如圖,電阻R、電容C與一線圈連成閉合電路,條形磁鐵N極接近線圈上端的過程中,流過R的電流方向和電容器極板的帶電情況是( )
A.從a到b,上極板帶正電
B.從a到b,下極板帶正電
C.從b到a,上極板帶正電
D.從b到a,下極板帶正電
科目:高中物理 來源: 題型:
某研究小組收集了兩個電學元件:電阻R0(約為2kΩ)和手機中的鋰電池(電動勢E標稱值為3.7V,允許最大放電電流為100mA)。實驗室備有如下器材:
A.電壓表V(量程3V,電阻RV 約為4.0kΩ)
B.電流表A1(量程100mA,電阻RA1 約為5Ω)
C.電流表A2(量程2mA,電阻RA2 約為50Ω)
D.滑動變阻器R1(0~40Ω,額定電流1A)
E.電阻箱R2(0~999.9Ω)
F.開關S一只、導線若干
⑴為了測定電阻R0的阻值,小明設計了一電路,如圖甲所示為其對應的實物圖,圖中的電流表A應選
(選填“A1”或“A2”),請將實物連線補充完整。
⑵為測量鋰電池的電動勢E和內阻r,小紅設計了如圖乙所示的電路圖。根據(jù)測量數(shù)據(jù)作出—圖象,如圖丙所示。若該圖線的斜率為k,縱軸截距為b,則該鋰電池的電動勢E= ,內阻r= (用k、b和R2表示)。該實驗中內阻的測量值偏小,造成此系統(tǒng)誤差主要原因是 。
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科目:高中物理 來源: 題型:
一段長0.2 m,通過2.5 A電流的直導線,關于在磁感應強度為B的勻強磁場中所受安培力F的情況,正確的是( )
A.如果B=2T,F(xiàn)一定是1 N
B.如果F=0,B也一定為零
C.如果B=4T,F(xiàn)有可能是1 N
D.如果F有最大值時,通電導線一定與B平行
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在半導體離子注入工藝中,初速度可忽略的磷離子P+和P3+,經電壓為U的電場加速后,垂直進入磁感應強度大小為B、方向垂直紙面向里、有一定寬度的勻強磁場區(qū)域,如圖所示.已知離子P+在磁場中轉過θ=30°后從磁場右邊界射出.在電場和磁場中運動時,離子P+和P3+( )
A.在電場中的加速度之比為1∶1
B.在磁場中運動的半徑之比為∶1
C.在磁場中轉過的角度之比為1∶1
D.離開電場區(qū)域時的動能之比為1∶3
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如右圖所示,閉合開關S,將條形磁鐵插入閉合線圈,第一次用時0.2 s,第二次用時0.4 s,并且兩次磁鐵的起始和終止位置相同,則( )
A.第一次線圈中的磁通量變化較快
B.第一次電流表指針的最大偏轉角較大
C.第二次電流表指針的最大偏轉角較大
D.若斷開S,電流表均不偏轉,故兩次線圈兩端均無感應電動勢
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如圖,長為a、寬為b的矩形線圈,電阻為r,處在磁感應強度為B的勻強磁場邊緣,磁場方向垂直于紙面向外,線圈與磁感線垂直.用力F將線圈向右以速度v勻速拉出磁場的過程中( )
A.線圈中感應電流大小為
B.安培力做的功等于Fb
C.線圈中感應電流方向為逆時針
D.線圈所受安培力逐漸減小
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為了測定光敏電阻Rx的光敏特性.
(1)某同學使用多用表“×100”的歐姆擋測其在正常光照下的大致電阻,示數(shù)如圖甲所示,則所測得的阻值Rx=_________ Ω;
(2)為了比較光敏電阻在正常光照射和強光照射時電阻的大小關系,采用伏安法測電阻得出兩種“U I”圖線如圖乙所示,由圖線可知正常光照射時光敏電阻阻值為_______________ Ω,強光照射時光敏電阻阻值為_______________ Ω;
(3)若實驗中所用電壓表內阻為5 kΩ,電流表內阻為100 Ω,考慮到電表內阻對實驗結果的影響,圖丙電路對_______________(填“正常光”或“強光”)照射時測得的誤差較。埜鶕(jù)圖丙將圖丁中的儀器連接成完整實驗電路.
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如圖,子彈水平射入放在光滑水平地面上靜止的長為L的木塊,子彈穿透木塊的過程子彈的動能減少了9 J,下列說法正確的是( )
A.子彈的位移一定大于木塊的位移
B.木塊動能可能增加了6 J
C.木塊動能可能增加了9 J
D.系統(tǒng)產生的內能為9 J
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科目:高中物理 來源: 題型:
如圖所示,A、B兩物塊疊放在一起,在粗糙的水平面上保持相對靜止地向右做勻減速直線運動,運動過程中B受到的摩擦力( )
A.方向向左,大小不變
B.方向向左,逐漸減小
C.方向向右,大小不變
D.方向向右,逐漸減小
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