物理 來源： 題型：

（2013?永康市模擬）均勻導線制成的單匝正方形閉合線框abcd，每邊長L=0.1m，總電阻R=0.1Ω，總質量為m=0.1kg．將其置于磁感強度B=1.0T的水平勻強磁場上方h處，如圖所示．線框由靜止自由下落，線框平面保持在豎直平面內(nèi)，且cd邊始終與水平的磁場邊界面平行，取g=10m/s2．
（1）當cd邊剛進入磁場時，線框做勻速直線運動，求線框下落的高度h；
（2）線框進入磁場過程中的電功率P；
（3）若磁場的寬度等于L，從cd剛進入磁場到ab完全離開磁場的過程中，試在答題卷的坐標紙中畫出cd兩點間的電勢差Ucd與時間的關系圖線，在圖象中注明關鍵點的數(shù)據(jù)（不要求書寫求解過程）；
（4）為了減小下落的高度就能使線框剛進入磁場時就做勻速直線運動，三個同學各自提出了方案：
甲：用同種規(guī)格的導線，做成邊長為2L的單匝線框；
乙：用同種材料但粗一些的導線，做成邊長仍為L的單匝線框；
丙：用同種規(guī)格的導線，做成邊長仍為L的雙匝線框；
對上述三位同學的方案，請給出你的評價．

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科目：高中物理 來源：2011-2012學年江西省高三聯(lián)合考試理綜物理卷（解析版） 題型：選擇題

如圖所示，由粗細均勻的導電材料做成的單匝矩形線框abcd的電阻為R，線框的質量為m，高度為L、寬度為2L．若線框無初速度地從高處落下，下邊保持水平向下平動．在線框的下方，有一個上、下界面都是水平的勻強磁場區(qū)，磁場區(qū)高度為2L，磁場方向與線框平面垂直．閉合線圈下落后，可勻速進入磁場區(qū)．對此，下列說法中正確的是

A．線圈ab邊剛進入磁場時，感應電流的方向為a→b→c→d→a        

B．線圈ab邊剛進入磁場時，a、b兩點間的電壓為

C．線圈在磁場以上，下落的高度為

D．線圈從開始下落到ab邊剛好離開磁場的過程中，電路中產(chǎn)生的電能為2mgL

 

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科目：高中物理 來源： 題型：

如圖所示，由粗細均勻的導電材料做成的單匝矩形線框abcd的電阻為R，線框的質量為m，高度為L、寬度為2L．若線框無初速度地從高處落下，下邊保持水平向下平動．在線框的下方，有一個上、下界面都是水平的勻強磁場區(qū)，磁場區(qū)高度為2L，磁場方向與線框平面垂直．閉合線圈下落后，可勻速進入磁場區(qū)．對此，下列說法中正確的是

A．線圈ab邊剛進入磁場時，感應電流的方向為a→b→c→d→a　　　　

B．線圈ab邊剛進入磁場時，a、b兩點間的電壓為

C．線圈在磁場以上，下落的高度為

D．線圈從開始下落到ab邊剛好離開磁場的過程中，電路中產(chǎn)生的電能為2mgL

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科目：高中物理 來源：2012屆江西省贛州三中、于都中學高三聯(lián)合考試理綜物理卷（帶解析） 題型：單選題

如圖所示，由粗細均勻的導電材料做成的單匝矩形線框abcd的電阻為R，線框的質量為m，高度為L、寬度為2L．若線框無初速度地從高處落下，下邊保持水平向下平動．在線框的下方，有一個上、下界面都是水平的勻強磁場區(qū)，磁場區(qū)高度為2L，磁場方向與線框平面垂直．閉合線圈下落后，可勻速進入磁場區(qū)．對此，下列說法中正確的是

A．線圈ab邊剛進入磁場時，感應電流的方向為a→b→c→d→a
B．線圈ab邊剛進入磁場時，a、b兩點間的電壓為
C．線圈在磁場以上，下落的高度為
D．線圈從開始下落到ab邊剛好離開磁場的過程中，電路中產(chǎn)生的電能為2mgL

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